금속 표면의 화학적 보호

[청구항 2] 제 1항에 있어서,상기d 또는 p 블록 전구체에 산소 함유 종들의 첨가포함하는전기화학 전지용 애노드. [청구항 3] 제 1항에 있어서,상기d 또는 p 블록 전구체가 유기금속 화합물인전기화학 전지용 애노드. [청구항 4] 제 1항에 있어서,상기 금속 물질이 알칼리 금속들 및 알칼리 토금속들선택되는전기화학 전지용 애노드. [청구항 5] 제 1항에 있어서,상기 금속 물질이 리튬포함하는전기화학 전지용 애노드. [청구항 6] 제 1항에 있어서,상기d 또는 p 블록 전구체가 화학식 ar1r2x[여기서, a는 인 또는 붕소로부터 선택되고, x는 할로겐 또는 할로겐 함유 화합물이며, r1은 할로겐들, 1 내지 20개의 탄소들을 가지는 알킬기들, 1 내지 20개의 탄소들을 함유하는 알콕시기들 또는 1 내지 20개의 탄소들을 가지는 방향족기들로부터 선택되고, r2는 할로겐들, 1 내지 20개의 탄소들을 가지는 알킬기들, 1 내지 20개의 탄소들을 함유하는 알콕시기들 또는 1 내지 20개의 탄소들을 가지는 방향족기들로부터 선택됨]의 화합물포함하는전기화학 전지용 애노드. [청구항 7] 제 6항에 있어서,상기 할로겐이 염소, 브롬, 불소 및 요오드선택되는전기화학 전지용 애노드. [청구항 8] 제 6항에 있어서,상기 알킬기들, 알콕시기들 및 방향족기들이 플루오르화되거나 부분적으로플루오르화될수있는전기화학 전지용 애노드. [청구항 9] 제 6항에 있어서,상기 알킬기가 작용기화되는전기화학 전지용 애노드. [청구항 10] 제 6항에 있어서,상기 알킬기가 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, sec-부틸, tert-부틸, tert-펜틸, 이소-옥틸, tert-옥틸, 2-에틸헥실, 노닐, 데실, 운데실, 사이클로펜틸, 사이클로헥실, 사이클로헵틸, 사이클로옥틸, 1-메틸사이클로펜틸, 1-메틸사이클로헥실, 1-메틸사이클로헥실 및 1-메틸-4-이소프로필사이클로헥실선택되는전기화학 전지용 애노드. [청구항 11] 제 6항에 있어서,상기 방향족기가 페닐기들, 파라, 메타 또는 오르쏘 위치에 알킬 치환체들을 가지는 페닐기들, 그리고 다중방향족 화합물들선택되는전기화학 전지용 애노드. [청구항 12] 제 1항에 있어서,상기d 또는 p 블록 전구체가 화학식 ar1r2r3r4x[여기서, a는 인이고, x는 할로겐 또는 할로겐 함유 화합물이며, r1은 할로겐들, 1 내지 20개의 탄소들을 가지는 알킬기들, 1 내지 20개의 탄소들을 함유하는 알콕시기들, 1 내지 20개의 탄소들을 가지는 방향족기들 또는 산소로부터 선택되고, r2는 할로겐들, 1 내지 20개의 탄소들을 가지는 알킬기들, 1 내지 20개의 탄소들을 함유하는 알콕시기들, 1 내지 20개의 탄소들을 가지는 방향족기들 또는 산소로부터 선택되며, r3은 할로겐들, 1 내지 20개의 탄소들을 가지는 알킬기들, 1 내지 20개의 탄소들을 함유하는 알콕시기들, 1 내지 20개의 탄소들을 가지는 방향족기들 또는 산소로부터 선택되고, r4는 할로겐들, 1 내지 20개의 탄소들을 가지는 알킬기들, 1 내지 20개의 탄소들을 함유하는 알콕시기들, 1 내지 20개의 탄소들을 가지는 방향족기들 또는 산소로부터 선택됨]의 화합물포함하는전기화학 전지용 애노드. [청구항 13] 제 12항에 있어서,상기 할로겐이 염소, 브롬, 불소 및 요오드선택되는전기화학 전지용 애노드. [청구항 14] 제 12항에 있어서,상기 알킬기들, 알콕시기들 및 방향족기들이 플루오르화되거나 부분적으로 플루오르화되는전기화학 전지용 애노드. [청구항 15] 제 12항에 있어서,상기 알킬기가 작용기화되는전기화학 전지용 애노드. [청구항 16] 제 12항에 있어서,상기 알킬기가 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, sec-부틸, tert-부틸, tert-펜틸, 이소-옥틸, tert-옥틸, 2-에틸헥실, 노닐, 데실, 운데실, 사이클로펜틸, 사이클로헥실, 사이클로헵틸, 사이클로옥틸, 1-메틸사이클로펜틸, 1-메틸사이클로헥실, 1-메틸사이클로헥실 및 1-메틸-4-이소프로필사이클로헥실선택되는전기화학 전지용 애노드. [청구항 