문맥 (context)
[청구항2]
제 1 항에 있어서,상기 금속막이 상기 집속 전극과 전기적으로 연결되어 이 집속 전극에 인가되는 전압인가받는전자 방출 소자.
[청구항3]
제 2 항에 있어서,상기 금속막이 상기 제1 기판 측에 근접한 상기 스페이서 상에 형성되고, 상기 집속 전극접촉되는전자 방출 소자.
[청구항4]
제 3 항에 있어서,상기 스페이서가 기둥체로 형성되고, 상기 금속막이 상기 스페이서형성되는전자 방출 소자.
[청구항5]
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 금속막이상기스페이서코팅되어형성되는전자 방출 소자.
[청구항6]
제 1 항에 있어서,상기 전자 방출부가 카본 나노튜브, 그라파이트, 그라파이트 나노파이버, 다이아몬드상 카본, c60, 실리콘 나노와이어 중 어느 하나 또는 이들조합으로 이루어지는전자 방출 소자.
[청구항7]
제 1 항에 있어서,상기 제2 기판 위에 형성되는 적어도 하나의 애노드 전극과, 이 애노드 전극의 어느 일면에 형성되는 형광층더욱 포함하는전자 방출 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
전자 방출 소자에서 금속막은 어떤 구조적 특징을 가지며 어디에 형성되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation금속막의 형성 위치와 구조적 특징을 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 3, 4, 5에서 금속막과 스페이서의 관계를 추출한다.
- 상기 금속막이 상기 제1 기판 측에 근접한 상기 스페이서 상에 형성되고
- 상기 스페이서가 기둥체로 형성되고
- 상기 금속막이상기스페이서코팅되어형성되는
-
3근거 선택
evidence_selection금속막이 스페이서 상에 형성된다는 점과 스페이서가 기둥체라는 점, 그리고 코팅 방식이라는 점을 선택한다.
- 상기 금속막이 상기 제1 기판 측에 근접한 상기 스페이서 상에 형성되고
- 상기 스페이서가 기둥체로 형성되고
- 상기 금속막이상기스페이서코팅되어형성되는
-
4논리 통합
logical_integration금속막은 제1 기판 측에 근접한 기둥체 형태의 스페이서 상에 코팅되어 형성된다.
- 상기 금속막이 상기 제1 기판 측에 근접한 상기 스페이서 상에 형성되고
- 상기 스페이서가 기둥체로 형성되고
- 상기 금속막이상기스페이서코팅되어형성되는
-
5결론 도출
conclusion_formulation금속막은 기둥체로 형성된 스페이서 상에 코팅되어 형성되며, 이 스페이서는 제1 기판 측에 근접해 있다.
- 상기 금속막이 상기 제1 기판 측에 근접한 상기 스페이서 상에 형성되고
- 상기 스페이서가 기둥체로 형성되고
- 상기 금속막이상기스페이서코팅되어형성되는
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 종합하여 최종 답변을 작성한다.
- 상기 금속막이 상기 제1 기판 측에 근접한 상기 스페이서 상에 형성되고
- 상기 스페이서가 기둥체로 형성되고
- 상기 금속막이상기스페이서코팅되어형성되는
근거 (evidence)
- 상기 금속막이 상기 제1 기판 측에 근접한 상기 스페이서 상에 형성되고
- 상기 스페이서가 기둥체로 형성되고
- 상기 금속막이상기스페이서코팅되어형성되는
최종 답변 (final_answer)
금속막은 제1 기판 측에 근접한 스페이서 상에 형성되며, 해당 스페이서는 기둥체로 형성되고 금속막은 이 스페이서에 코팅되어 형성된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
금속막의 위치(스페이서 상), 스페이서의 형태(기둥체), 형성 방식(코팅)에 대한 구조적 관계를 설명함.