수소이온 전도성 가지형 고분자 전해질막 및 그 제조방법

[청구항2] 제 1항에 있어서,래프팅을 위하여 전이 금속 할로겐화물을 포함하는촉매및배위리간드첨가하는것을특징으로 하는수소이온 전도성 가지형 고분자 전해질막. [청구항3] 제 1항에 있어서,상기 불소계 고분자 중합체가 폴리 비닐리덴 플루오라이드, 폴리 비닐 플루오라이드, 폴리 클로로 트리플루오로 에틸렌, 폴리 테트라플루오로 에틸렌, 폴리-1,2-디플루오로 에틸렌, 또는 이들의 조합을 포함하는공중합체인것을특징으로 하는수소이온 전도성 가지형 고분자 전해질막. [청구항4] 제 1항에 있어서,상기 술폰화 그룹이 있는 단량체가 스티렌 술포닉산, 메틸 프로펜 술포닉산, 술포프로필 메타크릴레이트, 술포에틸 메타크릴레이트, 술포부틸 메타크릴레이트, 술포프로필 아크릴레이트, 술포에틸 아크릴레이트,술포부틸아크릴레이트또는이들혼합물인것을특징으로 하는수소이온 전도성 가지형 고분자 전해질막. [청구항5] 제 1항에 있어서,상기 불소계 고분자 중합체를 활성화시키도록 전이 금속 할로겐화물을 포함하는촉매와리간드첨가되는것을특징으로 하는수소이온 전도성 가지형 고분자 전해질막. [청구항6] 제 5항에 있어서,상기 전이 금속 할로겐화물을 포함하는 촉매가 하기의 화학식 2으로 나타나는 것을 특징으로 하는 수소이온 전도성 가지형 고분자 전해질막.화학식 2mp-yqm은 전이금속이고, y는 상기 전이금속에 대한 음이온으로서 할로겐, 탄소수 1 내지 20개의 알콕시, so4, po4, hpo4, h2po4, 트리플레이트, 티오시아네이트(scn), 헥사플루오로포스페이트, 알킬술포네이트, 벤젠술포네이트, 톨루엔술포네이트로 이루어진 군으로부터하나이상선택되어형성된음이온이다. [청구항7] 제 6항에 있어서,상기m은 cu0, cu1+, cu2+, fe2+, fe3+, ru2+, ru3+, cr2+, cr3+, mo0, mo1+, mo2+, mo3+, w2+, w3+, rh3+, rh4+, co1+, co2+, re2+, re3+, ni0, ni1+, mn3+, mn4+, v2+, v3+, zn1+, zn2+, au1+, au2+, ag1+ 또는 ag2+인것을특징으로 하는수소이온 전도성 가지형 고분자 전해질막. [청구항9] 제 8항에 있어서,상기 불소계 고분자 중합체 용해단계, 단량체 첨가단계 및 촉매/리간드 첨가단계의 반응식을 하기의 화학식 5로 나타내는 것을 특징으로 하는 수소이온 전도성 가지형 고분자 전해질막의 제조방법.화학식 5 r1 및 r2는 술폰화(so3-) 그룹을 적어도 한 곳에 포함한 치환기이고, x1 내지 x4는 불소(f)를 적어도 한 곳에 포함한 치환기이며, mp-yq는 전이금속 할로겐화물포함하는촉매이고, lm은 배위리간드이며, n과 m은 100 내지 10,000의 정수이다.