문맥 (context)
[청구항 2]
제 1항에 있어서,상기 돌출부는 직경 라인상에 배치되고, 실질적으로 등간격배열되어 있는웨이퍼 지지 디바이스.
[청구항 3]
제 2항에 있어서,상기 돌출부는 각각이 상기 돌출부에 의해 형성된 동일한 정사각형 또는 동일한 정삼각형 각각의 점을 구성하도록 상기 베이스면 상에 기하학적 배열배치되어 있는웨이퍼 지지 디바이스.
[청구항 4]
제 2항에 있어서,상기 돌출부는 동심적배치되어 있는웨이퍼 지지 디바이스.
[청구항 5]
제 1항에 있어서,상기 돌출부는 각각이 상기 돌출부에 의해 형성된 동일한 정육각형 각각의 점을 구성하도록 상기 베이스면 상에 기하학적 배열배치되어 있는웨이퍼 지지 디바이스.
[청구항 6]
제 1항에 있어서,상기 돌출부는 상기 베이스면 내에 매립된 세라믹 볼형성되어 있는웨이퍼 지지 디바이스.
[청구항 7]
제 1항에 있어서,상기 돌출부는 돔형 세라믹형성되어 있는웨이퍼 지지 디바이스.
[청구항 8]
제 1항에 있어서,상기 돌출부는 상기 베이스면의 재료와 동일한 재료형성되어 있는웨이퍼 지지 디바이스.
[청구항 9]
제 1항에 있어서,상기 라운드팁은 1 mm 내지 2 mm의 반경갖는웨이퍼 지지 디바이스.
[청구항 10]
제 6항에 있어서,상기 세라믹볼은 사파이어제조되는웨이퍼 지지 디바이스.
[청구항 11]
제 6항에 있어서,상기 세라믹 볼은 2 mm 내지 4 mm의 직경갖는,웨이퍼 지지 디바이스.
[청구항 14]
반도체 가공 장치로서,
진공화될 수 있는 반응실
상기 반응실의 내부에 설치되는 청구항 제 1항의 웨이퍼 지지 디바이스 및 가열블록을 포함하는 서셉터; 및
상기 서셉터와 평행하게 상기 반응실 내부에 설치되는 샤워헤드
를 포함하는 반도체 가공 장치
[청구항 15]
제 14항에 있어서,전원을 추가로 포함하고, 상기 rf 전원에서 상기 서셉터 및 상기 샤워헤드는 플라즈마를 발생시키기 위한 상부 전극 및 하부 전극작용하는반도체 가공 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
웨이퍼 지지 디바이스의 돌출부가 베이스면 내에 매립된 세라믹 볼로 형성된 경우, 해당 세라믹 볼의 재질과 직경에 관한 구성 요건은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation질문에서 요구하는 세라믹 볼의 재질과 직경에 관한 구성 요건을 청구항에서 찾아내는 작업이다.
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2정보 추출
information_extraction돌출부가 세라믹 볼로 형성된 경우를 다루는 청구항 6항을 확인하고, 이와 연결된 종속항들을 탐색한다.
- 상기 돌출부는 상기 베이스면 내에 매립된 세라믹 볼형성되어 있는
- 상기 세라믹볼은 사파이어제조되는
- 상기 세라믹 볼은 2 mm 내지 4 mm의 직경갖는
-
3근거 선택
evidence_selection세라믹 볼의 재질을 명시한 청구항 10항과 직경을 명시한 청구항 11항을 선택한다.
- 상기 세라믹볼은 사파이어제조되는
- 상기 세라믹 볼은 2 mm 내지 4 mm의 직경갖는
-
4논리 통합
logical_integration청구항 10항의 재질 정보(사파이어)와 청구항 11항의 직경 정보(2 mm 내지 4 mm)를 결합한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation세라믹 볼의 재질은 사파이어이며, 직경은 2 mm 내지 4 mm라는 결론을 도출한다.
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6답변 생성
answer_generation질문에 대해 리스트 형식으로 최종 답변을 작성한다.
근거 (evidence)
- 상기 돌출부는 상기 베이스면 내에 매립된 세라믹 볼형성되어 있는
- 상기 세라믹볼은 사파이어제조되는
- 상기 세라믹 볼은 2 mm 내지 4 mm의 직경갖는
최종 답변 (final_answer)
- 재질: 사파이어
- 직경: 2 mm 내지 4 mm
핵심 해석 (core_interpretation)
웨이퍼 지지 디바이스의 돌출부가 베이스면에 매립된 세라믹 볼로 구성될 경우, 해당 세라믹 볼은 사파이어 재질이며 2 mm 내지 4 mm의 직경을 가짐을 규정하고 있다.