스퍼터링 시스템

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 자석은 대체로 삼각형 형상이고 액츄에이터는 스퍼터링 동작 동안 타깃 상에서 상기 자석을 전후로 아크형주사하는스퍼터링 장치. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 자석은 상기 자석의 이동 방향으로 폭을 가지며, 상기 모터는 상기 자석의 각 주사에 대한 상기 자석 폭의 절반 보다 큰 거리에 대해 상기 자석주사하는스퍼터링 장치. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 자석은 상기 자석의 이동 방향으로 폭을 가지며, 상기 모터는 상기 자석의 각 주사에 대한 상기 자석의 전체 폭 보다 작은 거리에 대해 상기 자석주사하는스퍼터링 장치. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 액츄에이터는 독립 인코더 모터이고, 상기 자석의 각 위치는 인코더 코드를 검출함알려지는스퍼터링 장치. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 장치는, 상기 액츄에이터를 상기 자석에 연결시키는 절연 브라켓을 추가포함하는스퍼터링 장치. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,상기 자석은 영구자석인스퍼터링 장치. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,상기 자석은 복수의 포개진 패턴으로 배열된 복수의 자석포함하는스퍼터링 장치. [청구항 9] 제 8 항에 있어서,상기 복수의 포개진 패턴은 적어도 내부 링 및 외부 링포함하고,상기 외부 링 내의 자석은 상기 내부 링 내의 자석보다 더 작은 스퍼터링 장치. [청구항 10] 제 1 항에 있어서,상기 가공물은반도체 웨이퍼인스퍼터링 장치. [청구항 11] 제 1 항에 있어서,상기 가공물은 평판 디스플레이의일부분인스퍼터링 장치. [청구항 12] 제 1 항에 있어서,상기 챔버의 제1 벽은, 상기 타깃의 배면이 상기 제1 벽의 1측에 면하도록 상기 타깃을 지지하며, 그리고 상기 자석은, 상기 제1 벽의 제2 측 뒤 상기 챔버의 외부에 위치하고 상기 타깃의 배면을 상기 자석 및 타깃 사이의 제1 벽대향하도록 하는스퍼터링 장치. [청구항 13] 제 12 항에 있어서,상기 자석은 제1 자석이고, 상기 장치는, 대략 동일 거리만큼 떨어진 적어도 2개의 추가의 자석으로서, 상기 적어도 2개의 추가의 자석은 상기 제1 벽의 제2 측 뒤에 있고, 상기 각각의 타깃의 배면을 상기 적어도 2개의 추가의 자석과 각각의 타깃 사이에 상기 제1 벽과 대향하도록 하는 상기 적어도 2개의 추가의 자석; 및 스퍼터링 동작 동안 상기 각각의 타깃 상부에서 상기 적어도 2개의 추가의 자석을 전후로 주사하기 위하여 상기 자석에 연결된 액츄에이터;를 추가포함하는스퍼터링 장치. [청구항 14] 제 13 항에 있어서,상기 액츄에이터는 상기 자석들 사이의 중심 영역배치되는스퍼터링 장치. [청구항 15] 제 1 항에 있어서,상기 액츄에이터는 0.5-10초 사이의 주기로 전후진동하는스퍼터링 장치. [청구항 16] 제 1 항에 있어서,상기 주사방향에 수직한 타깃 및 자석 길이가 상기 타깃에 면하는 가공물 표면의 가장 작은 크기의 1.1 내지5배인스퍼터링 장치. [청구항 17] 제 1 항에 있어서,상기 액츄에이터는모터인스퍼터링 장치. [청구항 25] 제 22 항에 있어서,상기 스퍼터링 챔버는:저압 챔버;상기 챔버 내에서 회전가능한 제1 팔레트로서, 상기 제1 팔레트 상에 복수의 가공물을 동시에 지지하기 위하여 복수의 가공물 지지 영역을 가지는, 상기 회전가능한 제1 팔레트;상기 제1 팔레트에 면하는 스퍼터링 표면을 가지는 복수의 타깃;상기 가공물 지지 영역 상으로 한번에 하나씩 로딩하기 위하여 가공물을 한번에 하나씩 수용하는 제1 포트; 및 가공물들이 상기 스퍼터링 동작 동안 서로 다른 시간에 서로 다른 타깃 스퍼터링 표면에 대향하도록 제1 팔레트를 회전시키는 제1 모터포함하는공정 처리 시스템. [청구항 26] 제 25 항에 있어서,상기 클리닝 챔버는:저압 클리닝 챔버;상기 클리닝 챔버 내에서 회전가능한 제2 팔레트로서, 플라즈마를 이용하는 상기 가공물의 일괄 클리닝 공정을 위하여 상기 제2 팔레트 상에서 복수의 가공물을 동시에 지지하기 위하여 복수의 가공물 지지 영역을 갖는, 상기 회전가능한 제2 팔레트;상기 가공물 지지 영역 상으로 한번에 하나씩 로딩하기 위하여 가공물을 한번에 하나씩 수용하는 제2 포트; 및 상기 제2 팔레트를 회전시키는 제2 모터;를 