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플라즈마 처리 장치 및 반도체 기판의 플라즈마 처리 방법

uuid
cefc3ce1-68b1-5dc8-8298-30692bb4ae4d
출원번호
1020107010462
출원연도
2008
IPC
C23C
분류
화학(C섹션)
문맥 (context)
[청구항2] 제1항에 있어서,상기 반도체 기판을 상기 제1 및 제2 영역에 위치시킬 수 있는 반도체 기판 이동 수단을 구비하고,상기 반도체 기판 이동 수단은 상기 제1 및 제2 배치 수단포함하는플라즈마 처리 장치. 제1항에 있어서,상기 반도체 기판을 상기 제1 및 제2 영역에 위치시킬 수 있는 반도체 기판 이동 수단을 구비하고,상기 반도체 기판 이동 수단은 상기 제1 및 제2 배치 수단포함하는플라즈마 처리 장치. [청구항3] 제1항에 있어서,상기 챔버 내의 압력을 제어하는 압력 제어 수단을 구비하고,상기 압력 제어 수단은, 상기 챔버 내의 압력을 상대적으로 감소시켜 상기 제1 영역에 상기 반도체 기판을 위치시키는 상기 제1 배치 수단 및, 상기 챔버 내의 압력을 상대적으로 증가시켜 상기 제2 영역에 상기 반도체 기판을 위치시키는 상기 제2 배치 수단포함하는플라즈마 처리 장치. 제1항에 있어서,상기 챔버 내의 압력을 제어하는 압력 제어 수단을 구비하고,상기 압력 제어 수단은, 상기 챔버 내의 압력을 상대적으로 감소시켜 상기 제1 영역에 상기 반도체 기판을 위치시키는 상기 제1 배치 수단 및, 상기 챔버 내의 압력을 상대적으로 증가시켜 상기 제2 영역에 상기 반도체 기판을 위치시키는 상기 제2 배치 수단포함하는플라즈마 처리 장치. [청구항4] 제1항에 있어서,상기 제1 영역의 플라즈마의 전자 온도는 1.5ev보다도 높고, 상기 제2 영역의 플라즈마의 전자 온도이하인플라즈마 처리 장치. 제1항에 있어서,상기 제1 영역의 플라즈마의 전자 온도는 1.5ev보다도 높고, 상기 제2 영역의 플라즈마의 전자 온도이하인플라즈마 처리 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
플라즈마 처리 장치의 압력 제어 수단이 제1 배치 수단과 제2 배치 수단을 통해 반도체 기판을 각각 어느 영역에, 어떠한 압력 변화를 통해 위치시키는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    압력 제어 수단이 제1 및 제2 배치 수단을 사용하여 기판을 위치시키는 방식과 압력 변화의 상관관계를 파악해야 한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 3에서 압력 제어 수단의 구성과 각 배치 수단의 동작 조건을 추출한다.

    • 상기 압력 제어 수단은, 상기 챔버 내의 압력을 상대적으로 감소시켜 상기 제1 영역에 상기 반도체 기판을 위치시키는 상기 제1 배치 수단
    • 상기 챔버 내의 압력을 상대적으로 증가시켜 상기 제2 영역에 상기 반도체 기판을 위치시키는 상기 제2 배치 수단
  3. 3근거 선택evidence_selection

    제1 배치 수단의 압력 변화와 위치, 제2 배치 수단의 압력 변화와 위치에 관한 문구를 선택한다.

    • 압력을 상대적으로 감소시켜 상기 제1 영역에 상기 반도체 기판을 위치시키는 상기 제1 배치 수단
    • 압력을 상대적으로 증가시켜 상기 제2 영역에 상기 반도체 기판을 위치시키는 상기 제2 배치 수단
  4. 4논리 통합logical_integration

    제1 배치 수단은 압력 감소를 통해 제1 영역으로, 제2 배치 수단은 압력 증가를 통해 제2 영역으로 기판을 이동시킨다는 논리를 구성한다.

    • 압력을 상대적으로 감소시켜 상기 제1 영역에 상기 반도체 기판을 위치시키는 상기 제1 배치 수단
    • 압력을 상대적으로 증가시켜 상기 제2 영역에 상기 반도체 기판을 위치시키는 상기 제2 배치 수단
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    제1 배치 수단은 압력을 상대적으로 감소시켜 제1 영역에 기판을 위치시키고, 제2 배치 수단은 압력을 상대적으로 증가시켜 제2 영역에 기판을 위치시킨다.

    • 압력을 상대적으로 감소시켜 상기 제1 영역에 상기 반도체 기판을 위치시키는 상기 제1 배치 수단
    • 압력을 상대적으로 증가시켜 상기 제2 영역에 상기 반도체 기판을 위치시키는 상기 제2 배치 수단
  6. 6답변 생성answer_generation

    질문에 대한 답변을 정리하여 출력한다.

    • 압력을 상대적으로 감소시켜 상기 제1 영역에 상기 반도체 기판을 위치시키는 상기 제1 배치 수단
    • 압력을 상대적으로 증가시켜 상기 제2 영역에 상기 반도체 기판을 위치시키는 상기 제2 배치 수단
근거 (evidence)
  • 상기 압력 제어 수단은, 상기 챔버 내의 압력을 상대적으로 감소시켜 상기 제1 영역에 상기 반도체 기판을 위치시키는 상기 제1 배치 수단
  • 상기 챔버 내의 압력을 상대적으로 증가시켜 상기 제2 영역에 상기 반도체 기판을 위치시키는 상기 제2 배치 수단
  • 압력을 상대적으로 감소시켜 상기 제1 영역에 상기 반도체 기판을 위치시키는 상기 제1 배치 수단
  • 압력을 상대적으로 증가시켜 상기 제2 영역에 상기 반도체 기판을 위치시키는 상기 제2 배치 수단
최종 답변 (final_answer)
압력 제어 수단은 제1 배치 수단을 통해 챔버 내 압력을 상대적으로 감소시켜 반도체 기판을 제1 영역에 위치시키며, 제2 배치 수단을 통해 챔버 내 압력을 상대적으로 증가시켜 반도체 기판을 제2 영역에 위치시킨다.
핵심 해석 (core_interpretation)
압력 제어 수단은 챔버 내 압력의 증감(감소/증가)을 조절함으로써 반도체 기판을 제1 영역 또는 제2 영역으로 각각 배치한다.