하프톤형 위상반전 블랭크 마스크 및 그의 제조 방법

[청구항 1] 투명기판상에 위상반전막, 차광막, 반사방지막, 레지스트막이 형성된 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크에 있어서, 상기 블랭크 마스크는 500nm 이하의 노광파장에서 0.1%~90%의 투과율을 가지며, 180±20°의 위상반전을 갖고, 상기 위상반전막의 조성은, 탄탈(ta)이 1~90 at%, 저마늄(ge)이 1~50 at%, 산소(o)가 0~60 at%, 질소(n)가 0~60 at%, 탄소(c)가 0~60 at%인 것을 특징으로 하는 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크(halftone phase shift blank mask) [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 위상반전막은, dc 스퍼터(sputter), rf 스퍼터, 이온빔 증착, 원자층 증착 방법 중 하나의 방법으로 형성되고, 상기 위상반전막의 구조가 1층 이상의 구조가지는하프톤형 위상반전 블랭크 마스크. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 반사방지막과 레지스트막 형성시, 상기 반사방지막 위에 실리콘(si)을 포함하는 유기물질로표면처리하는것을특징으로 하는하프톤형 위상반전 블랭크 마스크. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 실리콘을 포함하는 유기물질은에이치엠디에스인것을특징으로 하는하프톤형 위상반전 블랭크 마스크. [청구항 5] 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 위상반전막을 스퍼터링 방식으로 형성하고, 스퍼터링에 사용되는 스퍼터 타겟은 탄탈을 기본물질로 하고 저마늄을 첨가하여 만들어진단일사용하는것을특징으로 하는하프톤형 위상반전 블랭크 마스크. [청구항 6] 제5항에 있어서,상기 탄탈이 1~80 at%이고,저마늄인것을특징으로 하는하프톤형 위상반전 블랭크 마스크. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 위상반전막 형성시, 이온빔 스퍼터(ion beam sputter)를 사용하여 형성하고, 사용되는 타겟으로는 탄탈, 저마늄, 또는 탄탈에 저마늄을 첨가한 단일 타겟인 것특징으로 하는하프톤형 위상반전 블랭크 마스크. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 위상반전막의 중심선 평균조도(nmra)가 0.1내지이하인것을특징으로 하는하프톤형 위상반전 블랭크 마스크. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 위상반전막이, 23~100℃의 황산(h2so4) 1갤론(gal)에 120분 동안 담갔을 때 투과율 변화가 5% 이하,위상반전량의변화이하인것을특징으로 하는하프톤형 위상반전 블랭크 마스크. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 위상반전막이, 23~100℃의 ceric ammonium nitrate(ce(nh4)2(no3)6) 1갤론에 120분 동안 담갔을 때 투과율 변화가 5% 이하,위상반전량의변화이하인것을특징으로 하는하프톤형 위상반전 블랭크 마스크. [청구항 11] 제1항에 있어서,상기 위상반전막이, 23~100℃의 nh4oh:h2o2:di water=1:1:3~5 vol% 비율로 혼합된 apm(ammonium peroxide mixture) 1갤론에 120분 동안 담갔을 때, 투과율 변화가 5% 이하,위상반전량의변화이하인것을특징으로 하는하프톤형 위상반전 블랭크 마스크.