17] 제 1항에 있어서,상기d 또는 p 블록 전구체가 화학식 sir1r2r3x[여기서, x는 할로겐 또는 할로겐 함유 화합물이고, r1은 수소, 할로겐들, 1 내지 20개의 탄소들을 가지는 알킬기들, 1 내지 20개의 탄소들을 함유하는 알콕시기들 또는 1 내지 20개의 탄소들을 가지는 방향족기들로부터 선택되며, r2는 수소, 할로겐들, 1 내지 20개의 탄소들을 가지는 알킬기들, 1 내지 20개의 탄소들을 함유하는 알콕시기들 또는 1 내지 20개의 탄소들을 가지는 방향족기들로부터 선택되고, r3은 수소, 할로겐들, 1 내지 20개의 탄소들을 가지는 알킬기들, 1 내지 20개의 탄소들을 함유하는 알콕시기들 또는 1 내지 20개의 탄소들을 가지는 방향족기들로부터 선택됨]의 화합물포함하는전기화학 전지용 애노드. [청구항 18] 제 17항에 있어서,상기 할로겐이 염소, 브롬, 불소 및 요오드선택되는전기화학 전지용 애노드. [청구항 19] 제 17항에 있어서,상기 알킬기들, 알콕시기들 및 방향족기들이 플루오르화되거나 부분적으로플루오르화될수있는전기화학 전지용 애노드. [청구항 20] 제 17항에 있어서,상기 알킬기가 작용기화되는전기화학 전지용 애노드. [청구항 21] 제 17항에 있어서,상기 알킬기가 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, sec-부틸, tert-부틸, tert-펜틸, 이소-옥틸, tert-옥틸, 2-에틸헥실, 노닐, 데실, 운데실, 사이클로펜틸, 사이클로헥실, 사이클로헵틸, 사이클로옥틸, 1-메틸사이클로펜틸, 1-메틸사이클로헥실, 1-메틸사이클로헥실 및 1-메틸-4-이소프로필사이클로헥실선택되는전기화학 전지용 애노드. [청구항 23] 제 22항에 있어서,상기d 또는 p 블록 전구체가 화학식 ar1r2x[여기서, a는 인 또는 붕소로부터 선택되고, x는 할로겐 또는 할로겐 함유 화합물이며, r1은 할로겐들, 1 내지 20개의 탄소들을 가지는 알킬기들, 1 내지 20개의 탄소들을 함유하는 알콕시기들 또는 1 내지 20개의 탄소들을 가지는 방향족기들로부터 선택되고, r2는 할로겐들, 1 내지 20개의 탄소들을 가지는 알킬기들, 1 내지 20개의 탄소들을 함유하는 알콕시기들 또는 1 내지 20개의 탄소들을 가지는 방향족기들로부터 선택됨]의 화합물포함하는전기화학 전지. [청구항 24] 제 22항에 있어서,상기d 또는 p 블록 전구체가 화학식 ar1r2r3r4x[여기서, a는 인이고, x는 할로겐 또는 할로겐 함유 화합물이며, r1은 할로겐들, 1 내지 20개의 탄소들을 가지는 알킬기들, 1 내지 20개의 탄소들을 함유하는 알콕시기들, 1 내지 20개의 탄소들을 가지는 방향족기들 또는 산소로부터 선택되고, r2는 할로겐들, 1 내지 20개의 탄소들을 가지는 알킬기들, 1 내지 20개의 탄소들을 함유하는 알콕시기들, 1 내지 20개의 탄소들을 가지는 방향족기들 또는 산소로부터 선택되며, r3은 할로겐들, 1 내지 20개의 탄소들을 가지는 알킬기들, 1 내지 20개의 탄소들을 함유하는 알콕시기들, 1 내지 20개의 탄소들을 가지는 방향족기들 또는 산소로부터 선택되고, r4는 할로겐들, 1 내지 20개의 탄소들을 가지는 알킬기들, 1 내지 20개의 탄소들을 함유하는 알콕시기들, 1 내지 20개의 탄소들을 가지는 방향족기들 또는 산소로부터 선택됨]의 화합물포함하는전기화학 전지. [청구항 25] 제 22항에 있어서,상기d 또는 p 블록 전구체가 화학식 sir1r2r3x[여기서, x는 할로겐 또는 할로겐 함유 화합물이고, r1은 수소, 할로겐들, 1 내지 20개의 탄소들을 가지는 알킬기들, 1 내지 20개의 탄소들을 함유하는 알콕시기들 또는 1 내지 20개의 탄소들을 가지는 방향족기들로부터 선택되며, r2는 수소, 할로겐들, 1 내지 20개의 탄소들을 가지는 알킬기들, 1 내지 20개의 탄소들을 함유하는 알콕시기들 또는 1 내지 20개의 탄소들을 가지는 방향족기들로부터 선택되고, r3은 수소, 할로겐들, 1 내지 20개의 탄소들을 가지는 알킬기들, 1 내지 20개의 탄소들을 함유하는 알콕시기들 또는 1 내지 20개의 탄소들을 가지는 방향족기들로부터 선택됨]의 화합물포함하는전기화학 전지.