회전자석배열및고정전자석을갖는스퍼터링장치

[청구항2] 제1항에 있어서,작동시 상기 회전자석 수단은 자석 배열의 중심선에서 벗어나 있는 타겟에 순간적으로 부식 패턴을 일으키면서 미리 선택된 곡선상에 홈의 실질적인 부분이 놓이는홈만드는것을특징으로 하는마그네트론 소스. 제 1 항에 있어서,작동시 상기 회전 자석 수단은 자석 배열의 중심선에서 벗어나 있는 타겟에 순간적으로 부식 패턴을 일으키면서 실제로 대부분의 홈이 미리 선택된 곡선상에 놓이게 되는 홈만드는마그네트론 소스. [청구항3] 제2항에 있어서,평면이고, 상기 미리 선택된 곡선은 (u)를 미리 선택된 부식 프로필로 하면 방정식.에 의해규정되는것을특징으로 하는마그네트론 소스. 제 2 항에 있어서,평면이고, 상기 미리 선택된 곡선은 ξ(u)가 미리 선택된 부식 프로필일 때, 방정식에 의해정해지는마그네트론 소스. [청구항4] 제1항에 있어서,상기 회전자석 수단은 대략적인하트형곡선형성하는것을특징으로 하는마그네트론 소스. 제 1 항에 있어서,상기 회전 자석 수단은 대략적인 하트형 곡선형성하는마그네트론 소스. [청구항5] 제2항에 있어서,상기 회전자석 수단은 대략적인하트형곡선형성하는것을특징으로 하는마그네트론 소스. 제 2 항에 있어서,상기 회전 자석 수단은 대략적인 파트형 곡선형성하는마그네트론 소스. [청구항6] 제 3 항에 있어서,상기 회전 자석 수단은 대략적인 하트형 곡선형성하는마그네트론 소스. 제3항에 있어서,상기 회전자석 수단은 대략적인하트형곡선형성하는것을특징으로 하는마그네트론 소스. [청구항7] 제 1 항에 있어서,상기 회전 자석 수단은 곡선상에 배치된 개별 영구 자석의 배열구성되는마그네트론 소스. 제1항에 있어서,상기 회전자석 수단은 곡선상에 배치된개별영구자석의배열구성되는것을특징으로 하는마그네트론 소스. [청구항8] 제 4 항에 있어서,상기 하트형 곡선은비대칭인마그네트론 소스. 제4항에 있어서,상기 하트형 곡선은비대칭인것을특징으로 하는마그네트론 소스. [청구항9] 제 6 항에 있어서,상기 자석 수단의 회전축에서 가장 멀리 떨어져 있는 하트형 곡선의 일 부분이 원호형성하는마그네트론 소스. 제6항에 있어서,자석 수단의 회전축에서 가장 멀리 떨어져 있는 하트형 곡선의 한 부분은원호형성하는것을특징으로 하는마그네트론 소스. [청구항10] 제 1 항에 있어서,조정가능한 강도의 자장을 발생하기 위한 상기 전자석 수단은 회전 자석 수단을 통과하는 루프를 만드는 자장 라인을 제공하고, 상기 회전 자석 수단에서부터 방출하여 타겟을 통과하는 루프를 만드는 자장 강도 라인을 변경하고, 또한 타겟의 직경 보다 적은 직경을 갖는 제 1 평면 코일포함하는마그네트론 소스. 제1항에 있어서,조정가능한 강도의 자장을 발생하기 위한 상기 전자석 수단은 회전자석 수단을 통과하는 루프를 만드는 자장 라인을 제공하고, 상기 회전자석 수단에서부터 방출하여 타겟을 통과하는 루프를 만드는 자장 강도 라인을 변경하고, 또한 타겟의 직경보다 적은 직경을 갖는제1평면코일포함하는것을특징으로 하는마그네트론 소스. [청구항11] 제10항에 있어서,상기 전자석 수단은 제1평면 코일의 직경보다 적은 직경을 갖는제2평면코일포함하는것을특징으로 하는마그네트론 소스. 제 10 항에 있어서,상기 전자석 수단은 제 1 평면 코일의 직경 보다 적은 직경을 갖는 제 2 평면 코일포함하는마그네트론 소스. [청구항12] 제11항에 있어서,상기 제2평면 코일nan은제1평면코일과동일평면상있는것을특징으로 하는마그네트론 소스. 