헤테로다이아몬드형을 포함하는 전계 방출 소자

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 헤테로다이아몬드형nan은헤테로다이아몬드형함유물질일부분인것을특징으로 하는전계 방출 소자. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 헤테로다이아몬드형은 유도체화된헤테로다이아몬드형포함하는것을특징으로 하는전계 방출 소자. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 헤테로다이아몬드형은 비유도체화된헤테로다이아몬드형포함하는것을특징으로 하는전계 방출 소자. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 헤테로다이아몬드형nan은헤테로원자함유저급다이아몬드형포함하는것을특징으로 하는전계 방출 소자. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 헤테로다이아몬드형nan은헤테로원자함유고급다이아몬드형포함하는것을특징으로 하는전계 방출 소자. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 헤테로원자 함유 고급 다이아몬드형은 테트라만탄, 펜타만탄, 헥사만탄, 헵타만탄, 옥타만탄, 노나만탄, 데카만탄, 및 운데카만탄으로 이루어진 그룹에서 선택된다이아몬드형합성되는것을특징으로 하는전계 방출 소자. [청구항 8] 제2항에 있어서,상기 헤테로다이아몬드형 함유 물질은필름인것을특징으로 하는전계 방출 소자. [청구항 9] 제2항에 있어서,상기 헤테로다이아몬드형 함유 물질은파이버인것을특징으로 하는전계 방출 소자. [청구항 10] 제2항에 있어서,상기 헤테로다이아몬드형 함유 물질은 헤테로다이아몬드형 함유 중합체, 헤테로다이아몬드형 함유 cvd 필름, 및 헤테로다이아몬드형 함유 분자 결정으로 이루어진그룹선택되는것을특징으로 하는전계 방출 소자. [청구항 11] 제10항에 있어서,상기 음극의 헤테로다이아몬드형 함량은 헤테로다이아몬드형 함유 중합체 중량 기준으로 약1내지범위인것을특징으로 하는전계 방출 소자. [청구항 12] 제10항에 있어서,상기 음극의 헤테로다이아몬드형 함량은 헤테로다이아몬드형 함유 cvd 필름 중량 기준으로 약1내지범위인것을특징으로 하는전계 방출 소자. [청구항 13] 제10항에 있어서,상기 음극의 헤테로다이아몬드형 함량은 헤테로다이아몬드형 함유 분자 결정 중량 기준으로 약1내지범위인것을특징으로 하는전계 방출 소자. [청구항 14] 제11항에 있어서,상기 음극의 전자 친화도는네거티브인것을특징으로 하는전계 방출 소자. [청구항 15] 제12항에 있어서,상기 음극의 전자 친화도는네거티브인것을특징으로 하는전계 방출 소자. [청구항 16] 제13항에 있어서,상기 음극의 전자 친화도는네거티브인것을특징으로 하는전계 방출 소자. [청구항 17] 제11항에 있어서,상기 음극의 전자 친화도는 약 3.0ev미만인것을특징으로 하는전계 방출 소자. [청구항 18] 제12항에 있어서,상기 음극의 전자 친화도는 약 3.0ev미만인것을특징으로 하는전계 방출 소자. [청구항 19] 제13항에 있어서,상기 음극의 전자 친화도는 약 3.0ev미만인것을특징으로 하는전계 방출 소자. [청구항 20] 제2항에 있어서,음극의 근처에 위치한 양극와 양극와 음극사이의 전위차를 제공할 수 있는동력원을추가함유하는것을특징으로 하는전계 방출 소자. [청구항 21] 제20항에 있어서,양극와 음극사이에 제공되는전위차미만인것을특징으로 하는전계 방출 소자. [청구항 22] 제2항에 있어서,상기 헤테로다이아몬드형 함유 물질의 표면은 실질적으로 sp3-혼성화된탄소 원자포함하는것을특징으로 하는전계 방출 소자. [청구항 23] 제3항에 있어서,상기 헤테로다이아몬드형 함유 물질의 표면은 유도체화되어 그 표면이 sp2 및 sp3-혼성화된탄소포함하는것을특징으로 하는전계 방출 소자.