문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 픽셀이 복수로 형성된 촬상 영역의 외부에 형성된 픽셀 구동 소자를 포함하고,상기 픽셀 구동 소자의 소자 분리 영역은, 채널 주변의 게이트 전극 하에 게이트 절연막으로부터 분리되어 제공되는 절연막형성되는고체 촬상 디바이스.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 픽셀 및 상기 픽셀에 이웃하는 다른 픽셀 간에 소자 분리 영역이 제공되고, 상기 소자 분리 영역은 상기 트랜지스터의 채널 주변의 게이트 전극 하에 형성되는 제1 불순물 영역을 적어도 포함하고, 상기 제1 불순물 영역은 상기 트랜지스터의 소스 영역 및 드레인 영역의 불순물과 반대의 도전형가지는고체 촬상 장치.
[청구항 4]
제3항에 있어서,상기 소자 분리 영역은 상기 제1 불순물 영역내에 또는 인접하여 형성되는 제2 불순물 영역을 구비하고, 상기 제1 불순물 영역과 동일한 도전율가지는고체 촬상 디바이스.
[청구항 5]
제3항에 있어서,상기 소자 분리 영역은 상기 트랜지스터의 채널 주위의 게이트 전극 아래에 영역을 포함하지 않는 영역에 형성된 상기 제1 불순물 영역과 동일한 도전율을 가지는 제3 불순물 영역포함하고,상기 제1 불순물 영역은 상기 제3 불순물 영역보다 그 농도가 더 높은 고체 촬상 디바이스.
[청구항 6]
제3항에 있어서,상기 소자 분리 영역은 상기 트랜지스터의 채널 주위의 게이트 전극 아래에 영역을 포함하지 않는 영역에 형성된 상기 제1 불순물 영역과 동일한 도전율을 가지는 제3 불순물 영역을 포함하고,상기 제1 및 제3 불순물 영역은 하나의 프로세스에서 일체형성되는고체 촬상 디바이스.
[청구항 7]
제4항에 있어서,상기 제2 불순물 영역은 상기 트랜지스터의 드레인 영역에 적어도 인접한 상기 소자 분리 영역형성되는고체 촬상 디바이스.
[청구항 8]
제1항에 있어서,소자 분리 영역은 상기 픽셀과 거기에 인접하는 다른 픽셀 사이에 제공되고,상기 소자 분리 영역은 분리된 2개의 소자의 측면으로부터 주입된 불순물의 2개의 영역포함하는고체 촬상 디바이스.
[청구항 9]
제8항에 있어서,상기 2개의 불순물 영역은 상기 트랜지스터의 소스와 드레인간을 분리하도록 불순물을 주입하는 것과 동일한 프로세스형성되는고체 촬상 디바이스.
[청구항 10]
제1항에 있어서,상기 트랜지스터의 게이트 전극은 채널 영역의 바로 위에 형성된 제1 섹션, 및 채널 주위에서 기판 상에 형성된 제2 섹션을 포함하고,상기 제1 섹션/제2 섹션으로의 주입을 위한 불순물 조합은 p형/미도핑, n형/미도핑, n형/p형, 및 p형/n형 중 임의의하나인고체 촬상 디바이스.
[청구항 11]
제1항에 있어서,배선과 상기 게이트 전극간의 컨택트를 확립하는 컨택트부는 상기 트랜지스터의 채널의 바로 위형성되는고체 촬상 디바이스.
[청구항 12]
제1항에 있어서,배선과 상기 게이트 전극간의 컨택트를 확립하는 컨택트부는 상기 트랜지스터의 채널 주위에서 연장되는 상기 게이트 전극 상형성되는고체 촬상 디바이스.
[청구항 14]
제13항에 있어서,배선과 상기 게이트 전극간의 컨택트를 확립하는 컨택트부는 상기 트랜지스터의 채널 바로 위형성되는고체 촬상 디바이스.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
고체 촬상 디바이스의 소자 분리 영역 내에 형성되는 제1 불순물 영역과 제3 불순물 영역의 도전율 및 농도 관계는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation고체 촬상 디바이스 내 소자 분리 영역에 형성된 제1 불순물 영역과 제3 불순물 영역 사이의 도전율 및 농도 관계를 파악해야 한다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 5를 통해 제1 불순물 영역과 제3 불순물 영역의 도전율 및 농도에 관한 정보를 추출한다.
- 상기 제1 불순물 영역과 동일한 도전율을 가지는 제3 불순물 영역포함하고,상기 제1 불순물 영역은 상기 제3 불순물 영역보다 그 농도가 더 높은
-
3근거 선택
evidence_selection두 영역의 도전율이 동일하다는 구절과 제1 불순물 영역의 농도가 더 높다는 구절을 선택한다.
- 상기 제1 불순물 영역은 상기 제3 불순물 영역보다 그 농도가 더 높은
-
4논리 통합
logical_integration추출된 정보를 종합하면, 두 영역의 도전율은 서로 같지만, 제1 불순물 영역의 농도가 제3 불순물 영역보다 높다는 관계가 성립한다.
-
5결론 도출
conclusion_formulation도전율은 동일하고, 농도는 제1 불순물 영역이 제3 불순물 영역보다 높다는 결론을 도출한다.
-
6답변 생성
answer_generation질문에 대하여 도전율은 동일하며, 제1 불순물 영역의 농도가 제3 불순물 영역보다 더 높다고 답변을 생성한다.
근거 (evidence)
- 상기 제1 불순물 영역과 동일한 도전율을 가지는 제3 불순물 영역포함하고,상기 제1 불순물 영역은 상기 제3 불순물 영역보다 그 농도가 더 높은
- 상기 제1 불순물 영역은 상기 제3 불순물 영역보다 그 농도가 더 높은
최종 답변 (final_answer)
제1 불순물 영역과 제3 불순물 영역은 동일한 도전율을 가지며, 제1 불순물 영역의 농도가 제3 불순물 영역보다 더 높다.
핵심 해석 (core_interpretation)
소자 분리 영역 내의 불순물 영역들을 동일한 도전율을 갖도록 형성하되, 제1 불순물 영역의 농도를 제3 불순물 영역보다 높게 조절하여 소자 특성을 제어하는 기술이다.