불휘발성반도체기억장치

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,쌍의 제 1 워드선이 복수개의 이루어지고, 1개의 제 2 워드선이 각 한쌍의제1워드선마련되어지는것을특징으로 하는불휘발성반도체기억장치. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,복수개의 메모리셀은 소오스확산영역과 드레인확산영역, 제 1 워드선 및 플로우팅게이트 전극으로 각각 이루어지고, 제 2 워드선을 따라 배열되면서 제어게이트로 동작되는 제 1 워드선의 일부분을 모든 메모리셀의 접촉구멍을 경유하여 제 2 워드선에 접촉되도록지는것을특징으로 하는불휘발성반도체기억장치. [청구항 4] 제 3 항에 있어서,접촉구멍이 제 1 워드선 바로위에 있는 플로우팅게이트전극으로 부터 떨어져서 배치된위치형성되는것을특징으로 하는불휘발성반도체기억장치. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,제 2 워드선은 다결정실리콘층과 높은 융점을 가지는 금속의 실리사이드로 형성된 다른 다결정실리콘층으로 이루어지는2중층구조구비하는것을특징으로 하는불휘발성반도체기억장치. [청구항 6] 제 5 항에 있어서,플로우팅게이트전극은 사이에 끼워진 제 1 절연층과 더불어 챈널영역위에 형성되고, 한쌍의 제 1 워드선중 한 워드선이 사이에 끼워진 제 2 절연막과 더불어 플로우팅게이트전극위에 형성되며, 제 2 워드선이 사이에 끼워진 필드절연막과 더불어제1워드선위형성되는것을특징으로 하는불휘발성반도체기억장치. [청구항 7] 제 5 항에 있어서,플로우팅게이트전극은 사이에 끼워진 제 1 절연층과 더불어 챈널영역위에 형성되고, 한쌍의 제 1 워드서중 한 워드선이 사이에 끼워진 제 2 절연막과 더불어 플로우팅게이트전극위에 형성되며, 제 2 워드선이 사이에 끼워진 필드절연층과 더불어 제 1 워드선위에 형성되고, 제 1 워드선 사이에 위치하는 제 2 워드선의 다결정실리콘층의 일부분이필드절연막의아래쪽전개되는것을특징으로 하는불휘발성반도체기억장치. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,제 2 워드선nan은다결정실리콘층이루어지는것을특징으로 하는불휘발성반도체기억장치. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,제 2 워드선nan은다결정실리콘층과금속실리사이드로이루어지는것을특징으로 하는불휘발성반도체기억장치. [청구항 10] 제 8 항에 있어서,플로우팅게이트전극은 사이에 끼워진 제 1 절연막층과 더불어 챈널영역위에 형성되고, 한쌍의 제 1 워드선중 한 워드선이 사이에 끼워진 제 2 절연막과 더불어 플로우팅게이트전극위에 형성되며, 제 2 워드선이 사이에 끼워진 필드절연층과 더불어 제 1 워드선위에 형성되고, 제 1 워드선 사이에 위치하는 제 2 워드선의 다결정실리콘층의 일부분이필드절연층의아래쪽전개되는것을특징으로 하는불휘발성반도체기억장치. [청구항 12] 제 11 항에 있어서,신호와이어링이 한쌍의 워드선에 접촉되게 만들어져서 경유한접촉부분을추가구성하는것을특징으로 하는불휘발성반도체기억장치. [청구항 13] 제 12 항에 있어서,경유한 접촉부분이 한쌍의 워드선 전개방향으로 규정된간격마련되어지는것을특징으로 하는불휘발성반도체기억장치. [청구항 14] 제 11 항에 있어서,신호와이어링이금속포함하는것을특징으로 하는불휘발성반도체기억장치. [청구항 15] 제 11 항에 있어서,신호와이어링이다결정실리콘포함하는것을특징으로 하는불휘발성반도체기억장치. [청구항 16] 제 11 항에 있어서,신호와이어링이 몰리브데늄의 실리사이드, 티타늄, 텅스텐 또는 탄탈륨포함하는것을특징으로 하는불휘발성반도체기억장치.