화합물 반도체 제조용 수평 반응로

[청구항2] 제1항에 있어서,셉터를 회전시키는서셉터회전수단더포함하는것을특징으로 하는화합물 반도체 제조용 수평 반응로. 제1항에 있어서,셉터를 회전시키는서셉터회전수단더포함하는것을특징으로 하는화합물 반도체 제조용 수평 반응로. [청구항3] 제2항에 있어서,상기 암모니아 가열 수단및 상기 서셉터 가열 수단은 rf 코일 히터이고, 상기 서셉터는 기판을 지지하고 서셉터 회전 수단에 의해 회전되는 회전부와, 회전부를 둘러싸는 고정부를 포함하고, 상기 암모니아 공급 수단은 서셉터의 회전부에 인접한 위치에서 한 단부가 개방된 암모니아 공급관을 포함하고, 암모니아 공급관은 서셉터의 고정부를 관통하여 설치되어 고정부의 가열에 따라가열되는것을특징으로 하는화합물 반도체 제조용 수평 반응로. 제2항에 있어서,상기 암모니아 가열 수단및 상기 서셉터 가열 수단은 rf 코일 히터이고, 상기 서셉터는 기판을 지지하고 서셉터 회전 수단에 의해 회전되는 회전부와, 회전부를 둘러싸는 고정부를 포함하고, 상기 암모니아 공급 수단은 서셉터의 회전부에 인접한 위치에서 한 단부가 개방된 암모니아 공급관을 포함하고, 암모니아 공급관은 서셉터의 고정부를 관통하여 설치되어 고정부의 가열에 따라가열되는것을특징으로 하는화합물 반도체 제조용 수평 반응로. [청구항4] 제3항에 있어서,서셉터의 고정부 윗면에 기판 주위로 연장되는 긴 홈이 형성되고, 상기 암모니아 공급관의 상기 단부가상기홈연결되는것을특징으로 하는화합물 반도체 제조용 수평 반응로. 제3항에 있어서,서셉터의 고정부 윗면에 기판 주위로 연장되는 긴 홈이 형성되고, 상기 암모니아 공급관의 상기 단부가상기홈연결되는것을특징으로 하는화합물 반도체 제조용 수평 반응로. [청구항5] 제2항에 있어서,셉터 회전 수단은 서셉터와 서셉터 회전 모터를 연결시키는 자성 유체 동력 전달부를포함하는것을특징으로 하는화합물 반도체 제조용 수평 반응로. 제2항에 있어서,셉터 회전 수단은 서셉터와 서셉터 회전 모터를 연결시키는 자성 유체 동력 전달부를포함하는것을특징으로 하는화합물 반도체 제조용 수평 반응로. [청구항6] 제2항에 있어서,상기 암모니아 공급 수단은 상기 내벽의 하부면의 서셉터에 인접한 위치에서 한 단부가 개방된 암모니아 공급관을 포함하고,상기 암모니아 가열 수단은 상기 암모니아 공급관을 둘러싸는 전기 저항 히터이고, 상기 서셉터 가열 수단은 서셉터 하부에 위치한전기 저항 히터인것을특징으로 하는화합물 반도체 제조용 수평 반응로. 제2항에 있어서,상기 암모니아 공급 수단은 상기 내벽의 하부면의 서셉터에 인접한 위치에서 한 단부가 개방된 암모니아 공급관을 포함하고,상기 암모니아 가열 수단은 상기 암모니아 공급관을 둘러싸는 전기 저항 히터이고, 상기 서셉터 가열 수단은 서셉터 하부에 위치한전기 저항 히터인것을특징으로 하는화합물 반도체 제조용 수평 반응로. [청구항7] 제6항에 있어서,상기 내벽은 상기 암모니아 공급관을 수용하고 내벽의 하부면으로부터 하향 돌출하는 튜브형 돌출부를 갖고, 튜브형 돌출부는 상기 내벽의 하부면과 만나는 부분에서 내벽의 종축과 수직으로 연장된 긴홈갖는것을특징으로 하는화합물 반도체 제조용 수평 반응로. 