에피택셜 성장장치

[청구항 1] 기판을 재치(載置)하는 기판 재치부, 광 투과성을 갖는 천정판, 및 측벽부로 구획 형성되는 반응 챔버와, 상기 반응 챔버 외부에 설치되며, 상기 반응 챔버 내에 재치된 기판을 상기 천정판을 통해 가열하는 가열 수단과, 상기 반응 챔버 내에 기판의 수평 방향에 대해 평행하게 반응 가스를 도입하는 반응 가스 도입 수단을 구비하며, 상기 천정판의 중심과 상기 기판 재치부에 재치된 기판간의 거리가, 10㎜ 미만이 되도록 구성된 것을 특징으로 하는 에피택셜 성장장치 [청구항 2] 제 1항에 있어서,상기 천정판은, 상면에서 볼 때 관통 구멍이 형성된 링형상의 지지부에 고정되고, 상기 지지부의 관통 구멍은, 상기 기판측을 향해 그 지름이 서서히 작아지며, 상기 기판측의 단부(端部)에상기천정판고정되어있는것을특징으로 하는에피택셜 성장장치. [청구항 3] 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 측벽부에는, 상기 반응 챔버 내에 반응 가스를 공급하는 공급로(供給路)가 형성되고, 상기 공급로는, 상기 반응 가스 도입 수단으로부터 도입된 반응 가스가 충돌하는 벽부를 가지며, 상기 벽부의 적어도 양단부에는, 반응 가스의 흐름 방향을 따른 정류(整流)홈형성되어있는것을특징으로 하는에피택셜 성장장치. [청구항 4] 제 3항에 있어서,상기 정류 홈은, 상기 공급로에 대해 상기 벽부와는 반대 측의 면에서 대향하는 정류판의 길이방향으로 일렬로 정렬 형성된 구멍부에 대하여, 각각 대향하도록형성되어있는것을특징으로 하는에피택셜 성장장치. [청구항 5] 제 4항에 있어서,상기 정류판은, 정렬 형성된 구멍부가 복수의 영역마다 형성되어 있으며, 상기 영역 중, 양단에 위치하는 영역의 구멍부에 대응하여상기정류홈형성되어있는것을특징으로 하는에피택셜 성장장치. [청구항 6] 제 3항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 정류 홈은, 홈의 중심이 원환(圓環)형상의측벽부의중심형성되어있는것을특징으로 하는에피택셜 성장장치. [청구항 7] 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판 재치부의 외주에는, 서셉터 링(susceptor ring)이 설치되고,서셉터 링은, 서셉터의 외주에 이격(離隔)하여 설치되는 제 1 링부와, 상기 제 1 링부의 내주 측에 설치되며, 개방된 오목부에 설치되는제2링부로이루어지는것을특징으로 하는에피택셜 성장장치. [청구항 8] 제 7항에 있어서,상기 제 2 링부는, 상기 서셉터와 상기 제 1 링부간의 이격부를 향해설치되어있는것을특징으로 하는에피택셜 성장장치. [청구항 9] 제 8항에 있어서,상기 제 2 링부는, 상기 서셉터와상기제1링부간의이격부설치되어있는것을특징으로 하는에피택셜 성장장치.