반도체 장치

[청구항 2] 제1항에 있어서,반도체 기판과,상기 반도체 기판 위에 형성된 적어도 1개의 단위 저항으로 이루어지는 저항층과,상기 저항층 위에 형성되고, 상기 캐패시터의 한 쪽 전극이 형성되며, 상기 저항을 형성하기 위한 상기 단위 저항의 접속을 수행하는 배선이 형성된 제1 금속 배선층과,상기 제1 금속 배선층 위에 형성되고, 상기 캐패시터를 구성하는 유전체층과,상기 유전체층 위에 형성되고, 상기 캐패시터의 다른 쪽 전극이 형성되는제3금속배선층구비하는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,반도체 기판과,상기 반도체 기판 위에 형성된 적어도 1개의 단위 저항으로 이루어지는 저항층과,상기 저항을 형성하기 위한 상기 단위 저항의 접속을 수행하는 배선이 형성되고, 상기 저항층 위에 형성된 제1 금속 배선층과,상기 제1 금속 배선층 위에 형성되고, 상기 캐패시터의 한 쪽 전극이 형성되는 제2 금속 배선층과,상기 제2 금속 배선층 위에 형성되고, 상기 캐패시터를 구성하는 유전체층과,상기 유전체층 위에 형성되고, 상기 캐패시터의 다른 쪽 전극이 형성되는제3금속배선층구비하는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 제1 금속 배선층과 제2 금속 배선층의 사이에적어도1개의제4금속배선층형성하는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 6] 제5항에 있어서,반도체 기판과,상기 반도체 기판 위에 형성된 적어도 1개의 단위 저항으로 이루어지는 저항층과,상기 저항층 위에 형성되고, 상기 캐패시터의 한 쪽 전극이 형성되며, 상기 저항을 형성하기 위한 상기 단위 저항의 접속을 수행하는 배선이 형성된 제1 금속 배선층과,상기 제1 금속 배선층 위에 형성되고, 상기 캐패시터를 구성하는 유전체층과,상기 유전체층 위에 형성되고, 상기 캐패시터의 다른 쪽 전극이 형성되는제3금속배선층구비하는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 7] 제5항에 있어서,반도체 기판과,상기 반도체 기판 위에 형성된 적어도 1개의 단위 저항으로 이루어지는 저항층과,상기 저항을 형성하기 위한 상기 단위 저항의 접속을 수행하는 배선이 형성되고, 상기 저항층 위에 형성된 제1 금속 배선층과,상기 제1 금속 배선층 위에 형성되고, 상기 캐패시터의 한 쪽 전극이 형성되는 제2 금속 배선층과,상기 제2 금속 배선층 위에 형성되고, 상기 캐패시터를 구성하는 유전체층과,상기 유전체층 위에 형성되고, 상기 캐패시터의 다른 쪽 전극이 형성되는제3금속배선층구비하는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 8] 제7항에 있어서,상기 제1 금속 배선층과 제2 금속 배선층의 사이에적어도1개의제4금속배선층형성하는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 9] 제6항에 있어서,상기 정전압 회로는,입력된 제어 신호에 따른 전류를 상기 입력 단자로부터 상기 출력 단자에 출력하는 출력 트랜지스터와,상기 출력 단자로부터 출력된 출력 전압을 분압한 분압 전압을 생성하여 출력하는 복수개의 저항으로 형성된 분압 회로와,상기 분압 회로를 구성하는 저항의 일단에, 일단이 접속된 캐패시터와,상기 분압 전압이 미리 정해진 기준 전압이 되도록 상기 출력 트랜지스터의 동작 제어를 수행하는 제어 회로를 구비하고,상기 제1 금속 배선층에는 상기 캐패시터의 한 쪽 전극이 형성되고, 상기 분압 회로의 각 저항을 형성하기 위한 상기 단위 저항의 접속을 수행하는배선형성되는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 10] 제7항에 있어서,상기 정전압 회로는,입력된 제어 신호에 따른 전류를 상기 입력 단자로부터 상기 출력 단자에 출력하는 출력 트랜지스터와,상기 출력 단자로부터 출력된 출력 전압을 분압한 분압 전압을 생성하여 출력하는 복수개의 저항으로 형성된 분압 회로와,상기 분압 회로를 구성하는 저항의 일단에, 일단이 접속된 캐패시터와,상기 분압 전압이 미리 정해진 기준 전압이 되도록 상기 출력 트랜지스터의 동작 제어를 수행하는 제어 회로를 구비하고,상기 제1 금속 배선층에는 상기 분압 회로의 각 저항을 형성하기 위한 상기 단위 저항의 접속을 수행하는배선형성되는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 11] 제6항에 있어서,상기 정전압 회로는,입력된 제어 신호에 따라 스위칭을 수행하는 스위칭 소자와,상기 스위칭 소자의 스위칭에 의하여 상기 입력 단자에 입력된 입력 전압에 의한 충전을 수행하는 인덕터와,상기 인덕터의 방전을 수행하는 정류 소자와,상기 출력 단자로부터 출력된 출력 전압을 분압한 분압 전압을 생성하여 출력하는 복수개의 저항으로 형성된 분압 회로와,상기 분압 회로를 구성하는 저항의 일단에, 일단이 접속된 캐패시터와,상기 분압 전압이 미리 정해진 기준 전압이 되도록 상기 스위칭 소자의 스위칭 제어를 수행하는 제어 회로를 구비하고,상기 제1 금속 배선층에는 상기 캐패시터의 한 쪽 전극이 형성되며, 상기 분압 회로의 각 저항을 형성하기 위한 상기 단위 저항의 접속을 수행하는배선형성되는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 12] 제7항에 있어서,상기 정전압 회로는,입력된 제어 신호에 따라 스위칭을 수행하는 스위칭 소자와,상기 스위칭 소자의 스위칭에 의하여 상기 입력 단자에 입력된 입력 전압에 의한 충전을 수행하는 인덕터와,상기 인덕터의 방전을 수행하는 정류 소자와,상기 출력 단자로부터 출력된 출력 전압을 분압한 분압 전압을 생성하여 출력하는 복수개의 저항으로 형성된 분압 회로와,상기 분압 회로를 구성하는 저항의 일단에, 일단이 접속된 캐패시터와,상기 분압 전압이 미리 정해진 기준 전압이 되도록 상기 스위칭 소자의 스위칭 제어를 수행하는 제어 회로를 구비하고,상기 제1 금속 배선층에는 상기 분압 회로의 각 저항을 형성하기 위한 상기 단위 저항의 접속을 수행하는배선형성되는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 13] 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,상기 캐패시터는 mim캐패시터인것을특징으로 하는반도체 장치.