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전계발광소자 및 그 제조방법

uuid
de4087c0-dbbd-5aaa-a7f3-03d7f4d9b407
출원번호
1020070066889
출원연도
2007
IPC
H05B 33/22
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 1] 박막트랜지스터부를 포함하는 기판 상기 기판상에 형성되며, 상기 박막트랜지스터부의 일부를 노출시키는 콘택홀이 구비된 평탄화막 상기 평탄화막 상에 형성되며, 상기 콘택홀을 통해 상기 박막트랜지스터부와 연결되는 연결 전극 상기 연결 전극 상에 형성되며, 상기 연결 전극의 일부를 노출시켜 발광영역을 정의하는 화소정의막 상기 화소정의막의 끝단 하부에 형성된 언더컷 구조를 포함하며, 상기 연결 전극을 노출시키도록 일부가 제거된 희생층 상기 연결 전극 상에 형성되는 제 1 전극 상기 화소정의막 상에 형성되는 보조 전극 상기 제 1 전극상에 형성되는 유기층; 및 상기 유기층 및 상기 보조 전극 상에 형성되는 제 2 전극 을 포함하는 전계발광소자 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 평탄화막과 상기 연결 전극 사이에는버퍼층더포함하는것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 보조 전극nan은상기제2전극과전기적연결되는것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극은 캐소드 전극이고 상기 제 2 전극은애노드전극인것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 5] 제 4 항에 있어서,상기 애노드 전극은 ito 또는 izo중하나인것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극 및 상기 보조 전극은 알루미늄(al) 또는 알미네리윰(alnd)중하나인것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,상기 희생층은 크롬(cr), 몰리브덴(mo), 티타늄(ti), 은(ag)또는이들의합금중하나인것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,상기 연결 전극nan은몰리티타늄인것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,상기 희생층의 두께는 10å내지인것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 16] 제 10 항에 있어서,상기 희생층의 두께는 10å내지인것을특징으로 하는전계발광소장의 제조방법..
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
전계발광소자에서 화소정의막의 끝단 하부에 형성되어 연결 전극을 노출시키도록 일부가 제거되는 구조는 무엇이며, 해당 구조를 형성하기 위해 사용되는 희생층의 역할은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    화소정의막 끝단 하부에 형성되어 연결 전극을 노출시키는 구조의 명칭과 해당 구조를 형성하기 위한 희생층의 역할을 찾는 것이다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 1에서 화소정의막 끝단 하부에 형성된 구조와 희생층에 관한 정보를 추출한다.

    • 상기 화소정의막의 끝단 하부에 형성된 언더컷 구조를 포함하며, 상기 연결 전극을 노출시키도록 일부가 제거된 희생층
  3. 3근거 선택evidence_selection

    질문에 직접적으로 대응하는 '언더컷 구조'와 '연결 전극을 노출시키도록 일부가 제거된 희생층' 구절을 선택한다.

    • 상기 화소정의막의 끝단 하부에 형성된 언더컷 구조를 포함하며, 상기 연결 전극을 노출시키도록 일부가 제거된 희생층
  4. 4논리 통합logical_integration

    화소정의막 끝단 하부의 구조는 '언더컷 구조'이며, 희생층은 연결 전극을 노출시키기 위해 일부가 제거되는 방식으로 사용됨을 결합한다.

    • 상기 화소정의막의 끝단 하부에 형성된 언더컷 구조를 포함하며, 상기 연결 전극을 노출시키도록 일부가 제거된 희생층
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    구조의 명칭은 언더컷 구조이고, 희생층의 역할은 연결 전극을 노출시키기 위해 일부가 제거되는 것이다.

    • 상기 화소정의막의 끝단 하부에 형성된 언더컷 구조를 포함하며, 상기 연결 전극을 노출시키도록 일부가 제거된 희생층
  6. 6답변 생성answer_generation

    추출된 정보를 바탕으로 질문에 대한 최종 답변을 작성한다.

    • 상기 화소정의막의 끝단 하부에 형성된 언더컷 구조를 포함하며, 상기 연결 전극을 노출시키도록 일부가 제거된 희생층
근거 (evidence)
  • 상기 화소정의막의 끝단 하부에 형성된 언더컷 구조를 포함하며, 상기 연결 전극을 노출시키도록 일부가 제거된 희생층
최종 답변 (final_answer)
화소정의막의 끝단 하부에 형성되어 연결 전극을 노출시키는 구조는 언더컷 구조이며, 해당 구조를 형성하기 위해 사용되는 희생층은 연결 전극을 노출시키도록 일부가 제거되는 역할을 한다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 화소정의막 하부에 언더컷 구조를 형성함으로써 연결 전극을 노출시키고, 이를 위해 일부가 제거되는 희생층을 이용하는 전계발광소자의 구조적 특징을 포함한다.