이차전지용 전해질

[청구항2] 제 1 항에 있어서,상기 실리카 충진재는붕소포함하는것을특징으로 하는이차전지용 전해질. [청구항3] 제 1 항에 있어서,상기 실리카 충진재는 코어-쉘(core-shell)구조갖는것을특징으로 하는이차전지용 전해질. [청구항4] 제 3 항에 있어서,상기 코어는 실리카 입자이고, 상기 쉘은 붕소를 포함하는 단량체가 상기 실리카 입자에 결합된형상인것을특징으로 하는이차전지용 전해질. [청구항5] 제 4 항에 있어서,상기 붕소를 포함하는 단량체는 다음의 화학식 1에서 유도된사슬포함하는것을특징으로 하는이차전지용 전해질.[화학식 1](상기 화학식 1에서, n은 2 내지 10의 정수임) [청구항6] 제 1 항에 있어서,상기 고분자 매트릭스는가지형고분자인것을특징으로 하는이차전지용 전해질. 제 1 항에 있어서,상기 고분자 매트릭스는가지형고분자인것을특징으로 하는이차전지용 전해질. [청구항7] 제 1 항에 있어서,상기 고분자 매트릭스는 폴리에틸렌글리콜 메타크릴산염, 디메타크릴산염, 및 폴리헤드랄 올리고머릭 실세스퀴옥산 메타크릴산염 중에서 선택된 하나 이상에서 유도된사슬포함하는것을특징으로 하는이차전지용 전해질. 제 1 항에 있어서,상기 고분자 매트릭스는 폴리에틸렌글리콜 메타크릴산염, 폴리에틸렌글리콜 디메타크릴산염, 및 폴리헤드랄 올리고머릭 실세스퀴옥산 메타크릴산염 중에서 선택된 하나 이상에서 유도된사슬포함하는것을특징으로 하는이차전지용 전해질. [청구항8] 제 1 항에 있어서,상기 고분자 매트릭스는 다음의 화학식 2의 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 이차전지용 전해질.[화학식 2](상기 화학식 2에서, m은 1 내지 100의 정수이고, r은 화학식 3의 구조포함할 수있음)[화학식 3] 제 1 항에 있어서,상기 고분자 매트릭스는 다음의 화학식 2의 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 이차전지용 전해질.[화학식 2](상기 화학식 2에서, m은 1 내지 100의 정수이고, r은 화학식 3의 구조포함할 수있음)[화학식 3] [청구항9] 제 1 항에 있어서,상기 고분자 매트릭스는 다음의 화학식 4의 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 이차전지용 전해질.[화학식 4](상기 화학식 4에서, r1 내지 r3, r11 및 r12는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 c1 내지 c10 알킬기이고, r4 내지 r10 및 r13 내지 r19는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 c1 내지 c20 알킬기, 치환 또는 비치환된 c2 내지 c20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 c2 내지 c20 알키닐기, 치환 또는 비치환된 c3 내지 c20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 c3 내지 c20 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 c3 내지 c20 사이클로알키닐기, 또는 치환 또는 비치환된 c6 내지 c30 아릴기이고,e는 하기 화학식 5 또는 하기 화학식 6으로 표시되는 연결기이고,n1 내지 n4는 각각 1 내지 100 의 정수이고,a1 및 a3은 각각 2 내지 10의 정수이고,a2 및 a4는 각각 2 내지 5의 정수이고, [화학식 5][화학식 6]상기 화학식 5 및 6에서, r30은 수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 c1 내지 c10 알킬기이고, a5가 2 이상인 경우 상기 r30은 서로 동일하거나 상이하며,a5는 1 내지 10의 정수이고, a6은 1 내지 10의 정수이고, 상기 치환은 할로겐 원자(f, cl, br, i), 히드록시기, c1 내지 c20의 알콕시기, 니트로기, 시아노기, 아민기, 이미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기, 에테르기, 카르복실기 또는 그것의 염, 술폰산기 또는 그것의 염, 인산이나 그것의 염, c1 내지 c20의 알킬기, c2 내지 c20의 알케닐기, c2 내지 c20의 알키닐기, c6 내지 c30의 아릴기, c3 내지 c20의 사이클로알킬기, c3 내지 c20의 사이클로알케닐기, c3 내지 c20의 사이클로알키닐기, c2 내지 c20의 헤테로사이클로알킬기, c2 내지 c20의 헤테로사이클로알케닐기, 또는 c2 내지 c20의 헤테로사이클로알키닐기의 치환기치환된 것임) 제 1 항에 있어서,상기 고분자 매트릭스는 다음의 화학식 4의 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 이차전지용 전해질.[화학식 4](상기 화학식 4에서, r1 내지 r3, r11 및 r12는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 c1 내지 c10 알킬기이고, r4 내지 r10 및 r13 내지 r19는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 c1 내지 c20 알킬기, 치환 또는 비치환된 c2 내지 c20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 c2 내지 c20 알키닐기, 치환 또는 비치환된 c3 내지 c20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 c3 내지 c20 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 c3 내지 c20 사이클로알키닐기, 또는 치환 또는 비치환된 c6 내지 c30 아릴기이고,e는 하기 화학식 5 또는 하기 화학식 6으로 표시되는 연결기이고,n1 내지 n4는 각각 1 내지 100 의 정수이고,a1 및 a3은 각각 2 내지 10의 정수이고,a2 및 a4는 각각 2 내지 5의 정수이고, [화학식 5][화학식 6]상기 화학식 5 및 6에서, r30은 수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 c1 내지 c10 알킬기이고, a5가 2 이상인 경우 상기 r30은 서로 동일하거나 상이하며,a5는 1 내지 10의 정수이고, a6은 1 내지 10의 정수이고, 상기 치환은 할로겐 원자(f, cl, br, i), 히드록시기, c1 내지 c20의 알콕시기, 니트로기, 시아노기, 아민기, 이미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기, 에테르기, 카르복실기 또는 그것의 염, 술폰산기 또는 그것의 염, 인산이나 그것의 염, c1 내지 c20의 알킬기, c2 내지 c20의 알케닐기, c2 내지 c20의 알키닐기, c6 내지 c30의 아릴기, c3 내지 c20의 사이클로알킬기, c3 내지 c20의 사이클로알케닐기, c3 내지 c20의 사이클로알키닐기, c2 내지 c20의 헤테로사이클로알킬기, c2 내지 c20의 헤테로사이클로알케닐기, 또는 c2 내지 c20의 헤테로사이클로알키닐기의 치환기치환된 것임)