기판전위 생성회로

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 반도체기판(p-sub)은 p형 반도체기판이면서 상기 기판전위생성회로가 상기 반도체기판(p-sub)의 전하를 원하는 전위로 방전시켜 상기 반도체기판(p-sub)의 전위를 원하는 전위이하인 전위로 유지시키는회로인것을특징으로 하는기판전위생성회로. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,상기 반도체기판(p-sub)의 상기 기판전위 생성회로가 형성되어 있는 부분이외의 부분에는 전자회로가 형성되어 있고, 원하는 전위는 상기 전자회로에 인가되는 접지전위와 실질적으로동일전위인것을특징으로 하는기판 전위생성회로. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기제1 및 제2클록신호를 공급하는 수단(1,21-27)은 상기 제3트랜지스터(t1)가 턴온상태로 되어 있으므로 상기 제1접속점(p1)의 전위를 로우레벨로 하면서 상기 제4트랜지스터(t2)가 턴오프상태로 되어 있으므로 상기 제2접속점(p2)의 전위를 로우레벨로 하도록 상기 클록신호를 공급하는수단인것을특징으로 하는기판전위생성회로. [청구항 5] 제 4 항에 있어서,상기제1 및 제2클록신호를 공급하는 수단(1,21-27)은 상기 제1클록신호가 하이레벨의 기간에 상기 제2클록신호의 로우레벨기간이 종료되고 또 상기 제2클록 신호가 하이레벨의 기간에 제2클록신호의 로우레벨기간이 종료되도록 클록신호를 공급하는수단인것을특징으로 하는기판전위생성회로. [청구항 6] 제 5 항에 있어서,상기제1 및 제2클록신호를 공급하는 수단(1,21-27)은 제3클록신호를 공급하는 수단(1)과, 상기 제3클록신호를 지연시키는 지연수단(21), 상기 제3클록신호와 상기 지연수단(21)으로부터의 지연신호를 공급받아 상기 제1클록신호와 상기 지연신호의 낸드를 취하므로 상기 제1클록신호로써 출력하는 수단(23) 및, 상기 제1클록신호와 상기 지연신호를 공급받아 상기 제1클록신호와 상기 지연신호의 논리합을 취하므로 상기 제2클록신호로써 출력하는수단구비한것을특징으로 하는기판전위 생성회로. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,상기 반도체기판은 n형 반도체기판이면서 상기 기판전위생성회로가 원하는 전위로부터 상기 반도체 기판에 전하를 방전시켜 상기 반도체기판의 전위를 원하는 전위 이상의 전위로 유지시키는회로인것을특징으로 하는기판전위생성회로. [청구항 8] 제 7 항에 있어서,상기 반도체기판의 상기 기판전위생성회로가 형성되어 있는 부분이외의 부분에는 전자회로 형성되어 있고, 원하는 전위는 상기 전잔회로에 인가되는 전원전위로 실질적으로동일전위인것을특징으로 하는기판 전위생성회로. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,상기제1 및 제2클록신호를 공급하는 수단(1,21-27)은 상기 제3트랜지스터(t1)가 턴오프상태로 되어 있으므로 상기 제1접속점(p1)의 전위를 하이레벨로 되면서 상기 제4트랜지스터(t2)가 턴오프상태로 되어 있으므로 상기 제2접속점(p2)의 전위를 하이레벨로 되도록 상기 클록 신호를 공급하는수단인것을특징으로 하는기판전위생성회로. [청구항 10] 제 9 항에 있어서,상기제1 및 제2클록신호를 공급하는 수단(1,21-27)은 제3클록신호를 공급하는 수단(1)과, 상기 제3클록신호를 지연시키는 지연수단(21), 상기 제3클록신호와 상기 지연수단으로부터의 지연신호를 공급받아 상기 제1클록신호와 상기 지연신호의 앤드를 취하므로 상기 제1클록신호로써 출력하는 수단(23) 및, 상기 제1클록신호와 상기 지연신호를 공급받아 상기 제1클록신호와 지연신호의 노아를 취하므로 상기 제2클록신호로써 출력하는수단구비한것을특징으로 하는기판전위생성회로. [청구항 11] 제 7 항에 있어서,상기제1 및 제2클록신호를 공급하는 수단(1,21-27)은 상기 제1클록신호가 로우레벨의 기간에 상기 제2클록신호의 하이레벨기간이 종료되고, 또 상기 제2클록신호가 로우레벨의 기간에 제2클록신호의 하이레벨기간이 종료되도록 클록신호를 공급하는수단인것을특징으로 하는기판전위생성회로.