가변 진폭의 ＲＦ 포락선에 응답하는 코일을 구비한플라즈마 처리기

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 가변 진폭은 펄스의형태로 이루어지는,진공 플라즈마 처리기. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 펄스는 상기 r.f. 포락선이 0 (zero) 진폭하는,진공 플라즈마 처리기. [청구항 4] 제3항에 있어서,인접한 펄스 사이의 공간은 대략 10 마이크로초인,진공 플라즈마 처리기. [청구항 5] 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 코일은 내부 및 외부의 활모양 세그먼트, 및 상기 r.f. 소스에 연결되도록 구성된 제1 및 제2 여기 단자를 포함하고, 상기 제1 단자는 상기 코일의 일 말단 및 상기 내부의 활모양 세그먼트의 일 말단에 있고, 상기 외부의 활모양 세그먼트는 상기 내부의 활모양 세그먼트로부터 방사상으로 떨어져 있고, 상기 제2 단자는 상기 내부의 활모양 세그먼트와는 다른 상기 활모양 세그먼트 중의 하나에 있으며, 상기 단자들 중의 하나는 상기 r.f. 소스로 리액턴스에 의해 연결되며, 상기 리액턴스 값, 상기 코일의 길이 및 r.f. 활성화는, 상기 코일 내의 피크 대 피크 r.f. 전압 vpkpk(x) 및 전류 ipkpk(x)가 대략적으로,vpkpk(x) = v0pkpkcos[β(x+x0)] 및 ipkpk(x) = i0pkpksin[β(x+x0)]이 되도록 하는 주파수를 가지며, 여기서, 상기 x 는 상기 r.f. 소스에 연결된 상기 코일의 입력 단자로부터 측정되는 선형 거리(linear distance)이고,상기 β는 r.f. 활성화 주파수에 의해 결정되는 상수이고,상기 x0 는 r.f. 활성화 주파수에서 상기 리액턴스의 임피던스에 의해 결정되는 0 으로부터의 오프셋이고,상기 v0pkpk와 상기 i0pkpk는 상기 코일 내의 최대 r.f. 피크 대 피크 전압 및 전류값인,진공 플라즈마 처리기. [청구항 6] 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기r.f. 소스는, 상기 코일내의 피크 대 피크 r.f. 전압의 크기가 상기 코일의 제1 단자에서 제1 극성의 최대값을 가지고 상기 코일의 제2 단자에서 제2 극성의 최대값을 가지도록, 상기 코일의 제1 및 제2 단자연결되는,진공 플라즈마 처리기. [청구항 7] 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 코일은 대략 한 턴(a turn)의 활모양의 범위를 가지는 복수의 활모양 세그먼트를 포함하고, 대략 한 턴의 활모양의 범위를 가지는 최외각 활모양 세그먼트 및 대략 한 턴의 활모양의 범위를 가지는 그 다음의 최외각 활모양 세그먼트를 가지며, 상기 r.f. 소스는 상기 코일에 연결되고, 상기 코일은 상기 최외각 활모양 세그먼트 및 그 다음의 최외각 활모양 세그먼트에서의 r.f. 전류가 상기 코일의 내부 세그먼트에서의 전류보다도 실질적구성되는,진공 플라즈마 처리기. [청구항 8] 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기r.f. 소스는 상기 코일의 제1 및 제2 단자에 연결되고, 상기 코일은 상기 제1 단자에서의 피크 대 피크 r.f. 전류의 크기가 상기 제2 단자의 피크 대 피크 r.f. 전류와 대략 동일하도록 이루어지고, 상기 제1 및 제2 단자에서의 상기 동일한 전류는 상기 코일에서의 임의의 다른 전류보다도 더 작은 진폭가지는,진공 플라즈마 처리기. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 코일 및 상기r.f. 