50 nm 이하의 선-공간 치수를 갖는 패턴화된 재료를 처리할 때 항 패턴 붕괴를 피하기 위한 계면활성제 및 소수성화제를 포함하는 조성물의 용도

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,계면활성제a 가 0° 내지 30° 의 기판에 대한 평형 접촉 각갖는용도. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,비-이온성 계면활성제 a 가 단 분지형 퍼플루오로알킬 계면활성제 (a1), 실리콘 기재 계면활성제 (a2), 에틸렌 옥시드와 프로필렌 옥시드 계면활성제의 알콕시 말단 공중합체 (a3), 알킬 폴리글리코시드 및 소르베이트 계면활성제 (a4), 알킬 아민 옥시드 계면활성제 (a5), 및 아세틸렌 디올 계면활성제 (a6) 로선택되는용도. [청구항 4] 제 3 항에 있어서,분지형 퍼플루오로알킬 계면활성제 (a1) 가 트리플루오로메틸, 펜타플루오로에틸, 1-헵타플루오로프로필, 2-헵타플루오로프로필, 및 펜타플루오로설파닐로부터 선택되는 3 개 이상의 단쇄 과불소화된 기포함하는용도. [청구항 5] 제 3 항에 있어서,실리콘 기재 계면활성제(a2) 가 하기 일반 화학식 a-iia 및 a-iib 의 실록산 계면활성제로부터 선택되는 용도:(a-iia)(a-iib)(식 중,u, v는 0 내지 5 로부터 독립적으로 선택되는 정수이고,w는 0 내지 6 의 정수이고, x는 1 내지 22 의 정수이고,y는 1 내지 5 의 정수이고,r10은 h 또는 c1 내지 c10 알킬 기선택되고,r11은 h, 메틸 또는 에틸로부터 선택됨). [청구항 6] 제 3 항에 있어서,에틸렌 옥시드와 프로필렌 옥시드 계면활성제의 알콕시 말단 공중합체(a3) 이 하기 일반 화학식 a-iii 을 갖는 용도:(r12-o)c-(eo)a(po)bh(a-iii)(식 중,r12는 임의로 불소화되거나 또는 과불소화될 수 있는 c4 내지 c30알킬선택되는옥시에탄디일이고,po는 옥시프로판디일이고,a는 1 내지 100 의 정수이고,b는 0 내지 100 의 정수이고,c는 1 내지 6 의 정수임). [청구항 7] 제 3 항에 있어서,알킬 폴리글리코시드 계면활성제(a4) 가 하기 일반 화학식 a-iv 를 갖는 용도:r21o(cnh2no)j(z)k(a-iv)(식 중,r21은 알킬, 알킬페닐, 히드록시알킬페닐로 이루어지는 군으로부터 선택되는 소수성 기이고, 이때 알킬 기는 약 10 내지 18 개의 탄소 원자함유하며,n은 바람직하게는 2 또는 3 이고,j는 0 내지 10 이고,k는 1 내지 8 이고,z는 헥소오스, 글루코오스, 글루코오스의 유도체, 수크로오스로부터 선택됨). [청구항 8] 제 3 항에 있어서,알킬 아민 옥시드 계면활성제 (a5) 가 하기 일반 화학식갖는용도:(a-v)(식 중, r41은 c6 내지 c30 소수성 유기 라디칼이고, r42, r43은 독립적으로 c1-c4 알킬 또는 c1-c4 히드록시알킬로부터 선택됨). [청구항 9] 제 3 항에 있어서,아세틸렌 디올 계면활성제 (a6) 이 하기 일반 화학식 a-vi 을 갖는 용도:(a-vi)(식 중,r51 및 r4는 선형 또는 분지형 c3 내지 c10 알킬이고,r52 및 r53은 h 및 선형 또는 분지형 c1 내지 c5 알킬선택되고,q, r, s 및 t는 0 내지 20 의 정수임). [청구항 10] 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,번째 계면활성제b 가 기판에 대한 물의 접촉 각이 기판을 물 중의 두번째 계면활성제 b 의 용액과 접촉시킴으로써, 이러한 접촉 전에 기판에 대한 물의 접촉 각과 비교하여,증가하도록선택되는용도. [청구항 11] 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,소수성화제b 가 30 mn/m 내지 70 mn/m 의 평형 표면 장력갖는용도. [청구항 12] 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,소수성화제b 가 양이온성, 양쪽성 또는 쯔비터이온성인용도. [청구항 13] 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,소수성화제b 가 4 차 알킬 암모늄 화합물 (b1), 제미니 4 차 알킬 암모늄 화합물 (b2), 및 폴리아민 (b3) 으선택되는용도. [청구항 14] 제 13 항에 있어서,4 차 알킬 암모늄 화합물(b1) 이 하기 일반 화학식 b-i 을 갖는 용도:(b-i)(식 중,r1은 하기 화학식의 부분으로부터 선택되고:r2, r3, r4는 r1 및 h 로부터 선택되고,r5는 