반도체장치

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 캐패시터 전극(28)이 상기 캐패시터영역(26)과 상기 제 1 영역(30)사이의영역있는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,절연층(27)이 상기 캐패시터영역(26)과 상기 캐패시터전극(28) 사이에추가배열된것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 캐패시터영역(26)의개수1이상인것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 5] 제 4 항에 있어서,제 2 도전형태(n)인 전교(電橋 ; bridge) 영역(26)이 상기 반도체 기판(21) 내에 추가로 형성되고, 상기 전교영역(26)이 2개 또는 그이상의캐패시터영역접속되는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 영역(30)은 상기 반도체 기판(21)내에 형성되는 상기 제 2 전형태(n)인 제 1 전극영역(52)과, 상기 제 1 전극영역(52)과 상기 캐패시터영역(26a) 사이에 배열되는 상기 반도체 기판(21) 내에 형성되는 제 2 도전형태(n)인 제 2 전극영역(53) 및 상기 제 1 전극영역(52)과 상기 제 2 전극영역(53) 사이의 영역 표면에 위치하는 게이트전극(54) 등을 포함하여 mos트랜지스터구성하는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 7] 제 6 항에 있어서,상기 게이트전극(54)이 상기 캐패시터전극(28)에 직접 접촉하지 않은 채부분적중복되는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 8] 제 6 항에 있어서,캐패시터영역(26)이 상기 제 2 전극영역(53)으로부터 접촉되면서 연장되고, 또 전하저장 캐패시터를 구성하기 위해서는 pn 접합이 상기 반도체 기판(21)과 상기 캐패시터영역(26) 사이에 형성되면서 상기 반도체기판(21)과 상기 제 2 전극영역(53) 사이에도 pn 접합이 형성되며, 그리고 캐패시터전극(28)이 상기 제 2 전극영역(53)표면위치한것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 9] 제 8 항에 있어서,절연층(27)이 상기 제 2 전극영역(53)과 상기 캐패시터전극(28) 사이에추가배열된것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 10] 제 8 항에 있어서,상기 캐패시터영역(26)의개수1이상인것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 11] 제 6 항에 있어서,불순물 농도가 상기 반도체 기판(21)의 불순물 농도보다 높고 제 1 도전형태(p)로 된 층간영역(210)이 상기 반도체 기판(21) 내에 추가로 형성되고, 메모리셀의 전하저장 캐패시터를 구성하기 위해서는 제 2 도전형태(n)인 상기 캐패시터영역(26)이 상기 층간영역(210) 내에 형성되며, 상기 층간영역(210)과 상기 캐패시터영역(26) 사이에도 pn접합형성되는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 12] 제 11 항에 있어서,상기 캐패시터전극(28)이 상기 캐패시터영역(26)과 데이터공급영역(53)사이영역있는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 13] 제 11 항에 있어서,절연층(27)이 상기 캐패시터영역(26)과 상기 캐패시터전극(28) 사이에추가배열된것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 14] 제 6 항에 있어서,제 1 도전형태(p)인 제 1 기판(21)과 제 1 도전형태(p+)인 제 2 기판(211)으로 된 이중층의 반도체기판(21) 중에서 불순물농도가 상기 제 1 기판(21)의 불순물농도보다 상기 제 2 기판(211)이 제 1 기판(21) 위에 추가로 형성되고, 메모리셀의 전하저장캐패시터를 구성하기 위해서는 제 2 도전형태(n)인 상기 캐패시터영역(26)이 상기 제 2 기판(211) 내에 형성되면서 pn 접합이 상기 제 2 기판(211)과 상기 캐패시터영역(26)사이형성되는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 15] 제 14 항에 있어서,상기 캐패시터전극(28)이 상기 캐패시터영역(26)과 상기 데이터공급영역(52)(53)사이영역있는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 16] 제 14 항에 있어서,절연층(27)이 상기 캐패시터영역(26)과 상기 캐패시터전극(28) 사이에추가배열된것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 17] 제 6 항에 있어서,제 1 도전형태(p)인 웰영역(212)이 상기 반도체 기판(21) 내에 추가로 형성되고, 전하 저장 캐패시터를 구성하기 위해서는 제 1 도전형태(n)인 상기 캐패시터영역(26)이 상기 웰영역(212) 내에 형성되면서 pn 접합이 상기 웰영역(212)과 상기 캐패시터영역(26)사이형성되는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 18] 제 17 항에 있어서,상기 캐패시터전극(28)이 상기 캐패시터영역(26)과 상기 데이터공급영역(52)(53)사이영역있는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 19] 제 17 항에 있어서,절연층(27)이 상기 캐패시터영역(26)과 상기 캐패시터전극(28) 사이에추가배열된것을특징으로 하는반도체 장치.