ＬＥＤ 광원용 광학 접합 조성물

[청구항 2] 제1항에 있어서,20 이상의nan정수인led 광원. [청구항 5] 제1항에 있어서,접합층은 적어도 약 5 중량%의 실세스퀴옥산 부분포함하는led 광원. [청구항 6] 제1항에 있어서,접합층은 적어도 약 20 중량%의 실세스퀴옥산 부분포함하는led 광원. [청구항 7] 제1항에 있어서,접합층은 적어도 약 40 중량%의 실세스퀴옥산 부분포함하는led 광원. [청구항 8] 제1항에 있어서,비결정성 유기폴리실록산 네트워크는 본질적으로 d-유닛으로부터 유도되고, d-유닛포함하는led 광원. [청구항 10] 제8항에 있어서,메틸또는페닐인led 광원. [청구항 11] 제1항에 있어서,접합층은 표면 개질된 금속 산화물 나노입자를 추가포함하는led 광원. [청구항 12] 제11항에 있어서,표면 개질된 금속 산화물 나노입자는 산화지르코늄, 산화티타늄, 산화아연, 산화탄탈륨, 산화니오븀, 산화란타늄, 산화스트론튬, 산화이트륨, 산화하프늄, 산화주석, 산화안티몬 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 산화물 나노입자포함하는led 광원. [청구항 13] 제11항에 있어서,표면 개질된 금속 산화물 나노입자는 산화규소, 산화알루미늄, 산화지르코늄, 산화티타늄, 산화아연, 산화탄탈륨, 산화니오븀, 산화란타늄, 산화스트론튬, 산화이트륨, 산화하프늄, 산화주석, 산화안티몬 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 2개의 금속 산화물의 혼합 금속 산화물 나노입자포함하는led 광원. [청구항 14] 제13항에 있어서,혼합 금속 산화물 나노입자는 산화규소 및 산화지르코늄포함하는led 광원. [청구항 15] 제13항에 있어서,혼합 금속 산화물 나노입자는 산화규소 및 산화티타늄포함하는led 광원. [청구항 16] 제13항에 있어서,혼합 금속 산화물 나노입자는 산화규소, 산화지르코늄 및 산화티타늄포함하는led 광원. [청구항 17] 제11항에 있어서,표면 개질된 금속 산화물 나노입자는 약 1.8 초과의 굴절률을 갖는 결정성 산화지르코늄 나노입자포함하는led 광원. [청구항 18] 제11항에 있어서,표면 개질된 금속 산화물 나노입자는 약 2.0 초과의 굴절률을 갖는 결정성 산화티타늄 나노입자포함하는led 광원. [청구항 19] 제11항에 있어서,표면 개질된 금속 산화물 나노입자는 표면 개질제로 표면 개질되며, 표면 개질제는 카르복실산, 포스폰산, 알콕시실란, 또는 이들의 조합이나 혼합물포함하는led 광원. [청구항 20] 제19항에 있어서,카르복실산은 폴리에틸렌글리콜 카르복실산포함하는led 광원. [청구항 21] 제11항에 있어서,접합층은 약 40 내지 약 95 중량%의 표면 개질된 금속 산화물 나노입자포함하는led 광원. [청구항 22] 제1항에 있어서,다이는 1.9 초과의 굴절률을 갖는 발광층을 포함하며, 접합층은 약 50 ㎚ 내지 약 100 ㎛의 두께갖는led 광원. [청구항 23] 제1항에 있어서,다이는 1.9 이하의 굴절률을 갖는 발광층을 포함하며, 접합층은 약 5 ㎚ 초과 내지 약 300 ㎚의 두께갖는led 광원. [청구항 24] 제1항에 있어서,다이는 발광 표면을 포함하고, 광학 요소는 광 입사 표면을 포함하며, 접합층은 발광 표면과 광 입사 표면함께 접합시키는led 광원. [청구항 25] 제1항에 있어서,광학 요소는 약 2.0 이상의 굴절률갖는led 광원. [청구항 26] 제1항에 있어서,광학 요소는 약 1.7 이상의 굴절률을 갖는 광학 유리포함하는led 광원. [청구항 27] 제1항에 있어서,광학 요소는 발산 또는 수렴 추출기포함하는led 광원. [청구항 31] 제30항에 있어서,표면 개질된 금속 산화물 나노입자는 약 1.8 초과의 굴절률을 갖는 결정성 산화지르코늄 나노입자포함하는led 광원. [청구항 33] 제32항에 있어서,표면 개질된 금속 산화물 나노입자는 산화지르코늄, 산화티타늄, 산화아연, 산화탄탈륨, 산화니오븀, 산화란타늄, 산화스트론튬, 산화이트륨, 산화하프늄, 산화주석, 산화안티몬 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 산화물 나노입자포함하는광학 접합 조성물. [청구항 34] 제32항에 있어서,표면 개질된 금속 산화물 나노입자는 산화규소, 산화알루미늄, 산화지르코늄, 산화티타늄, 산화아연, 산화탄탈륨, 산화니오븀, 산화란타늄, 산화스트론튬, 산화이트륨, 산화하프늄, 산화주석, 산화안티몬 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 2개의 금속 산화물의 혼합 금속 산화물 나노입자포함하는광학 접합 조성물. [청구항 35] 제32항에 있어서,표면 개질된 금속 산화물 나노입자는 약 1.8 초과의 굴절률을 갖는 결정성 산화지르코늄 나노입자포함하는광학 접합 조성물. [청구항 36] 제35항에 있어서,표면 개질된 금속 산화물 나노입자는 중량 기준으로 유기폴리실록산 전구체 소스의 절반보다 많은 양존재하는광학 접합 조성물. [청구항 37] 제32항에 있어서,산을 추가로포함하는광학 접합 조성물. [청구항 39] 제38항에 있어서,봉지재는 약 1.6 초과의 굴절률갖는led 광원. [청구항 41] 제38항에 있어서,표면 개질된 금속 산화물 나노입자는 약 1.8 초과의 굴절률을 갖는 결정성 산화지르코늄 나노입자포함하는led 광원. [청구항 42] 제38항에 있어서,표면 개질된 금속 산화물 나노입자는 표면 개질제로 표면 개질되고, 표면 개질제는 폴리에틸렌글리콜 카르복실산포함하는led 광원. [청구항 44] 제43항에 있어서,봉지재는 표면 개질된 금속 산화물 나노입자를 포함하고, 표면 개질된 금속 산화물 나노입자는 약 1.8 초과의 굴절률을 갖는 결정성 산화지르코늄 나노입자포함하는led 광원. [청구항 45] 제43항에 있어서,비결정성 유기폴리실록산 네트워크는 본질적으로 d-유닛으로부터 유도되고, d-유닛포함하는led 광원. [청구항 46] 제45항에 있어서,봉지재는 표면 개질된 금속 산화물 나노입자를 포함하고, 표면 개질된 금속 산화물 나노입자는 약 1.8 초과의 굴절률을 갖는 결정성 산화지르코늄 나노입자포함하는led 광원.