제 11 항에 있어서,상기 제 2 평면 코일은 제 1 평면 코일과 동일 평면상있는마그네트론 소스. [청구항13] 제10항에 있어서,조정가능한 강도의 자장을 발생하기 위한 상기 전자석 수단은 저 자기저항 채널을 포함하여 자장을 상기 채널의 개방측에 가까운영역한정하는것을특징으로 하는마그네트론 소스. 제 10 항에 있어서,조정가능한 강도의 자장을 발생하기 위한 상기 전자석 수단은 낮은 자기저항 채널을 포함하여 자장을 상기 채널의 개방측에 가까운 영역한정하는마그네트론 소스. [청구항14] 제13항에 있어서,조정가능한 강도의 자장을 발생하기 위한 상기 전자석 수단은 타겟의 표면을 통과하는 루프를 만드는 자장을 발생시키고, 상기 채널은제1철재료지는것을특징으로 하는마그네트론 소스. 제 13 항에 있어서,조정가능한 강도의 자장을 발생하기 위한 상기 전자석 수단은 타겟의 표면을 통과하는 루프를 만드는 자장을 발생시키고, 상기 채널은 제 1 철 재료지는마그네트론 소스. [청구항15] 제1항에 있어서,상기 스퍼터타겟은 비평면의 회전면을 만들고, 상기 곡선은 (r)를 미리 선택된 부식 프로필로 하고 z(r)을 회전면으로 정의하고 c를 선택 상수로 하면 다음 방정식,에 의해규정되는것을특징으로 하는마그네트론 소스. 제 1 항에 있어서,상기 스퍼터타겟은 비평면의 회전면을 형성하며, 상기 곡선은 ξ(r)이 미리 선택된 부식 프로필이고 z(r)이 회전면을 정의하고 c 가 선택 상수라고 하면 다음 방정식,에 의해정해지는마그네트론 소스. [청구항17] 제16항에 있어서,상기 원호상에 놓인 중심선의 한 부분은 중심선의 길이전체의최소한차지하는것을특징으로 하는마그네트론 스퍼터링 소스. 제 16 항에 있어서,상기 원호상에 놓인 중심선의 일 부분은 중심선의 길이 전체의 최소한 25% 를차지하는마그네트론 스퍼터링 소스. [청구항18] 제16항에 있어서,상기 자석 수단의 중심선은 폐쇄 루프의 내부에 관하여 볼록한 형상을 갖는 적어도 하나의 부분과, 폐쇄 르프의 내부에 관하여 오목한 형상을 갖는적어도2개의부분구비하는것을특징으로 하는마그네트론 스퍼터링 소스. 제 16 항에 있어서,상기 자석 수단의 중심선은 폐쇄 루프의 내부에 관하여 볼록한 형상을 갖는 적어도 하나의 부분과, 폐쇄 루프의 내부에 관하여 오목한 형상을 갖는 적어도 2 개의 부분구비하는마그네트론 스퍼터링 소스. [청구항19] 제10항에 있어서,가변 강도의 자장을 발생하기 위한 전자석 수단의 평면 코일은 이동 자장을 발생하기위한 회전수단의 회전축과 실제로 정렬되는하나의중심갖는것을특징으로 하는마그네트론 스퍼터링 소스. 제 10 항에 있어서,가변 강도의 자장을 발생하기 위한 전자석 수단의 평면 코일은 이동 자장을 발생하기 위한 회전 수단의 회전축과 실제로 정렬되는 하나의 중심갖는마그네트론 스퍼터링 소스. [청구항21] 제 20 항에 있어서,상기 스퍼터타겟은 비평면의 회전면을 형성하고, 상기 곡선은 ξ(r)이 미리 선택된 부식 프로필이고, z(r)이 회전면을 정의하고, c 가 선택 상수라고 하면 방정식,에 의해정해지는마그네트론 스퍼터링 소스. 제20항에 있어서,상기 스퍼터타겟은 비평면의 회전면을 규정하고, 상기 곡선은 (r)를 미리 선택된 부식 프로필로 하고, z(r)을 회전면으로 정의하고, c를 선택 상수라고 하면 방정식.에 의해규정되는것을특징으로 하는마그네트론 스퍼터링 소스.