제6항에 있어서,상기 내벽은 상기 암모니아 공급관을 수용하고 내벽의 하부면으로부터 하향 돌출하는 튜브형 돌출부를 갖고, 튜브형 돌출부는 상기 내벽의 하부면과 만나는 부분에서 내벽의 종축과 수직으로 연장된 긴홈갖는것을특징으로 하는화합물 반도체 제조용 수평 반응로. [청구항8] 제1항에 있어서,상기 반응로는 서셉터에 가스를 공급하는 제1 가스 공급 수단과 제2 가스 공급 수단을 더 포함하고,상기 서셉터는 상기 내벽의 하부면상에 지지되는 서셉터 블록과, 서셉터 중심 원통부와 서셉터 회전부를 포함하고, 상기 서셉터 블록은 상기 서셉터 회전부와 상기 서셉터 중심 원통부를 수용하는 만입부와, 상기 제1 및 제2 가스 공급 수단으로부터 공급되는 가스가 유입되는 제1 및 제2 가스 공급관과, 상기 가스를 유출시키는 유출구를 포함하고,상기 서셉터 중심 원통부는 개방된 단부가 상기 만입부의 바닥면에 고정되는 중공 원통형 형상을 갖고, 복수의 관통 개구들을 포함하고,상기 서셉터 회전부는 기판을 지지하는 본체부와 본체부의 하부로부터 연장하고 상기 서셉터 중심 원통부를 둘러싸는 중공 원통부를 포함하고, 상기 중공 원통부는 그 외주연에 제공된 복수의 날개를 포함하고,상기 만입부 바닥면에는 상기 제1 가스 공급관이 연결되어 상기 제1 가스관을 통해 공급된 가스가 상기 만입부의 바닥면과 상기 서셉터 중심 원통부의 내부에 의해 한정된 공간에 충전되고 상기 복수의 관통 개구들을 통해 상기 서셉터 중심 원통부와 상기 서셉터 회전부의 중공 원통부 사이의 틈으로 유입되어 중공 원통부의 표면에 압력을 가해 상기 서셉터 회전부를 상승시키고, 상기 만입부의 측벽에는 상기 제2 가스 공급관이 연결되어 제2 가스 공급관을 통해 공급된 가스가 상기 서셉터 회전부의 중공 원통부와 상기 서셉터 블록의 만입부 사이의 공간으로 유입되어 상기 복수의 날개와 충돌하여 상기 서셉터 회전부를 회전시키도록구성된것을특징으로 하는화합물 반도체 제조용 수평 반응로. 제1항에 있어서,상기 반응로는 서셉터에 가스를 공급하는 제1 가스 공급 수단과 제2 가스 공급 수단을 더 포함하고,상기 서셉터는 상기 내벽의 하부면상에 지지되는 서셉터 블록과, 서셉터 중심 원통부와 서셉터 회전부를 포함하고, 상기 서셉터 블록은 상기 서셉터 회전부와 상기 서셉터 중심 원통부를 수용하는 만입부와, 상기 제1 및 제2 가스 공급 수단으로부터 공급되는 가스가 유입되는 제1 및 제2 가스 공급관과, 상기 가스를 유출시키는 유출구를 포함하고,상기 서셉터 중심 원통부는 개방된 단부가 상기 만입부의 바닥면에 고정되는 중공 원통형 형상을 갖고, 복수의 관통 개구들을 포함하고,상기 서셉터 회전부는 기판을 지지하는 본체부와 본체부의 하부로부터 연장하고 상기 서셉터 중심 원통부를 둘러싸는 중공 원통부를 포함하고, 상기 중공 원통부는 그 외주연에 제공된 복수의 날개를 포함하고,상기 만입부 바닥면에는 상기 제1 가스 공급관이 연결되어 상기 제1 가스관을 통해 공급된 가스가 상기 만입부의 바닥면과 상기 서셉터 중심 원통부의 내부에 의해 한정된 공간에 충전되고 상기 복수의 관통 개구들을 통해 상기 서셉터 중심 원통부와 상기 서셉터 회전부의 중공 원통부 사이의 틈으로 유입되어 중공 원통부의 표면에 압력을 가해 상기 서셉터 회전부를 상승시키고, 상기 만입부의 측벽에는 상기 제2 가스 공급관이 연결되어 제2 가스 공급관을 통해 공급된 가스가 상기 서셉터 회전부의 중공 원통부와 상기 서셉터 블록의 만입부 사이의 공간으로 유입되어 상기 복수의 날개와 충돌하여 상기 서셉터 회전부를 회전시키도록구성된것을특징으로 하는화합물 반도체 제조용 수평 반응로.