고유스위치 온 특성을 가진 다이리스터 및 그를 응용한 양방향성장치

[청구항 2] 제1항에 있어서,회로망으로 구성된 교류전압을 사용함에 있어서 다이리스터를 구성하는 두 개의 트랜지스터의 동적 이득의 합에 10㎂/㎠ 크기의 중앙영역에서의 변위전류에 대해 1보다 크게되도록 이미터와 베이스구성하여서 된다이리스터. [청구항 3] 제1항 또는 제2항에 있어서,의 저지전압이 있는 장치에 있어서 주베이스영역을 1414개원자/㎤의 농도에 상응하는 도우핑과 120μ의 두께가 되도록 하고 저지베이스영역을 1018개원자/㎤의 표면농도와 20μ의 두께가 되도록 하며, 1차 이미터영역의 확산깊이를 10μ되게하고 이 확산의 표면농도를 1020개원자되게하는반면 주베이스영역의 소수운반체의 수명을 25μs가 되게 한 다이리스터. [청구항 4] 제1항에서부터 제3항까지중 어느 한가지에 있어서,1차 이미터영역을 음극접점에 의해 함께 전기적으로 접속된 몇 개의 부분으로 배분하고 1차 베이스영역의 세분된 부분은 물론 1차 이미터영역의 세분된부분연결하여상응하는이미터-베이스 접점의 겉보기 분로저항이 표면적 1㎠당 수백분의 1오옴이 되도록 한 다이리스터. [청구항 6] 제4항 또는 제5항에 있어서,1차 베이스영역에 있는 최소한 하나의 부분의 주입에 의해 저지게이트를 구성하고 저지접점설정을 위해 1차 이미터영역과 1차 베이스영역 일부를 제거한 리세스영역에서 1차 베이스영역의 일부가 접근가능하도록한 다이리스터. [청구항 7] 제4항, 제5항 또는 제6항중 어느 한가지에 있어서,공통의 중앙부가 있는 나선부분형태로 저지게이트구성하여서 된다이리스터. [청구항 8] 제4항, 제5항 또는 제6항중 어느 한가지에 있어서,공통의 중앙부로부터 방사상으로 배치된 폭이 좁은 원형부형태로 저지게이트구성하여서 된다이리스터. [청구항 9] 제1항에서부터 제5항까지중 어느 한가지에 있어서,1차 이미터영역과 1차 베이스영역 사이의 접점의 높이에 위치한 접점에 의해 1차 베이스영역의 각 부분구성하여 된다이리스터. [청구항 10] 제2항 또는 제3항에 있어서,1차 이미터영역을 포함한 동일 평면내에 1차 이미터영역과 1차 베이스 영역구성하여서 된다이리스터. [청구항 11] 제1항에서부터 제10항까지 중 어느 한 가지에 있어서,베이스로부터 바이어스된 게이트가 있는 mos 전계효과 트랜지스터와 직렬로 접속된 정류기회로 및 광신호에 의해 활성화될 때 게이트를 회로단락시키는 광트랜지스터에 의해 스위치수단구성하여 된다이리스터. [청구항 12] 제1항 내지 제11항의 어느 한가지에 있어서,1차 양극을 2차 음극에 접속시키고 그 역으로도 접속시킨 머리와 꼬리부분이 연결된 두 개의 다이리스터에 의해 구성된 것으로서 다이리스터응용하여서 된자체작동성의 양방향성장치. [청구항 13] 제12항에 있어서,2개의 다이리스터중 하나의 다이리스터의 1차 이미터영역 각각을 표면유리보호막 처리에 의해 안정화된 길쭉한 홈으로 다른 다이리스터의 2차 이미터영역 각각과 격리된장치.