전기적 절연 필름을 제조하는 방법 및 스루 비아의 금속화반응에 대한 적용

[청구항6] 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 표면의 극성화는 펄스된 모드에서 생성되어 지고, 이 각각의 사이클은 다음에 의해 특징되어 짐을 특징으로 하는 방법:- 전체 10마이크로초 내지 2초 사이, 바람직하기로는 약 0.6초의 전체 기간 p;- 전위 차 또는 전류가 기판의 표면에 적용되어 지는 동안, 0.01 내지 1초 사이, 바람직하기로는 약 0.36초의 극성화 시간ton; 그리고- 0.01 내지 1초 사이, 바람직하기로는 약 0.24초의 제로 전위 또는 전류 지속시간갖는아이들 기간. 제 1항에 있어서,표면을 극성화시키는 단계는 펄스된 모드에서 생성되어 지고, 이 각각의 사이클은 다음에 의해 특징되어 짐을 특징으로 하는 실리콘 기판과 같은 전기적 전도체 또는 반도체의 기판 표면에 전기적으로 절연인 막을 형성하는 방법:- 전체 10마이크로초 내지 2초 사이의 전체 기간 p;- 전위 차 또는 전류가 기판의 표면에 적용되어 지는 동안, 0.01 내지 1초 사이의 극성화 시간ton; 그리고- 0.01 내지 1초 사이의 제로 전위 또는 전류 지속시간갖는아이들(idle) 기간. [청구항7] 제1항, 제3항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 방법은:전기적으로 절연인 막을 형성하는 내부 층을 제조하기 위한 단계 a.a) 및 a.b)와,구리 확산 배리어를 형성하는 외부 층을 제조하기 위한 단계 b)를 포함하고,여기서 단계 b)는 다음의 단계를 포함함을 특징으로 하는 실리콘 기판과 같은 전기적 전도체 또는 반도체의 기판 표면에 전기적으로 절연인 막을 형성하는 방법;b.a) 상기 단계 a.a) 및 a.b)에서 생성된 내부 층의 표면에 금속이나 금속 합금의 입자를 포함하는 유기 필름을 습윤 공정에 의하여 형성;b.b) 상기 b.a)의 유기 필름을 적어도 하나의 금속 염을 함유하는 액체 용액, 안정화 제제 그리고 적어도 100 nm의 두께를 갖는 금속 필름을 형성하는 것을 가능하게 하는 조건 하에서적어도하나의환원제제접촉하게하는것생성되어짐. [청구항8] 제 7항에 있어서,상기 언급된 단계 b.a)는 상기 내부 층의 자유 표면을 다음을 포함하는 액체 용액과 접촉하도록 함에 의해 수행되어 짐을 특징으로 하는 방법:- 적어도 하나의 용매, 바람직하기로는 양극성 용매;- 적어도 하나의 디아조늄 염;- 상기 용매에서 사슬-중합반응할 수 있고 그리고 가용성인 적어도 하나의 단량체; 및 - 상기 디아조늄 염으로부터 라디컬 실체의 형성가능하게 하는적어도 하나의 화학적 시발자. 제7항에 있어서,단계b.a)는 상기 내부 층의 자유 표면을 다음을 포함하는 액체 용액과 접촉하도록 함에 의해 수행되어 짐을 특징으로 하는 실리콘 기판과 같은 전기적 전도체 또는 반도체의 기판 표면에 전기적으로 절연인 막을 형성하는 방법:- 적어도 하나의 용매;- 적어도 하나의 디아조늄 염;- 상기 용매에서 사슬-중합반응할 수 있고 그리고 가용성인 적어도 하나의 단량체; 및 - 상기 디아조늄 염으로부터 라디컬 실체의 형성을 가능하게 하는 것으로, 액체 용액의 ph가 4와 같거나 또는 그 이상이 되도록 하기에 충분한 비율로 유기 또는 무기 염기나, 또는 미세하게 분할된 형태로의 금속 환원 제제선택되어 진적어도 하나의 화합물. [청구항15] 제7항에 있어서,상기 방법은 구리 시드 층을 형성하는 부가 단계 c)를 포함하고, 여기서 단계 c)는 다음의 단계를 포함함을 특징으로 하는 실리콘 기판과 같은 전기적 전도체 또는 반도체의 기판 표면에 전기적으로 절연인 막을 형성하는 방법;c.a) 중간층의 유리표면을 다음을 포함하는 액체용액과 접촉하게 하는 단계: - 적어도 하나의 용매; - 14 내지 120 mm 사이의 농도로 되는 구리 이온; - 에틸렌디아민; - 1.80 내지 2.03 사이로 되는 구리에 대한 에틸렌디아민의 몰 비율; - 6.6 내지 7.5 사이로 되는 조성물의 ph;c.b) 외부 층형성하는기간 동안 제이 층의 유리표면의 극성화 단계.