자속 가이드 구조체를 갖는 자기 메모리 장치

[청구항 1] 반도체기판 상에 배치된 하부 전극 상기 하부 전극 상에 배치된 자기터널접합 패턴 상기 자기터널접합 패턴에 접속하는 비트라인; 및 상기 자기터널접합 패턴의 적어도 한 측벽에 배치되는 자속 가이드막(magnetic flux guide layer)을 구비하는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 장치 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 자속 가이드막은 강자성을 갖는절연성물질들중적어도하나인것을특징으로 하는자기 메모리 장치. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,상기 자속 가이드막은 ni-zn 페라이트들 및 mn-zn페라이트들중적어도하나인것을특징으로 하는자기 메모리 장치. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 자속 가이드막은10옹스트롬내지200옹스트롬의두께형성되는것을특징으로 하는자기 메모리 장치. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 자기터널접합 패턴과 상기 자속 가이드막 사이에 배치되는 측벽 절연막더 구비하는자기 메모리 장치. [청구항 6] 제 5 항에 있어서,상기 측벽 절연막은 알루미늄 산화막, 티타늄 산화막, 탄탈륨 산화막, 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산화질화막,하프늄 산화막및마그네슘산화막중의적어도하나포함하는것을특징으로 하는자기 메모리 장치. [청구항 7] 제 5 항에 있어서,상기 측벽 절연막nan은5옹스트롬내지300옹스트롬의두께갖는것을특징으로 하는자기 메모리 장치. [청구항 8] 제 5 항에 있어서,상기 자속 가이드막은 강자성을 갖는 도전성 물질들 및 산화물 또는 질화물로 이루어진절연성강자성막들중적어도하나인것을특징으로 하는자기 메모리 장치. [청구항 9] 제 8 항에 있어서,상기 자속 가이드막은 철(fe), 코발트(co), 니켈(ni), 구리(cu), 마그네슘(mg), 가돌리늄(gd), 디스프로슘(dy), 크롬(cr), 유로피움(eu), 이트륨(y) 및 이들의 화합물 및 이들의 산화물 또는 질화물로 이루어진절연성강자성막들중의적어도하나포함하는것을특징으로 하는자기 메모리 장치. [청구항 10] 제 1 항에 있어서,상기 자기터널접합 패턴은 차례로 적층된 고정막, 피고정막, 터널 절연막 및 자유막을 포함하되, 상기 고정막은 반강자성막(anti-ferromagnetic layer)들 중의 적어도 한가지이고, 상기 피고정막은 강자성막들 중의 적어도 한가지이고,상기 터널 절연막은 마그네슘 산화막 및 알루미늄 산화막 중의 한가지이고, 상기 자유막은강자성막들중가지인것을특징으로 하는자기 메모리 장치. [청구항 11] 제 10 항에 있어서,상기 고정막은 ptmn, irmn, mno, mns, mnte, mnf2, fef2, fecl2, feo, cocl2, coo, nicl2, nio 및 cr 중에서 선택된 적어도 한가지이고, 상기 피고정막은 철(fe), 코발트(co), 니켈(ni), 구리(cu), 마그네슘(mg), 가돌리늄(gd), 디스프로슘(dy), 크롬(cr), 유로피움(eu), 이트륨(y), 루세늄 및 이들의 화합물 중에서 선택된 적어도 한가지이고, 상기 자유막은 철(fe), 코발트(co), 니켈(ni), 구리(cu), 마그네슘(mg), 가돌리늄(gd), 디스프로슘(dy), 크롬(cr), 유로피움(eu), 이트륨(y) 및 이들의 화합물 중에서 선택된가지인것을특징으로 하는자기 메모리 장치. [청구항 12] 제 1 항에 있어서,상기 고정막및 피고정막은 상기 하부 전극에 정렬됨으로써, 상기 하부 전극과 실질적으로 같은 면적을 갖고, 상기 터널 절연막 및 상기 자유막은상기하부 전극의중앙상부배치되는것을특징으로 하는자기 메모리 장치. [청구항 13] 제 12 항에 있어서,상기 자속 가이드막은 상기 터널 절연막 및 상기 자유막의 측벽에 배치되어, 상기 피고정막의상부면노출시키는것을특징으로 하는자기 메모리 장치. [청구항 14] 제 1 항에 있어서,상기 자속 가이드막은 상기 자기터널접합 패턴의 상부면에 실질적으로 수직한자화방향갖는것을특징으로 하는자기 메모리 장치. [청구항 15] 제 1 항에 있어서,상기 자속 가이드막은 상기 자기터널접합 패턴의 상부면에 실질적으로 평행한자화방향갖는것을특징으로 하는자기 메모리 장치. [청구항 16] 제 1 항에 있어서,상기 자속 가이드막은 상기 자기터널접합 패턴의 측벽으로부터 연장되어상기하부 전극의측벽덮는것을특징으로 하는자기 메모리 장치. [청구항 17] 제 1 항에 있어서,상기 자기터널접합 패턴의 평면적 모양은 짧은 측벽들 및 이들을 연결하는 긴 측벽들을 갖는 직사각형이되, 상기 자속 가이드막은 상기 자기터널접합 패턴의 짧은 측벽에 인접하게배치되는것을특징으로 하는자기 메모리 장치. [청구항 18] 제 17 항에 있어서,상기 자속 가이드막은 상기 자기터널접합 패턴의 측벽을 둘러싸도록, 상기 자기터널접합 패턴의 짧은 측벽으로부터 연장되어 상기 자기터널접합 패턴의 긴측벽덮는것을특징으로 하는자기 메모리 장치.