단결정 실리콘 기판과 단결정 막의 합성물 및 그 형성방법

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 단결정 막이갈륨아세나이드구성된것을특징으로 하는단결정 실리콘 기판과 단결정막의 합성물. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 단결정막은갈륨알루미늄아세나이드구성된것을특징으로 하는단결성 실리콘 기판과 단결정막의 합성물. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 단결정막은불순물도핑된것을특징으로 하는단결정 실리콘 기판과 단결정막의 합성물. [청구항 5] 제4항에 있어서,상기 단결정막은억셉터불순물도핑된것을특징으로 하는단결정 실리콘기판과 단결정막의 합성물. [청구항 6] 제6항에 있어서,상기 단결정막은도너불순물도핑된것을특징으로 하는단결정 실리콘 기판과 단결정막의 합성물. [청구항 7] 제4항에 있어서,상기 단결정막은 금속 유기증기증착에 의해상기실리콘 기판상직접성장되는것을특징으로 하는단결정 실리콘 기판과 단결정막의 합성물. [청구항 8] 제2항에 있어서,상기 갈륨 아세나이드막은 트리메틸갈륨과 아르신의 금속유기 화학적 증기 증착에 의해상기단결성실리콘 기판상성장되는것을특징으로 하는단결성 실리콘 기판과 단결정막의 합성물. [청구항 9] 제2항에 있어서,상기 갈륨 아세나이드막은 트리에틸갈륨과 아르신의 금속유기 화학적 증기 증착에 의해상기단결성실리콘 기판상성장되는것을특징으로 하는단결정 실리콘 기판과 단결정막의 합성물. [청구항 10] 제3항에 있어서,상기 갈륨아루미늄 아세나이드막은 트리메틸갈륨과 트리메틸알루미늄과 아르신의 금속유기 증기증착에 의해상기실리콘 기판상직접성장되는것을특징으로 하는단결정 실리콘 기판과 단결정막의 합성물. [청구항 12] 제11항에 있어서,상기 실리콘 기판이 베이스에서억셉터불순물도핑되는것을특징으로 하는감광성 전자장치. [청구항 13] 제11항에 있어서,상기 실리콘 기판이 베이스에서도너불순물도핑되는것을특징으로 하는감광성 전자장치. [청구항 14] 제11항에 있어서,상기 단결정막이 베이스에억셉터불순물도핑되는것을특징으로 하는감광성 전자장치. [청구항 15] 제11항에 있어서,상기 단결정막은 베이스에서도너불순물도핑되는것을특징으로 하는감광성 전자장치. [청구항 16] 제11항에 있어서,상기 단결정막과 대향하는 측면상에 상기 단결정 실리콘 기판과 결합되어 저항성 접촉을 이루는도전성전극포함하는것을특징으로 하는감광성 전자장치. [청구항 17] 제11항에 있어서,상기 제1전극은 상기 단결정막의 표면영역은 작은부분커버하는것을특징으로 하는감광성 전자장치. [청구항 18] 제11항에 있어서,상기 제 1전국과 상기 막위에서 결합배치된반반사코팅포함하는것을특징으로 하는감광성 전자장치. [청구항 34] 제31항에 있어서,상기 도펀트는카드뮴포함하는것을특징으로 하는단결정 실리콘 기판과 단결정막의 합성방법.