고체 촬상 소자

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기제1의 스위치수단은, 적어도 1개의 mos형 트랜지스터로 구성되고, 이 mos형 트랜지스터는 상기 광전변환소자에 대한상기입사광의통과경로내형성되어있는것을특징으로 하는촬상장치. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 스위치수단은 상기 광전변환소자의 일부를 제1의 전극으로 하는 제1의 mos형 트래지스터와, 이 제1의 mos형 트랜지스터의 제2의 전극에 제1의 전극이 접속되고, 상기 제1의 신호선에 제2의 전극이 접속된 제2의 mos트랜지스터로 구성되고, 상기 제1의 mos형 트랜지스터는 상기 반도체기판내에 형성되고, 상기 제2의 mos형 트랜지스터는 상기 반도체기판상에서, 또한 상기 광전변환소자에 대한상기입사광의통과경로내절연막을개재형성되어있는것을특징으로 하는고체촬상장치. [청구항 5] 제3항 및 제4항에 있어서,상기 광전변환소자는, 상기 반도체기판과, 그속에 형성된 제2도전형의 제1의 불순물영역으로 이루어진 pn접합으로 구성되고, 상기 제1의 mos형 트랜지스터는, 상기 제1의 불순물영역으로 이루어진 제1의 전극과, 상기 반도체기판속에 형성된 제2도전형의 제2의 불순물영역으로 이우러진 전극과, 상기 반도체 기판상에 절연막을 개재해서 형성된 게이트전극으로 이루어지고, 상기 제2의 mos형 트랜지스터는 상기 반도체기판상에 절연막을 개재해서 형성된 제1도전형의 반도체막속에 형성된 제2도전형의 제3및 제4의 불순물 영역으로 이루어진 제1 및 제2의 전극과, 상기 반도체막상에 절연막을 개재해서 형성된게이트 전극형성된것을특징으로 하는고체 촬상장치. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기제1의 스위치 수단은, 상기 광전변환소자에 축적되어있는 상기 신호전하를 전류 또는 전압으로 변환증폭하고, 상기 제1의 신호선으로 출력하기 위한 증폭수단과, 상기 복수개의 광전변화소자중에서 소정의 것을 선택하고, 선택된 광선변환소자의 전화를 상기 증폭수단의 입렵구에 공급하기 위한 선택스위치 수단과, 상기 증폭수단의 입력부의 전하를 리세트하기 위한 리세트수단으로 구성되고, 상기 선택스위치수단은 상기 반도체 기판내에 형성되고, 상기 증폭수단 및 리세트수단은 상기 반도체기판상에서, 또한 상기 광전변환소자에 대한 상기입사광의 통과경로내에절연막을개재형성되어있는것을특징으로하는고체촬상장치. [청구항 9] 제6항 및 제7항에 있어서,상기 광전변환소자는, 상기 반도체기판과, 그속에 형성된 제2도전형의 제1의 불순물영역으로 이루어진 pn 접합으로 구성되고, 상기 선택스위치수단은, 상기 제1의 불순물영역으로 이루어진 제1의 전극과, 상기 제1의 불순물영역속에 형성된 제1도전형의 제2의 불순물영역(100)속에 형성된 제2도전형의 제3의 불순물영역으로 이루어진 제2의 전극과, 상기 반도체기판상에 절연막을 개재해서 형성된 게이트전극으로 이루어진 제1의 mos형 트랜지스터로 구성되고, 상기 리세트수단은 상기 제3의 불순물영역으로 이루어진 제1의 전극과, 상기 제2의 불순물영역 속에 형성된 제2도전형의 제4의 불순물영역으로 이루어진 제2의 전극과, 상기 반도체기판상에 절연막을 개재해서 형성된 게이트전극으로 이루어진 제2의 mos형 트랜지스터로 구성되고, 상기 증폭수단은 상기 제2의 불순물 영역속에 형성된 제2도전형의 제5 및 제6의 불순물 영역으로 이루어진 제1 및 제2의 전극과, 상기 반도체기판상에 절연막을 개재해서 형성된 게이트 전극으로 이루어진 제3의 mos트랜지스터로 구성되고, 상기 게이트전극과 상기 제3의 불순물영역과는상호접속되어서이루어진것을특징으로 하는고체촬상장치. [청구항 11] 제10항에 있어서,상기제1의 스위치수단은 상기 광전변환소자의 일부를 제1의 전극으로하는 mos형 트랜지스터로 구성되고, 이 mos형 트랜지스터는 상기 광전병환소자에 대한상기입사광의통과경로내형성되어있는것을특징으로 하는고체촬상장치. [청구항 12] 제10항 및 제11항에 있어서,상기 광전변환소자는, 상기 반도체기판과, 그속에 형성된 제2도전형의 제1불순물 영역으로 이루어진 pn접합으로 구성되고, 상기 mos형 트랜지스터는, 상기 제1의 불순물영역으로 이루어진 제1의 전극과, 상기 제1의 불순물영역속에 형성된 제1도전형이 제2의 불순물영역속에 형성된 제2도전형의 제3의 불순물영역으로 이루어진 제2의 전극과, 상기 반도체기판상에 절연막을 개재해서 형성된게이트전극구성된것을특징으로 하는고체촬상장치. [청구항 14] 제13항에 있어서,수단을 구성하는 소자의 적어도 1개는, 상기 반도체 기판상에 절연물을 개재해서 형성된 반도체 영역내에형성있는것을특징으로 하는고체촬상장치. [청구항 15] 제13항에 있어서,수단을 구성하는 소자의 적어도 1개는, 상기 광전변환소자를 구성하기 위하여 상기 반도체기판내에 형성된불순물영역내형성되어있는것을특징으로 하는고체촬상소자. [청구항 16] 제14항에 있어서,상기 반도체영역의 일부 또는 전부의 광의 입사방향의 두께가 100å이하인것을특징으로 하는고체촬상장치. [청구항 17] 제14항에 있어서,수단은, 상기 광전변환소자에 대응해서 형성된 능동 소자 및 스위치소자로 이루어지고, 이 스위치소자는 상기 광전변환 소자에 인접된 상기 반도체기판내에 형성되고, 상기 능동소자는상기반도체영역내형성되어있는것을특징으로 하는고체촬상장치.