반도체 소자 및 그 제조 방법

[청구항 1] 베이스 기판; 상기 베이스 기판 상에 배치되고, 리세스 구조물이 형성되는 반도체층 상기 리세스 구조물을 덮는 게이트 구조물 상기 반도체층 상에서 상기 게이트 구조물을 사이에 두고 서로 이격되어 배치되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하되, 상기 반도체층은 상기 게이트 구조물로부터 상기 드레인 전극을 향하는 제1 방향으로 갈수록 두께가 두꺼워지는 상부층을 포함하는 반도체 소자 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 상부층은 상기 제1 방향으로 갈수록 높이가 높아지는 계단 형상의 상부면갖는반도체 소자. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 상부층과 상기 게이트 구조물 사이에 개재된 산화막을 더 포함하되,상기 산화막은 상기 리세스 구조물을 콘포말하게 덮는반도체 소자. [청구항 4] 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 게이트 구조물은 상기 제1 방향으로 갈수록 높이가 높아지는 계단 형상의 하부면가지는반도체 소자. [청구항 5] 제 4 항에 있어서,상기 게이트 구조물은:상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 간의 전류 흐름을 차폐하기 위한 게이트 전극; 및상기 게이트 전극으로부터 상기 드레인 전극을 향해 연장되어 형성된 필드 플레이트포함하는반도체 소자. [청구항 6] 제 4 항에 있어서,상기 게이트 구조물의 하부면은 두 개 이상의 단차가 있는 계단 형상갖는반도체 소자. [청구항 7] 베이스 기판; 상기 베이스 기판 상에 배치되며, 내부에 2차원 전자 가스를 형성하는 반도체층 상기 반도체층 상의 게이트 구조물; 상기 게이트 구조물을 사이에 두고 서로 이격되어 배치되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하되, 상기 드레인 전극을 향하는 제1 방향으로 갈수록 상기 2차원 전자가스의 농도가 증가하도록, 상기 반도체층은 상기 드레인 전극을 향하는 제1 방향으로 갈수록 두께가 두꺼워지는 상부층을 포함하는 반도체 소자 [청구항 9] 제 7 항에 있어서,상기 반도체층은:상기 베이스 기판 상에 배치된 하부층; 및상기 하부층 상에 배치된 상부층을 포함하되,상기 상부층은:상기 하부층을 노출시키는 제1 리세스부; 및상기 제1 리세스부에 연결되며, 상기 제1 리세스부의 하부면 높이에 비해 높은 하부면을 갖는제2리세스부를포함하는반도체 소자.