층간 절연막 및 배선 구조와 그것들의 제조 방법

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 절연막은, 상기 하지층 상에 형성된 제 1 플루오로카본막과, 상기 제 1 플루오로카본막 상에 형성되고 상기 제 1 플루오로카본막의 유전율보다 낮은 유전율을 갖는 제 2 플루오로카본막구비하고있는것을특징으로 하는층간 절연막. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,상기 제 1 플루오로카본막의 두께는 5 ∼ 10㎚ 이고, 상기 제 2 플루오로카본막의두께인것을특징으로 하는층간 절연막. [청구항 4] 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 제 2 플루오로카본막의 유전율은 1.5 ∼ 2.5 인 것특징으로 하는층간 절연막. [청구항 5] 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 하지층은, 기체 상에 형성된 sicn 층, si3cn4 층, sico 층 및 sio2층중적어도하나로이루어지는것을특징으로 하는층간 절연막. [청구항 6] 제 2 항에 있어서,상기 제 1 플루오로카본막은, 상기 하지층과의 반응에 의해 생성되는 플루오로실란 가스의 발생을 방지하기 위해형성되어있는것을특징으로 하는층간 절연막. [청구항 7] 제 2 항에 있어서,상기제 1 및 제 2 플루오로카본막은, 저유전율막인것을특징으로 하는층간 절연막. [청구항 8] 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 절연막 상에 형성된 si3n4, sicn 및 sico 중 적어도 하나로 이루어지는막더구비하고있는것을특징으로 하는층간 절연막. [청구항 9] 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 플루오로카본막은, xe 또는 kr 가스를 사용하여 발생시킨 플라즈마를 사용하여 cvd 형성된 것이고, 상기 제 2 플루오로카본막은 ar 가스를 사용하여 발생시킨 플라즈마를 사용하여 cvd 형성된 것인 것특징으로 하는층간 절연막. [청구항 10] 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 2 플루오로카본막의표면질화되어있는것을특징으로 하는층간 절연막. [청구항 11] 제 10 항에 있어서,상기 표면이 질화되어 있는부분의두께인것을특징으로 하는층간 절연막. [청구항 25] 제 24 항에 있어서,상기 도전성 배선 재료는 구리를 포함하고, 상기 배선 재료와 상기 층간 절연막 사이에 니켈의 불화물로 이루어지는 층을 적어도 포함하는배리어층개재시킨것을특징으로 하는배선 구조. [청구항 26] 제 24 항 또는 제 25 항에 있어서,상기 절연막은, 상기 하지층 상에 형성된 제 1 플루오로카본막과, 상기 제 1 플루오로카본막 상에 형성되고 상기 제 1 플루오로카본막의 유전율보다 낮은 유전율을 가지는 제 2 플루오로카본막구비하고있는것을특징으로 하는배선 구조. [청구항 27] 제 26 항에 있어서,상기 제 1 플루오로카본막의 두께는 5 ∼ 10㎚ 이고, 상기 제 2 플루오로카본막의두께인것을특징으로 하는배선 구조. [청구항 28] 제 25 항에 있어서,상기 제 2 플루오로카본막의 유전율은 1.5 ∼ 2.5 인 것특징으로 하는배선 구조. [청구항 29] 제 24 항 내지 제 28 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 하지층은, 기체 상에 형성된 sicn 층, si3cn4 층 및 sio2층중적어도하나포함하는것을특징으로 하는배선 구조. [청구항 30] 제 26 항에 있어서,상기 제 1 플루오로카본막은, 상기 하지층과의 반응에 의해 생성되는 불화규소 가스의 발생을 방지하기 위해형성되어있는것을특징으로 하는배선 구조. [청구항 31] 제 24 항 내지 제 30 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 플루오로카본막 상에 형성된 si3n4, sicn 및 sico 중 적어도 하나를 함유하는막더구비하고있는것을특징으로 하는배선 구조. [청구항 32] 제 26 항에 있어서,상기 제 2 플루오로카본막의 표면 부분에 질화 처리된막갖는것을특징으로 하는배선 구조. [청구항 44] 제 43 항에 있어서,상기 제 1 플루오로카본막의 두께는 5 ∼ 10㎚ 이고, 상기 제 2 플루오로카본막의두께인것을특징으로 하는전자 장치. [청구항 45] 제 43 항 또는 제 44 항에 있어서,상기 하지층은 sicn 층, si3cn4 층, sico 층 및 sio2층중적어도하나포함하는것을특징으로 하는전자 장치. [청구항 46] 제 43 항 내지 제 45 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 2 플루오로카본막 상에 형성된 si3n4 층, sicn 층 및 sico층중적어도하나더구비하고있는것을특징으로 하는전자 장치. [청구항 47] 제 43 항 내지 제 46 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 플루오로카본막은, xe 또는 kr 가스를 사용하여 발생시킨 플라즈마를 사용하여 cvd 형성된 것이고, 상기 제 2 플루오로카본막은 ar 가스를 사용하여 발생시킨 플라즈마를 사용하여 cvd 형성된 것인 것특징으로 하는전자 장치. [청구항 48] 제 43 항 내지 제 47 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 2 플루오로카본막의표면질화되어있는것을특징으로 하는전자 장치. [청구항 49] 제 48 항에 있어서,상기 표면이 질화되어 있는부분의두께인것을특징으로 하는전자 장치. [청구항 50] 제 43 항 내지 제 49 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 층간 절연막에는 컨택트 홀을 갖고, 상기 컨택트 홀 내에 적어도 구리를 포함하는 금속이 충전되며, 상기 컨택트 홀 측면에 있어서 상기 제 1 및 제 2 플루오로카본막과 상기 금속 사이에 배리어층개재시킨것을특징으로 하는전자 장치. [청구항 52] 제 51 항에 있어서,상기 니켈의 불화물은 2 불화니켈인것을특징으로 하는전자 장치. [청구항 53] 제 51 항 또는 제 52 항에 있어서,상기 배리어층은 mocvd 로 형성된니켈의불화물함유하는것을특징으로 하는전자 장치. [청구항 54] 제 51 항 또는 제 52 항에 있어서,상기 배리어층은 니켈을 pvd 로 성막한 후 불화 처리를 하는 것에 의해 형성된층포함하는것을특징으로 하는전자 장치.