반도체 장치 및 반도체 장치에 이용되는 수지 조성물

[청구항1] 기판과, 상기 기판의 적어도 한쪽 측에 설치되는 반도체 소자와, 상기 기판과 상기 반도체 소자와 상기 반도체 소자 사이를 충전하는 제 1 수지 조성물을 경화시켜 얻어지는 제 1 수지와, 상기 기판과 상기 제 1 수지를 덮는, 상기 제 1 수지 조성물을 경화한 후에 제 2 수지 조성물을 경화시켜 얻어지는 제 2 수지를 갖고, 상기 제 1 수지와 상기 제 2 수지의 접착 강도가 실온에서 18mpa 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 [청구항2] 청구항 1에 있어서,상기 접착 강도가 260℃에서 3mpa이상인것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항3] 기판과, 상기 기판의 적어도 한쪽 측에 설치되는 반도체 소자와, 상기 기판과 상기 반도체 소자의 사이를 충전하는 제 1 수지 조성물을 경화시켜 얻어지는 제 1 수지와, 상기 기판과 상기 반도체 소자와 상기 제 1 수지를 덮는, 상기 제 1 수지 조성물을 경화한 후에 제 2 수지 조성물을 경화시켜 얻어지는 제 2 수지를 갖고, 상기 제 1 수지와 상기 제 2 수지의 접착 강도가 260℃에서 3mpa 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 [청구항4] 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,상기 접착 강도가 175℃에서 7mpa이상인것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항5] 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 수지 조성물은 실온에서 액상인에폭시수지포함하는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항6] 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 수지 조성물nan은비스페놀형 에폭시 수지포함하는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항7] 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 수지 조성물은 1분자 중에 에폭시기를 3개 이상 가지는다관능에폭시수지포함하는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항8] 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 수지는 경화제, 충전재를 추가로 포함하고, 저응력재제외하는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항9] 청구항 8에 있어서,응력재는 고형 고무,액상고무엘라스토머인것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항10] 청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서,상기 접착 강도가실온이상인것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항11] 청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 있어서,상기 접착 강도가 260℃에서 4mpa이상인것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항12] 청구항 1 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 있어서,상기 접착 강도가 175℃에서 9mpa이상인것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항13] 기판과, 상기 기판의 적어도 한쪽 측에 설치되는 반도체 소자와, 상기 기판과 상기 반도체 소자의 사이를 충전하는 제 1 수지 조성물을 경화시켜 얻어지는 제 1 수지와, 상기 기판과 상기 반도체 소자와 상기 제 1 수지를 덮는, 상기 제 1 수지 조성물을 경화한 후에 제 2 수지 조성물을 경화시켜 얻어지는 제 2 수지를 갖고, 상기 제 1 수지 조성물은 1분자 중에 에폭시기를 3개 이상 가지는 다관능 에폭시 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 [청구항14] 청구항 13에 있어서,상기 제 1 수지는 경화제, 충전재를 추가로 포함하고, 저응력재제외하는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항15] 청구항 14에 있어서,응력재는 고형 고무,액상고무엘라스토머인것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항16] 청구항 1 내지 청구항 15 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 수지는상기반도체 소자의측면의적어도일부덮는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항17] 청구항 1 내지 청구항 16 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체 소자의 윗면이노출되어있는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항18] 청구항 13 내지 청구항 17 중 어느 한 항에 있어서,다관능 에폭시 수지는3관능글리시딜아민형에폭시수지인것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항19] 청구항 8 내지 청구항 12 및 청구항 14 내지 청구항 18 중 어느 한 항에 있어서,상기 충전재는구상실리카인것을특징으로 하는반도체 장치.