기판 처리 장치

[청구항1] 내부 공간을 가지는 챔버 상기 챔버 내부에 배치되고 타겟을 지지하는 타겟 지지대 상기 타겟 지지대와 대향 배치되고 기판을 지지하는 기판 지지대 상기 타겟 지지대와 상기 기판 지지대 사이에 전계를 형성하는 전계 생성기; 및 상기 타겟 지지대의 근방에 설치되고, 자성 코어에 의하여 형성되는 자기장에 의하여 전기장을 유도하는 유도 전기장 발생기를 포함하는 기판 처리 장치 [청구항2] 청구항 1에 있어서,상기 유도 전기장 발생기는 상기 챔버와 연통되는 유도관, 상기 유도관을 둘러싸는 자성코어 및 상기 자성코어에 권취되는 와이어포함하는기판 처리 장치. [청구항3] 청구항 2에 있어서,상기 유도관은 챔버와 연통되는 양단부 및 상기 챔버 외부에서 상기 양단부를 연결하는 연결관을 구비하고,상기 자성코어는 상기 양단부의 근방에서 상기 연결관을 가로지르는 방향으로 각각 둘러싸도록 복수개 구비되고,상기 와이어는 상기 각 자성코어에 권취되는기판 처리 장치. [청구항4] 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,상기 유도관은 상기 챔버에서 외측방향으로 연장되는 한쌍의 제1 연결관과 상기 한쌍의 제1 연결관을 연결하는 제2 연결관포함하는기판 처리 장치. [청구항5] 청구항 4에 있어서,상기 제2 연결관은 상기 타겟을 가로지는 방향 및 상기 타겟과 나란한 방향 중 적어도 일방향형성되는기판 처리 장치. [청구항6] 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,상기 유도관은 상기 타겟과 나란한 방향으로 복수개구비되는기판 처리 장치. [청구항7] 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,상기 유도관은 상기 타겟을 가로지며, 상기 타겟과 나란한 방향으로 이격되어 복수개구비되는기판 처리 장치. [청구항8] 청구항 3에 있어서,상기 와이어는 상기 각 자성코어에 반대 방향으로 각각 권취되는기판 처리 장치. [청구항9] 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,상기 자기장에 의하여 유도되는 전기장은 환형 전기장을 포함하며, 상기 환형 전기장배치되는기판 처리 장치. [청구항10] 내부 공간을 가지는 챔버 상기 챔버 내부에 배치되고 기판을 지지하는 기판 지지대 상기 기판 지지대와 대향 배치되고 기판을 향해 원료를 공급하는 원료 공급원 상기 기판 지지대와 상기 원료 공급원 사이에 제1 플라즈마 를 형성하는 제1 플라즈마 생성부; 및 상기 원료 공급원 주위에 환형의 제2 플라즈마 형성하는 제2 플라즈마 생성부를 포함하는 기판 처리 장치 [청구항11] 청구항 10에 있어서,상기 제1 플라즈마 생성부는 상기 원료 공급원에 연결되는 dc 전원 생성기를 포함하고, 상기 제2 플라즈마 생성부는 상기 챔버와 연통되는 유도관, 상기 유도관을 둘러싸는 자성코어, 상기 자성코어에 권취되는 와이어 및 상기 와이어와 연결되는 rf 전원 생성기포함하는기판 처리 장치. [청구항12] 청구항 11에 있어서,상기rf 전원 생성기는 1 내지 500khz 범위의 주파수를 가지는 전원사용하는기판 처리 장치. [청구항13] 청구항 10 내지 청구항 12 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 플라즈마와 상기 제2 플라즈마는 서로 연결되거나,적어도일부중첩되도록형성되는기판 처리 장치. [청구항14] 청구항 10 내지 청구항 12 중 어느 한 항에 있어서,상기 원료 공급원은 타겟이 장착되는 타겟 지지대를 포함하고, 상기 제2 플라즈마의 적어도 일부는 상기 타겟을 가로지르는 방향형성되는기판 처리 장치.