기준전위배선을 구비한 반도체 집적회로

[청구항 2] 제1항에 있어서,전원전위배선과 기준전위배선이 추가로 구성되어지되, 적어도 상기 제1, 제2캐패시터 전극중 하나의 전극이 상기 전원전위배선과 접지전위배선중 하나의 배선에 접속되어된것을특징으로 하는반도체 집적회로. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 접속된 상기 전극은 캐패시터부분과 접속부분을 가지며, 상기 접속부분은 상기 캐패시터부분의 길이보다 더 작은폭된것을특징으로 하는반도체 집적회로. [청구항 4] 제2항에 있어서,상기 접속된 전극은 이 접속된 전극에 접속된 상기 전원전위배선 및 접지전위배선하나와 대응하는 배선에 비해 상기 칩내에 따른 크기의 도전층으로 형성되고, 접속홀을 통해서 상기 대응하는배선접속되어진것을특징으로 하는반도체 집적회로. [청구항 5] 제2항에 있어서,상기 접속된 전극과 이 접속된 전극에 연결되는 해당 배선은 상기 칩내에 같은 크기의 도전층으로 형성되어접속된것을특징으로 하는반도체 집적회로. [청구항 6] 제2항에 있어서,상기제1의 캐패시터의 다른 한 전극은 상기 전원전위배선에 접속되고, 상기 제2의 캐패시터의 다른 한 전극은상기접지전위배선접속된것을특징으로 하는반도체 집적회로. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기제1, 제2캐패시터 전극중 최소한 하나의 다른 한 전극이상기기준전위배선의아래표면밑배치된것을특징으로 하는반도체 집적회로. [청구항 8] 제7항에 있어서,상기제1, 제2캐패시터의 상기 양 다른 전극이기준전위배선아래표면밑배치된것을특징으로 하는반도체 집적회로. [청구항 9] 제1항에 있어서,기준전위배선과 접지전위배선이 추가로 구성되어 지되, 적어도 상기 전원전위배선과 접지전위배선중 하나의 배선이 상기 기준전위배선과 겹쳐쳐서 상기 제1, 제2캐패시터중 하나의 캐패시터가 형성되어된것을특지으로 하는반도체 집적회로. [청구항 10] 상기 제1항에 있어서,기준전위배선과 접지전위배선 및 복수의 캐패시터전극이 추가로 구성되어지되, 상기 전원전위배선과 접지전위배선중 하나의 배선이 상기 기준전위배선과 겹쳐져서 상기 제1, 제2캐패시터 중 하나의 캐패시터가 형성되고, 상기 제1, 제2의 캐패시터의 다른 전극을 구성하는 상기 복수의 캐패시터 전극은상기전원전위배선과접지전위배선접속된것을특징으로 하는반도체 집적회로. [청구항 11] 제1항에 있어서,적어도 하나이상의 선호배선이 추가로 구성되어지되, 상기 신호배선은 상기 기준전위배선에 인접하게형성되어진것을특징으로 하는반도체 집적회로. [청구항 12] 제3항에 있어서,적어도 하나 이상의 신호배선이 추가로 구성되어지되, 상기 신호배선은 상기 기준전위배선을 따라 상기 접속부분과 교차되어형성된것을특징으로 하는반도체 집적회로. [청구항 13] 제1항에 있어서,상기 기준전위배선은 상기 반도체 집적회로칩내에 설치된 다수의 회로에다기준전위공급하도록된것을특징으로 하는반도체 집적회로. [청구항 14] 제1항에 있어서,적어도 하나의 회로는 상기 전원전위와 접지전위 사이의 전위레벨인 기준전위가 공급되는센서회로인것을특징으로 하는반도체 집적회로. [청구항 15] 제1항에 있어서,상기 반도체집적회로칩nan은다이나믹칩인것을특징으로 하는반도체집적회로. [청구항 16] 제1항제2캐패시터가 상기 칩내에상호교대배열된것을특징으로 하는반도체 집적회로. [청구항 17] 제1항에 있어서,상기제1, 제2캐패시터는 상기 기준전위배선을 따라 극일하게배열된것을특징으로 하는반도체 집적회로. [청구항 18] 제1항에 있어서,상기 복수의 제1, 제2캐패시터는 상기 기준전위 배선을 따라 배열되고, 상기 각 캐패시터 사이에 형성된 틈은 각캐패시터의길이형성된것을특징으로 하는반도체 집적회로. [청구항 19] 제1항에 있어서,각각의 상기제1, 제2캐패시터의 길이는 상기 기준전위배선의 폭보다적어도5배이상의길이형성된것을특징으로 하는반도체 집적회로. [청구항 20] 제1항에 있어서,각각의 상기제1, 제2캐패시터의 길이는 상기 기준전위배선의 폭보다적어도20배이상의길이형성된것을특징으로 하는반도체 집적회로. [청구항 21] 제1항에 있어서,상기제1, 제2캐패시터의 캐패시턴스거의동일한것을특징으로 하는반도체 집적회로.