플라즈마 ＣＶＤ 막 형성장치

[청구항2] 제1항에 있어서,상기 오목면은 상기 샤워헤드나 상기 서셉터 축을 중심으로회전대칭면인것을특징으로 하는플라즈마 cvd 막 형성장치. [청구항3] 제1항에 있어서,상기 샤워헤드와 상기 서셉터 사이의 거리가 다음 관계식을 충족시키고,fd = ｜dc - da｜/da ×100 fd=1%~100%여기에서, fd는 상기 기판을 마주보는 상기 샤워헤드 표면의 중앙 부분의 변형율, da는 상기 기판의 외곽 둘레 위치에서의 상기 샤워헤드와 상기 서셉터 사이의 평균 거리, dc는 상기 기판의 중심으로부터 da에 상당하는 거리의 반지름 상의 어느 한 점에서의상기샤워헤드와상기서셉터사이의평균거리인것을특징으로 하는플라즈마 cvd 막 형성장치. [청구항4] 제3항에 있어서,상기 샤워헤드와 상기 서셉터 사이의 거리는 다음 관계식을 만족시키고,fd' = ｜dc' - da'｜/da' ×100 fd'=1%~100% 여기에서, fd'는 상기 기판을 마주보는 상기 서셉터 표면의 중앙 부분의 변형율, da'는 상기 기판의 외곽 둘레 위치에서의 상기 샤워헤드와 상기 서셉터 사이의 평균 거리, dc'는 상기 기판의 중심으로부터 da'에 상당하는 거리의 반지름 상의 어느 한 점에서의상기샤워헤드와상기서셉터사이의평균거리인것을특징으로 하는플라즈마 cvd 막 형성장치. [청구항5] 제3항에 있어서,상기 변형율fd가 5~35%인것을특징으로 하는플라즈마 cvd 막 형성장치. [청구항6] 제3항에 있어서,상기 변형율fd는 막을 형성하는 동안에 상기 기판에 걸쳐 전계 강도의 분포가 실질적으로 균일하게결정되는것을특징으로 하는플라즈마 cvd 막 형성장치. [청구항7] 제3항에 있어서,상기 거리da가 3~300㎜의범위내에있는것을특징으로 하는플라즈마 cvd 막 형성장치. [청구항8] 제3항에 있어서,상기 거리dc가 3.3~350㎜의범위내에있는것을특징으로 하는플라즈마 cvd 막 형성장치. [청구항9] 제1항에 있어서,상기 샤워헤드와 상기 서셉터 사이의 거리가 다음 관계식을 충족시키고,fd' = ｜dc' - da'｜/da' ×100 fd'=1%~100% 여기에서, fd'는 상기 기판을 마주보는 상기 서셉터 표면의 중앙 부분의 변형율, da'는 상기 기판의 외곽 둘레 위치에서의 상기 샤워헤드와 상기 서셉터 사이의 평균 거리, dc'는 상기 기판의 중심으로부터 da'에 상당하는 거리의 반지름 상의 어느 한 점에서의상기샤워헤드와상기서셉터사이의평균거리인것을특징으로 하는플라즈마 cvd 막 형성장치. [청구항10] 제9항에 있어서,상기 변형율fd'가 5~35%인것을특징으로 하는플라즈마 cvd 막 형성장치. [청구항11] 제9항에 있어서,상기 변형율fd'는 막을 형성하는 동안에 상기 기판에 걸쳐 전계 강도의 분포가 실질적으로 균일하게결정되는것을특징으로 하는플라즈마 cvd 막 형성장치. [청구항12] 제9항에 있어서,상기 거리da'가 3~300㎜의범위내에있는것을특징으로 하는플라즈마 cvd 막 형성장치. [청구항13] 제9항에 있어서,상기 거리dc'가 3.3~350㎜의범위내에있는것을특징으로 하는플라즈마 cvd 막 형성장치. [청구항14] 제1항에 있어서,상기 샤워헤드가 ｘ, ｙ, ｚ, ｌ과 ｍ이 각각 0 또는 정수인 siｘoｙcｚnｌhｍ로 표시할 수 있는 화합물로 이루어지고, sih4, si(oc2h5)4, (ch3)2si(och3)2와 c6h6를 포함하는 그룹에서 선택된 화합물을 포함하는재료가스공급하는것을특징으로 하는플라즈마 cvd 막 형성장치. [청구항15] 제1항에 있어서,셉터와 상기 기판 사이의 거리dw가 0.1~10㎜의범위에있는것을특징으로 하는플라즈마 cvd 막 형성장치. [청구항16] 제1항에 있어서,셉터가 300㎜ 이상의 지름을 갖는 기판을 지지하기에 충분한지름갖는것을특징으로 하는플라즈마 cvd 막 형성장치. [청구항17] 제1항에 있어서,고주파 전력이상기샤워헤드와상기서셉터사이인가되는것을특징으로 하는플라즈마 cvd 막 형성장치. [청구항18] 제1항에 있어서,셉터가히터포함하는것을특징으로 하는플라즈마 cvd 막 형성장치.