박막 형성장치

[청구항 2] 제1항에 있어서,진공조내의 가스압력은조절하는박막형성장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,자비임인출전극은 텅스텐 와이어로 하고 직류전류에 의하여 10~100v의 전압인가하도록한 박막형성장치. [청구항 4] 제1항에 있어서,자비임방출수단은 필라멘트로하고 교류전류를 공급하여 2000℃ 정도가열하도록한 박막형성장치. [청구항 6] 제5항에 있어서,자비임조사수단과 기판간에 전자비임이 조사된 반응성가스를 가속하기 위한가속수단설치한것을특징으로 하는박막형성장치. [청구항 7] 제6항에 있어서,가속수단은 내부조의 개구부에 설치된가속전극으로된것을특징으로 하는박막형성장치. [청구항 8] 제5항에 있어서,자비임조사수단은 내부조내에 서로 근접하여 배치된전자비임방출전극과전자비임인출전극으로된것을특징으로 하는박막형성장치. [청구항 9] 제8항에 있어서,자비임인출전극은 가스분사노즐로부터 분사되는 반응성가스의 통로에 배치되어 반응성가스가 통과하는 경우에상기반응성가스가열하는것을특징으로 하는박막형성장치. [청구항 10] 제5항에 있어서,복수의 반응가스원과 복수개의 가스분사노즐을 접속하는 공급로에가스유량조절밸브설치한것을특징으로 하는박막형성장치. [청구항 11] 제5항에 있어서,내부조의 내부는 진공조 보다도 진공도가 낮은 것특징으로 하는박막형성장치. [청구항 13] 제12항에 있어서,전자비임조사수단과 기판간에 전자비임이 조사된 반응성가스를 가속하기 위한가속수단설치한것을특징으로 하는박막형성장치. [청구항 14] 제13항에 있어서,가속수단은 내부조의 개구부에 설치된가속전극으로된것을특징으로 하는박막형성장치. [청구항 15] 제12항에 있어서,자비임 조사수단은 각 내부조내에 서로 근접하여 배치된전자비임방출전극과전자비임인출전극으로된것을특징으로 하는박막형성장치. [청구항 16] 제1항에 있어서,전자비임인출전극은 각 가스분사노즐로부터 분사되는 각 반응성가스의 통로에 배치되어 반응성가스가 통과하는 경우에상기반응성가스가열하는것을특징으로 하는박막형성장치. [청구항 17] 제12항에 있어서,복수의 반응성가스원과 복수의 가스분사노즐을 접속하는 공급로에가스유량조절밸브설치한것을특징으로 하는박막형성장치. [청구항 18] 제12항에 있어서,내부조의 내부는 진공조내 보다도 진공조가 낮은 것특징으로 하는박막형성장치. [청구항 20] 제19항에 있어서,가스는 알곤, 질소, 산소 및 수소로된 군(群)에서 선정된가스인것을특징으로 하는기판의 클리닝장치. [청구항 21] 제19항에 있어서,전자비임조사부는 필라멘트, 그리드, 전계시일드판,그리고그리드전극으로된것을특징으로 하는기판의 클리닝장치. [청구항 22] 제19항에 있어서,이온가속부는그리드전극과가속전극으로된것을특징으로 하는기판의 클리닝장치. [청구항 23] 제19항에 있어서,기판은 증착박막, 다층박막, 그리고 금속기판으로된 군(群선정된것을특징으로 하는기판의 클리닝장치.