h, oh 및 c1 내지 c10 알킬선택되고,z는 1 내지 18 의 정수이고, r6은 h 및 c1 내지 c10 알킬로부터 선택됨). [청구항 15] 제 13 항에 있어서,제미니 4 차 알킬 암모늄 화합물b2 가 하기 일반 화학식 b-ii 를 갖는 용도:(b-ii)(식 중:x는 2-원자가 기이며, 하기로부터 독립적으로 선택되는 각각의 반복 단위 1 내지 n 개에 대해(a)임의로 치환될 수 있고 o 및 n 으로부터 선택되는 5 개 이하의 헤테로원자가 임의로 삽입될 수 있는, 선형 또는 분지형 c1 내지 c20 알칸디일,(b)임의로 치환될 수 있고 o 및 n 으로부터 선택되는 5 개 이하의 헤테로원자가 임의로 삽입될 수 있는, c5 내지 c20 시클로알칸디일,(c)화학식 -x1-a-x2- 의 c6 내지 c20 유기 기 (식 중, x1 및 x2 는 c1 내지 c7 선형 또는 분지형 알칸디일로부터 독립적으로 선택되고, a 는 c5 내지 c12 방향족 부분 또는 c5 내지 c30 시클로알칸디일로부터 선택되며, 상기 h 원자는 임의로 치환될 수 있고, 상기 c 원자에는 o 및 n 으로부터 선택되는 5 개 이하의 헤테로원자가 임의로 삽입될 수 있음),(d)하기 화학식 ii 의 폴리옥시알킬렌 디라디칼: (b-iia)(식 중, p 는 0 또는 1 이고, r 은 1 내지 100 의 정수이고; r5 는 h 및 선형 또는 분지형 c1 내지 c20 알킬 기로부터 선택되고,r1 및 r2는 독립적으로 h, 선형 또는 분지형 c1 내지 c20 알킬, c5 내지 c20 시클로알킬, c5 내지 c20 아릴, c6 내지 c20 알킬아릴, c6 내지 c20 아릴알킬, c1 내지 c20 히드록시알킬, 또는 c2 내지 c4 옥시알킬렌 단독중합체 또는 공중합체로부터 선택되는 1-원자가 기이고, 이들 모두는 추가로 치환될 수 있고,r3 및 r4는 선형 또는 분지형 c5 내지 c30 알킬 기, c5 내지 c30 시클로알킬, c1 내지 c20 히드록시알킬, 및 c2 내지 c4 옥시알킬렌 단독중합체 또는 공중합체로부터 독립적으로 선택되는 1-원자가 기이고, 이들 모두는 임의로 치환될 수 있고, 쌍-방식 r3-r4 및 인접 r4-r4 및 r3-r3 은 임의로 함께 상기 정의된 바와 같은 2-원자가 기 x 를 형성할 수 있고, 또한 분지화에 의한 분자의 연속 q 일 수 있으며, n 이 2 이상인 경우, r3, r4 또는 r3 및 r4 는 또한 수소 원자일 수 있고,n은 1 내지 5 의 정수이고, 또는, x, r3 및 r4 중 하나 이상이 c2 내지 c4 폴리옥시알킬렌 기를 포함하는 경우, n 은 1 내지 10000 의 정수일 수 있고, 단 하나 이상의 q 가 존재하는 경우, n 은 분지 q 의 모든 반복 단위를 포함하고,q는 이고,z는 전체적인 계면활성제가전기적대전되지선택되는정수이고,z는 반대-이온임). [청구항 16] 제 13 항에 있어서,폴리아민(b3) 이 하기 일반 화학식갖는용도:(b-iii)(식 중,r21은 h 또는 c1 내지 c24 알킬 또는 알케닐이고,r20은 h, c1 내지 c24 알킬 또는 h-(o(ch2)k)l-기이고,i는 2 또는 3 이고,j는 3 내지 7 의 정수이고,k는 1 내지 3 의 정수이고,l은 1 내지 5 의 정수임). [청구항 17] 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,소수성화제b 가 표면의 제타 전위를 좀더 양성 전위를 향해 적어도 10 mv, 바람직하게는 +18 내지 +150 mv 의 값이동시키는용도. [청구항 22] 제 18 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서,기판이 하기 단계를 포함하는 포토리소그래픽 공정에 의해 제공되는 방법:(i) 기판에 액침 포토레지스트, euv 포토레지스트 또는 ebeam 포토레지스트 층을 제공하는 단계;(ii) 포토레지스트 층을 액침 용액의 존재 또는 부재 하에 마스크를 통하여 화학 방사선에 노광시키는 단계;(iii) 노광된 포토레지스트 층을 현상제 용액으로 현상시켜 선-공간 치수 32 ㎚ 이하 및 종횡비 2 초과를 갖는 패턴을 수득하는 단계;(iv) 화학적 린스 용액을 현상된 패턴화된 포토레지스트 층에 적용하는 단계; 및(v) 화학적 린스 용액의 적용 후에 반도체 기판을 회전 건조시키는 단계;이때, 액침 용액, 현상제 용액 또는 화학적 린스 용액 중 하나 이상은 제 1 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 정의된 바와 같은 하나 이상의 계면활성제 a 및 하나 이상의 소수성화제포함하는수성 용액임.