나노구조방출기를갖는전계방출장치

[청구항2] 제1항에 있어서,상기 전극의 미세 구조체가 1) π-전자 밀도가 비편재화된 사슬 또는 고리를 포함하는 평면 분자를 포함하는 유기 재료, 또는 2) 반도체포함하는디스플레이. 제1항에 있어서,상기 전극의 조밀 배열의 미세 구조체가 랜덤하게 배향되거나 또는 상기 전극의 조밀 배열의 미세 구조체가 그들의 주축이 서로 평행배향된디스플레이. [청구항3] 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 전극의 미세 구조체가 하나 이상의 반복 또는 비반복 패턴포함하는디스플레이. 제1항 또는 2항에 있어서,상기 전극의 상기 미세 구조체가 0.01 내지 0.5 마이크로미터 범위의 평균 단면적 치수 및 0.1 내지 5 마이크로미터의 평균 길이, 및 약 1:1 내지 약 100:1 범위의 종횡비 중 하나 이상갖는디스플레이. [청구항4] 제1항 내지 3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전극의 미세 구조체가 평면 분자, 사슬 또는 π-전자 밀도가 비편재화된 고리를 포함하는 유기 재료를 포함하고, 상기 유기 재료는 임의로 중합체, 다핵 방향족 탄화수소 또는 헤테로시클릭 방향족 화합물이고, 이 때, 상기 다핵 방향족 탄화수소는 나프탈렌, 페난트렌, 페릴렌, 안트라센, 코로넨 및 피렌으로 이루어진 군으로부터 선택되고, 상기 헤테로시클릭 방향족 화합물은 프탈로시아닌, 포르피린, 카르바졸, 퓨린 및 프테린으로 이루어진 군선택되는디스플레이. 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 전극의 미세 구조체의 동형 피복이 유기 재료 및 무기 재료로 이루어진 군으로부터 선택된 재료포함하는디스플레이. [청구항5] 제1항 내지 3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 미세 구조체가 다이아몬드, 게르마늄, 셀레늄, 비소, 규소, 텔루륨, 갈륨 아르세나이드, 갈륨 안티모나이드, 갈륨 포스파이드, 알루미늄 안티모나이드, 인듐 안티모나이드, 인듐 주석 옥사이드, 아연 안티모나이드, 인듐 포스파이드, 알루미늄 갈륨 아르세나이드, 아연 텔루라이드, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는재료제조된반도체인디스플레이. 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 기판이 유기 및 무기 재료로 이루어진 군선택되는디스플레이. [청구항6] 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전극의 미세 구조체가 하나 이상의 반복 또는 비반복 패턴을 포함하고, 상기 패턴은 방사선 융식, 사진평판, 기계적 방법, 진공 방법, 화학적 방법, 및 기체압 또는 유체 방법으로 이루어진 군으로부터 선택된 수단에 의해 임의형성되는디스플레이. [청구항7] 제1항 내지 6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전극의 미세 구조체의 상사 피복이 유기 재료 및 무기 재료로 이루어진 군으로부터 선택된 재료를 포함하고, 상기 무기 재료는 임의로 금속, 탄소, 금속 산화물, 금속 황화물, 금속 황화물, 금속 탄화물, 금속 붕소화물, 금속 질화물, 금속 질화물 및 진공 게터 재료로 이루어진 군선택되는디스플레이. [청구항8] 제1항 내지 7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 보호피복된 미세 구조체가 0 초과 6 ev 이하의 낮은 전자 작용 함수갖는디스플레이. [청구항9] 제1항 내지 8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판이 임의로 중합체, 유리, 금속, 세라믹 및 반도체로 이루어진 군으로부터 선택되는 유기 및 무기 재료로 이루어진 군선택되는디스플레이.