유기 발광 소자

[청구항2] 청구항 1에 있어서,1 내지r4 중 2 이상은 시아노기이고, 나머지는 서로 같거나 상이하며, 하기 구조 중선택되는 것인유기 발광 소자: [청구항3] 청구항 1에 있어서,각각 독립적으로 수소; 중수소; 시아노기; 할로겐기; 알킬기; 할로알킬기; 및 할로알콕시기로 이루어진 군으로부터 선택되는 치환기 중 1 이상으로 치환된 아릴기이거나, 수소; 중수소; 시아노기; 할로겐기; 알킬기; 할로알킬기; 및 할로알콕시기로 이루어진 군으로부터 선택되는 치환기 중 1 이상으로 치환된 헤테로아릴기인 것인유기 발광 소자. [청구항4] 청구항 1에 있어서,상기g1 및 g2 또는 g3 및 g4는 하기 화학식 2-1 또는 2-2와 결합하는 것인 유기 발광 소자:[화학식 2-1][화학식 2-2]상기 화학식 2-1 및 2-2에서,*는 g1 및 g2 또는 g3 및 g4가 연결되는 부위이고,r105 내지 r110은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카르보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미드기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 티오알킬기; 치호나 또는 비치환된 아릴알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,r105는 1 내지 4의 정수이며,r106은 1 내지 4의 정수이고,r107은 1 내지 5의 정수이며,r108은 1 내지 4의 정수이고,r109는 1 내지 3의 정수이며,r110은 1 내지 4의 정수이고,r105 내지각각 2 이상인경우, 2 이상의 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하다. [청구항5] 청구항 1에 있어서,상기 화학식2는 하기 화학식 3 또는 4로 표시되는 유기 발광 소자:[화학식 3][화학식 4]상기 화학식 3 및 4에 있어서,l1 내지 l3, g1 내지 g4, ar3, r101 내지 r110, r101 내지 r110, a, b 및 z에 대한 정의는 상기 화학식정의한 바와 동일하다. [청구항6] 청구항 1에 있어서,상기 화학식1로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중선택되는 것인유기 발광 소자: [청구항7] 청구항 1에 있어서,상기 화학식2로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중선택되는 것인유기 발광 소자: [청구항8] 청구항 4에 있어서,상기 화학식3으로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중선택되는 것인유기 발광 소자: [청구항9] 청구항 4에 있어서,상기 화학식4로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중선택되는 것인유기 발광 소자: [청구항10] 청구항 1에 있어서,상기 유기물층은 정공주입층 또는 정공수송층을 포함하고, 상기 정공주입층 또는 정공수송층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물포함하는 것인유기 발광 소자. [청구항11] 청구항 1에 있어서,상기 유기물층은 정공주입층 또는 정공수송층을 포함하고, 상기 정공주입층 또는 정공수송층은 상기 화학식 2로 표시되는 화합물포함하는 것인유기 발광 소자. [청구항12] 청구항 1에 있어서,상기 유기물층은 정공주입층을 포함하고, 상기 정공주입층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 단독으로 이루어지거나 또는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물도핑되어 이루어진 것인유기 발광 소자. [청구항13] 청구항 1에 있어서,상기 유기물층은 도핑된 정공주입층을 포함하고, 상기 도핑된 정공주입층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 상기 화학식 2로 표시되는 화합물도핑되어 이루어진 것인유기 발광 소자. [청구항14] 청구항 1에 있어서,상기 유기물층은 정공주입층 및 정공수송층을 포함하고, 상기 정공주입층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하고, 상기 정공수송층은 상기 화학식 2로 표시되는 화합물포함하는 것인유기 발광 소자. [청구항15] 청구항 1에 있어서,상기 유기물층은 정공주입층 및 정공수송층을 포함하고, 상기 정공주입층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 상기 화학식 2로 표시되는 화합물에 도핑되어 형성되고, 상기 정공수송층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물포함하는 것인유기 발광 소자. [청구항16] 청구항 1에 있어서,상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층 및 발광층을 포함하고, 상기 정공수송층이 정공주입층과 발광층 사이위치하는 것인유기 발광 소자. [청구항17] 청구항 1에 있어서,상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 정공조절층 및 발광층을 포함하고, 상기 정공수송층이 정공주입층과 정공조절층 사이위치하는 것인유기 발광 소자. [청구항19] 청구항 18에 있어서,상기 스택은 정공주입층, 정공수송층, 및 정공조절층으로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상포함하는 것인유기 발광 소자. [청구항20] 청구항 18에 있어서,상기p형 전하생성층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 단독으로 이루어지거나 또는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 화학식 2로 표시되는 화합물포함되어 이루어진 것인유기 발광 소자. [청구항21] 청구항 18에 있어서,상기n형 전하생성층은 5중량% 이하의 리튬포함하는 것인유기 발광 소자. [청구항22] 청구항 18에 있어서,상기 스택은 정공주입층을 포함하고, 상기 정공주입층은 상기 화학식 1 및 2로 표시되는 화합물의 lumo가 3.5 내지이루어진 것인유기 발광 소자.