소스와 직렬로 연결된 리액턴스를 더 포함하고, 상기 리액턴스는 소정값, 및 상기 코일과 상기 r.f. 소스와의 연결부를 가지며, 상기 코일은 상기 코일의 여기 단자에서 대략적으로 동일한 크기의 피크 대 피크 r.f. 전류를 제공하는 구성가지는,진공 플라즈마 처리기. [청구항 10] 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 진공 챔버는 소정의 내경을 가지는 금속 측벽 배열을 가지고, 상기 코일은 상기 소정의 내경과 대략 동일한 직경을 가지고, 상기 진공 챔버는 상기 벽에 실질적으로 직각으로 있는 유전성 윈도우를 포함하며, 상기 코일은 상기 진공 챔버의 외부에 배치되고 상기 윈도우에 가까이 배치되어 상기 코일로부터의 장(場)이 상기 윈도우를 통하여 상기 플라즈마결합되도록 하는,진공 플라즈마 처리기. [청구항 11] 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 가변 진폭은 충분한 기간 및 크기의 저진폭부를 가짐으로써, 상기 가변 진폭이 상기 제조공정품을 처리하게 하는 상태로 상기 플라즈마를 여기시키는 높은 값을 가질 때 발생하는 전하 입자 확산보다도, 상기 플라즈마 내의 전하 입자가 상기 진공 챔버내에서 훨씬 큰범위확산할수하는,진공 플라즈마 처리기. [청구항 12] 제1항에 있어서,상기 플라즈마가 인접하는 고진폭부 사이에서저진폭부의기간및진폭소멸되지이루어지는,진공 플라즈마 처리기. [청구항 13] 제1항에 있어서,상기 플라즈마가 인접하는 고진폭부 사이에서 저진폭부의 기간 및 진폭소멸되도록 이루어지는,진공 플라즈마 처리기. [청구항 14] 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 진공 챔버 내부의 상기 압력, 및 (a)상기 코일, (b)상기 진공 챔버 및 (c)상기 홀더의 배열은, 상기 플라즈마가 일정한 진폭의 r.f. 포락선이 상기 코일에 인가될 때 상기 코일의 중앙으로부터 떨어진 코일의 부분에 정렬된 상기 제조공정품의 부분 보다도 상기 코일의 중앙에 정렬된 상기 제조공정품의 부분 상에서 더 높은 플럭스를 가지도록 하고, 상기 가변 진폭의 포락선은 상기 제조공정품에 걸치는 상기 플라즈마 플럭스가 실질적일정하도록 이루어지는,진공 플라즈마 처리기. [청구항 24] 제23항에 있어서,상기r.f. 소스는 상기 포락선의 진폭이 상이한 값을 가지도록 배열되어, 상기 제조공정품에 걸치는 상기 플라즈마 플럭스가 실질적일정하도록 이루어지는,진공 플라즈마 처리기. [청구항 25] 제23항에 있어서,상기r.f. 소스는 상기 포락선의 진폭이 상이한 값을 가지도록 배열되어, 상기 제조공정품에 걸치는 상기 플라즈마 플럭스가 상기 제조공정품의 내부 상의 상기 플라즈마 플럭스 보다도 상기 제조공정품의 주변부 상의 상기 플라즈마 플럭스이루어지는,진공 플라즈마 처리기. [청구항 26] 제23항에 있어서,상기r.f. 소스는 상기 포락선이 제어가능한 고진폭을 가진 세그먼트와 제어가능한 기간의 저진폭 세그먼트를 가진 세그먼트를 포함하도록 배열되고, 상기 고진폭 세그먼트는 낮은 피크 진폭 세그먼트만큼 서로 이격되고, 상기 r.f. 소스는 상기 고진폭 세그먼트의 상호간의 이격 간격이 증가함에 따라상기고진폭세그먼트의상기진폭증가하도록배열되는,진공 플라즈마 처리기. [청구항 27] 제26항에 있어서,상기 진폭 및 기간이 변화되어도 상기 제조공정품에 입사되는 상기 플라즈마 플럭스의 시평균 전력이 실질적으로 일정하도록 하기 위하여, 상기 고진폭 세그먼트 및 저진폭 세그먼트의 상기 진폭 및 기간을 변경하도록 상기 r.f. 소스배열되는,진공 플라즈마 처리기.