원자층 증착장치

[청구항1] 다수의 기판을 수용하여 증착 공정이 수행되는 공간을 제공하는 프로세스 챔버 상기 프로세스 챔버 내에 구비되어 상기 다수의 기판이 안착되는 서셉터; 및 상기 서셉터 상부에 구비되어 상기 기판으로 소스 가스를 분사하고 상기 소스 가스를 분사하는 영역이 상기 기판에 일대일 대응되는 형태를 갖는 분사영역이 형성된 샤워헤드 를 포함하고, 상기 서셉터와 상기 샤워헤드는 서로 맞물리는 요철 구조를 가지며 상기 서셉터와 상기 샤워헤드가 맞물렸을 때 상기 각 기판을 주변과 차단시키도록 형성된 것을 특징으로 하는 원자층 증착장치 [청구항2] 제1항에 있어서,셉터는 다수의 기판이 상기 서셉터의 원주 방향을 따라 방사상으로 배치되도록 형성되며,상기 서셉터와 상기 샤워헤드 중 하나에는 요부가 형성되고 다른 하나에는 상기 요부가 삽입 수용되는 철부가 형성되며, 상기 요부와 상기 철부 사이에 상기 기판이 개재되어 맞물리는형태갖는것을특징으로 하는원자층 증착장치. [청구항3] 제2항에 있어서,셉터 상면에는 상기 기판이 한 장씩 안착되도록 돌출 형성된 다수의 제1 요철부가 형성되고,상기 샤워헤드 하면에는 상기 제1 요철부가 각각 삽입되어 맞물리도록 요입 형성된제2요철부가형성된것을특징으로 하는원자층 증착장치. [청구항4] 제3항에 있어서,상기 제2 요철부에서 요입된 내부에는 상기 기판으로 상기 소스 가스를 분사하는 다수의 분사홀이 형성된 분사 블록이 구비되고, 상기 분사 블록은 상기 제1 요철부와 상기 제2 요철부가 맞물렸을 때 상기 분사 블록과 상기 기판 사이에 일정 거리 이격되도록구비된것을특징으로 하는원자층 증착장치. [청구항5] 제3항에 있어서,상기 제2 요철부 내부에는 상기 소스 가스 중 어느 하나의 소스 가스를 플라즈마화 시키는플라즈마 발생부더구비된것을특징으로 하는원자층 증착장치. [청구항6] 제5항에 있어서,상기 플라즈마 발생부는 상기 제2 요철부 내부에 유도 전기장을 발생시키는 안테나를 포함하고유도결합성플라즈마발생시키는것을특징으로 하는원자층 증착장치. [청구항7] 제6항에 있어서,상기 플라즈마 발생부는 상기 제2 요철부 내부의 압력을 강하시키는진공펌프포함하는것을특징으로 하는원자층 증착장치. [청구항8] 다수의 기판을 수용하여 증착 공정이 수행되는 공간을 제공하는 프로세스 챔버 상기 프로세스 챔버 내에 구비되어 상기 다수의 기판이 원주 방향을 따라 방사상으로 안착되는 제1 요철부가 형성된 서셉터 상기 서셉터 상부에 구비되어 상기 기판으로 다수의 소스 가스를 분사하는 다수의 분사영역이 형성되고 상기 제1 요철부와 서로 맞물리도록 형성된 샤워헤드; 및 상기 샤워헤드에 구비되어 상기 소스 가스 중 하나의 이상의 소스 가스를 플라즈마화 시키는 플라즈마 발생부 를 포함하고, 상기 제1 요철부와 상기 제2 요철부 중 하나는 돌출된 철(凸)부이고, 다른 하나는 요입된 요(凹)부로 형성되며, 상기 제1 요철부와 상기 제2 요철부 사이에 상기 기판이 개재되어 주변과 차단되도록 형성된 것을 특징으로 하는 원자층 증착장치 [청구항9] 제8항에 있어서,상기 소스 가스는 박막을 형성하는 물질을 포함하는 한 종류 이상의 제1 가스와 상기 제1 가스의 퍼지를 위한 퍼지 가스를 포함하고, 상기 플라즈마 발생부는 상기 제1 가스를 분사하는제1소스영역구비된것을특징으로 하는원자층 증착장치. [청구항10] 제9항에 있어서,상기 제2 요철부에 내부에 구비되어 상기 기판으로 상기 소스 가스를 분사하는 다수의 분사홀이 형성된 분사 블록을 더 포함하고,상기 분사 블록은 상기 제2 요철부 내부 공간을 상기 소스 가스의 버퍼 공간인 버퍼부와 상기 제1 요철부와 상기 제2 요철부가 맞물렸을 때 상기 기판이 수용되어 증착 공정이 수행되는반응실구획하는것을특징으로 하는원자층 증착장치. [청구항11] 제10항에 있어서,상기 플라즈마 발생부는 유도결합성 플라즈마(inductively coupled plasma, icp)를 발생시키고,상기 제1 소스영역의 버퍼부 상부에 구비되어 상기 버퍼부 내부에 유도 전기장을 발생시키는 안테나;상기 안테나에 고주파 전원을 인가하는 전원부; 및상기 버퍼부 내부의 압력을 강하시키는진공펌프포함하는것을특징으로 하는원자층 증착장치. [청구항12] 제10항에 있어서,상기 플라즈마 발생부는 상기 제1 소스영역에 정전결합성 플라즈마(capacitively coupled plasma, ccp)를 발생시키고,상기 분사 블록과 평행하게 구비되고 상기 버퍼부 상부에 구비된 평판형 전극; 및상기 평판형 전극과 상기 분사 블록에 각각 고주파 전원을 인가하는전원부포함하는것을특징으로 하는원자층 증착장치.