기판 및 그 제조 방법, 방열 기판, 그리고 방열 모듈

[청구항1] 금속박과, 상기 금속박의 산술 평균 조도 (ra) 가 0.3 ㎛ 이하 또한 최대 조도 (rmax) 가 2.0 ㎛ 이하인 면 상에 형성되고, 평균 두께가 3 ㎛ ∼ 25 ㎛ 인 폴리이미드 수지층과, 상기 폴리이미드 수지층 상에 형성되고, 평균 두께가 5 ㎛ ∼ 25 ㎛ 인 접착제층을 갖는, 기판 [청구항2] 제 1 항에 있어서,추가로 상기 접착제층 상에 형성되는 금속판갖는,기판. [청구항5] 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 접착제층에함유되는접착제 수지의 경화 후의 상온에 있어서의 탄성률이 200 ㎫ ∼ 1000 ㎫ 인, 기판. [청구항6] 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 폴리이미드 수지층은, 비페닐테트라카르복실산 무수물을 함유하는 산 무수물과, 디아미노디페닐에테르 및 페닐렌디아민을 함유하는 디아민으로부터 얻어지는 폴리이미드 수지함유하는,기판. [청구항7] 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 접착제층은, 실록산 변성 폴리아미드이미드 수지 및 에폭시 수지함유하는,기판. [청구항8] 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 접착제층은, 그 고형분 중의 수지의 총 함유율이 100 질량％ 이하이고,상기 수지에 함유되는 실록산 변성 폴리아미드이미드 수지, 상기 실록산 변성 폴리아미드이미드 수지와 상용 가능하고 에폭시기를 1 분자 중에 2 이상 갖는 에폭시 수지, 및 상기 에폭시기와 반응 가능한 관능기를 1 분자 중3 이상 갖는다관능 수지의 상기 고형분 중에 있어서의 함유율이 각각 순서대로 30 질량％ ∼ 60 질량％, 10 질량％ 이상, 및 10 질량％ 이상인, 기판. [청구항9] 제 1항 내지 제 8 항 중어느 한 항에 기재된 기판에 있어서의 금속박이 회로가공되어 이루어지는,방열 기판.