가스 스쿠루버용 금속 배관

[청구항 1] 반도체 및 디스플레이 제조 설비에서 cvd(chemical vapour deposition)공정, 포토리소그라피(photolithography)공정과 같이 화학기체 및 액체 등을 사용하는 증착 및 식각 공정에 사용되는 부식성 가스 및 공정을 통해 발생하는 반응혼합물 같은 부식성 가스를 여과시키는 가스 스쿠루버(gas scrubber)의 배관 라인으로 사용되는 가스 스쿠루버용 금속 배관에 있어서, 가스 이동이 가능한 관통형의 금속관과 상기 금속관 내면에 형성된 표면 처리층과 상기 표면 처리층 상에 형성 패럴린막을 포함하하 여 이루어진 것을 특징으로 하는 가스 스쿠루버용 금속 배관 [청구항 2] 청구항 1에 있어서,상기 표면 처리층과 상기 패럴린막 사이에산화피막층더형성되는것을특징으로 하는가스 스쿠루버용 금속 배관. [청구항 3] 청구항 1에 있어서,상기 표면 처리층을 형성하기 전에, 상기 금속관을 유기용제 또는 초순수를 이용하여초음파 세정수행하는것을특징으로 하는가스 스쿠루버용 금속 배관. [청구항 4] 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 표면 처리층은 기계적 연마, 화학적 에칭, 플라즈마 처리, 실란계 용액 중, 어느 하나를 이용하여형성되는것을특징으로 하는가스 스쿠루버용 금속 배관. [청구항 5] 청구항 4에 있어서,상기 화학적 에칭은 fecl3, cucl2, hcl, h2so4, hno3, h3po4, hf 및 h2o2 중 어느 하나 또는 혼합용액을 h2o 또는 메탄올에 혼합한용액수행되는것을특징으로 하는가스 스쿠루버용 금속 배관. [청구항 6] 청구항 2에 있어서,상기 산화피막층은 인산염계 피막, 망간계 산화 피막, tio2 피막, zno 피막, ito 피막, zro2 피막, sio2 피막 중, 어느하나형성되는것을특징으로 하는가스 스쿠루버용 금속 배관. [청구항 7] 청구항 6에 있어서,상기 산화 피막층은 습식전해도금법, 습식분말을 포함한 담금법 및 진공증착법 중 어느 하나를 이용하여형성되는것을특징으로 하는가스 스쿠루버용 금속 배관. [청구항 8] 청구항 1에 있어서,상기 패럴린막은 n-타입, c-타입, d-타입, f-타입, ht-타입, a-타입 및 am-타입의 다이머(dimer) 중 어느 하나의 다이머 또는 적어도 두개 이상의 다이머를 혼합하여형성되는것을특징으로 하는가스 스쿠루버용 금속 배관. [청구항 9] 청구항 8에 있어서,상기 패럴린막의 두께는 1㎛ ~ 200㎛사이범위인것을특징으로 하는가스 스쿠루버용 금속 배관.