MIS형 반도체장치와 그 제조방법

[청구항 2] 제1항에 있어서,소오스영역과 드레인영역의 표면위에 형성되는 소오스전극(40)과 드레인전극(41)이추가구비되는것을특징으로 하는mis형 반도체 장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,널부옆에 형성된 제1영역(35)(36)의 측단부가 챈널부옆에 형성된 제2영역(33)(34)으로부터분리되는것을특징으로 하는mis형 반도체 장치. [청구항 4] 제1항에 있어서,널부옆에 형성된 제2영역(35)(36)의 측단부가 챈널부옆에 형성된 제1영역(33)(34)의 측단부에 정확하게배열되는것을특징으로 하는mis형 반도체 장치. [청구항 5] 제1항에 있어서,널이온주입층이 n형도전영역(30)의표면형성되는것을특징으로 하는mis형 반도체 장치. [청구항 6] 제1항에 있어서,제1영역(35)(36)이 제2영역(33)(34)보다 더 깊은 것특징으로 하는mis형 반도체 장치. [청구항 7] 제1항에 있어서,게이트전극(31)으로 자기정합되는 측벽절연막을 추가로 구비하여, 상기 게이트전극(31)과 상기 측벽절연막으로 자기정합되는 제1영역(35)(36)과, 상기 게이트전극(31)으로 자기정합되는제2영역인것을특징으로 하는mis형 반도체 장치. [청구항 8] 제1항에 있어서,제 1영역(35)(36)과 제 2영역(33)(34)의불순물붕소인것을특징으로 하는mis형 반도체 장치. [청구항 9] 제1항에 있어서,소오스-드레인방향을 따라 게이트전극(31)패턴의길이이하인것을특징으로 하는mis형 반도체 장치. [청구항 10] 제1항에 있어서,제2영역(33)(34)의 표면을 따라 p형불순물농도곡선이 제1영역(35)(36)의표면끝부분지는것을특징으로 하는mis형 반도체 장치. [청구항 12] 제11항에 있어서,제1소오스영역과 제1드레인영역의 표면위에 형성되는 제1소오스전극과 제1드레인전극, 제2소오스 영역과 제2드레인영역의 표면위에 형성되는 제2소오스전극과 제2드레인전극이추가구비되는것을특징으로 하는mis형 반도체 장치. [청구항 13] 제11항에 있어서,제1소오스영역과 제1드레인영역중 1영역 및 제2소오스영역과 제2드레인영역중 1영역이 전기적으로 서로 접속되고, 제1게이트전극과 제2게이트전극이 전기적으로 서로 접속되어인버터로이루어진것을특징으로 하는mis형 반도체 장치. [청구항 14] 제11항에 있어서,제1게이트전극과 제2게이트전극으로 자기 정합되는 측벽절연막을 추가로 구비하여, p챈널 및 n챈널측 소오스영역 및 드레인영역의 고농도층이 게이트전극과 측벽절연막으로 자기정합되고, p챈널 및 n챈널측 소오스영역 및 드레인영역의 저농도층이 게이트전극으로자기접합되는것을특징으로 하는mis형 반도체 장치. [청구항 15] 제11항에 있어서,전체의 제1소오스영역과 제1드레인영역인 고농도층과 노농도층의 불순물이 붕소이고, 고농도 n형영역의 제2소오스영역과 제2드레인영역이 비소이며, 저농도 n형영역의 제2소오스영역과 제2드레인영역인인것을특징으로 하는mis형 반도체 장치. [청구항 16] 제11항에 있어서,기판위에바이폴러트랜지스터형성되는것을특징으로 하는mis형 반도체 장치. [청구항 17] 제11항에 있어서,기판이 반도체기판이고, n형도전영역과 p형도전영역이 반도체기판위에 형성되는에피택셜반도체층안형성되는것을특징으로 하는mis형 반도체 장치.