포함하며, 상기 로봇 아암은, 상기 가공물이 주변 압력에 노출되지 않고, 상기 스퍼터링 시스템 내에서 제2 팔레트로부터 제1 팔레트로 한번에 하나씩 정화된 가공물이송시키는공정 처리 시스템. [청구항 27] 제 22 항에 있어서,상기 클리닝 챔버는 플라즈마 생성기를 가지는 유도성 결합된 플라즈마챔버인공정 처리 시스템. [청구항 29] 제 28 항에 있어서,상기 복수의 타깃들은 제1 물질로 된 적어도 하나의 제1 타깃과 상기 제1 물질과는 다른 제2 물질로 된 제2 타깃을 포함하고, 상기 제1 타깃 및 제2 타깃은 복수의 가공물들의 표면 상으로 물질을 동시스퍼터하는공정 처리 시스템. [청구항 30] 제 28 항에 있어서,상기 복수의 타깃들은 적어도 하나의 제1 타깃과 제2 타깃을 포함하고, 상기 제1 타깃과 제2 타깃은 동일 물질로 형성되고, 상기 제1 타깃 및 제2 타깃은 복수의 가공물들의 표면 상으로 물질을 동시스퍼터하는공정 처리 시스템. [청구항 31] 제 28 항에 있어서,상기 시스템은, 공정 처리를 위하여 복수의 가공물을 수용하는 수용 영역;상기 수용 영역에 연결된 이송 모듈로서, 주변 압력보다 상당히 낮은 저압에 있도록 밀폐가능한 상기 이송 모듈;상기 수용 영역으로부터 클리닝 챔버로 상기 가공물을 이송하기 위한 상기 이송 모듈 내의 로봇 아암;상기 이송 모듈에 연결된 클리닝 챔버로서, 상기 클리닝 챔버는 상기 저압에 있기 위하여 밀폐가능하고, 상기 클리닝 챔버는:저압 클리닝 챔버;상기 클리닝 챔버 내의 회전가능한 제2 팔레트로서, 플라즈마를 이용하는 상기 가공물의 일괄 클리닝 공정을 위하여 상기 제2 팔레트 상에서 복수의 가공물을 동시에 지지하기 위하여 복수의 가공물 지지 영역을 갖는, 상기 회전가능한 제2 팔레트;상기 가공물 지지 영역 상으로 한번에 하나씩 로딩하기 위하여 가공물을 한번에 하나씩 수용하는 제2 포트; 및 상기 제2 팔레트를 회전시키는 제2 모터;를 포함하는 상기 클리닝 챔버; 상기 가공물이 주변 압력에 노출되지 않고, 상기 스퍼터링 시스템 내에서 제2 팔레트로부터 제1 팔레트로 한번에 하나씩 정화된 가공물을 이송시키는 상기 로봇 아암;을 추가포함하는공정 처리 시스템. [청구항 32] 제 28 항에 있어서,상기 제1 팔레트는 상기 제1 모터에 의해 직접 구동되고, 모터 축은 상기 제1 팔레트에 고정되게 연결되는공정 처리 시스템. [청구항 33] 제 1 항에 있어서,상기 제1 모터는 독립 인코더 서보모터인공정 처리 시스템. [청구항 34] 제 28 항에 있어서,상기 가공물 지지 영역은 정전기 척포함하는공정 처리 시스템. [청구항 35] 제 28 항에 있어서,상기 제1 모터는, 스퍼터링이 실행되는 동안 상기 팔레트회전시키는공정 처리 시스템. [청구항 36] 제 28 항에 있어서,상기 제1 모터는, 스퍼터링이 실행되는 동안 상기 팔레트의 회전중지시키는공정 처리 시스템. [청구항 37] 제 28 항에 있어서,상기 팔레트 하부에 제1 위치를 가지는 복수의 이동가능 핀으로서, 상기 가공물을 팔레트 상에 로딩하는 동안 그리고 상기 가공물을 팔레트로부터 언로딩하는 동안, 상기 가공물을 상기 지지 영역으로부터 상승시키기 위하여 각각의 지지 영역에서 팔레트 내 구멍들을 통하여 상승 및 연장시키도록 제어되는 상기 복수의 이동가능 핀을 추가로 포함하며, 상기 핀들이, 그들의 제1 위치로 이동될 때, 상기 웨이퍼의 전체 배면이 상기 팔레트와 접촉하도록 상기 가공물을 상기 지지 영역 상하강시키는공정 처리 시스템. [청구항 51] 제 50 항에 있어서,상기 도관은 상기 테이블과 접촉하는 열 전도성 관을 포함하고, 상기 관은 상기 테이블함께 회전하는스퍼터링 시스템. [청구항 52] 제 51 항에 있어서,상기 관은 전기 전도성이고, 상기 테이블과 전기 접촉상태에 있는스퍼터링 시스템. [청구항 53] 제 51 항에 있어서,상기 팔레트에 전압을 결합시키기 위하여 상기 관에 전압을 결합시키는 전압원을 추가포함하는스퍼터링 시스템. [청구항 54] 제 53 항에 있어서,상기 전압은인스퍼터링 시스템. [청구항 55] 제 53 항에 있어서,상기 전압은라디오 주파수에 있는스퍼터링 시스템. [청구항 56] 제 50 항에 있어서,상기 팔레트는 상기 테이블에 나사로고착되는스퍼터링 시스템. [청구항 57] 제 50 항에 있어서,상기 팔레트는 상기 테이블에 나사로 고착되고, 스퍼터된 물질이 나사 상에 증착되지 않도록 나사 구멍들은 상기 가공물 지지 영역 내배치되는스퍼터링 시스템. [청구항 58] 제 50 항에 있어서,상기 가공물 지지 영역은 정전기 척포함하는스퍼터링 시스템. [청구항 59] 제 50 항에 있어서,상기 시스템은, 상기 도관을 통하여 흐르는 가열된 액체를 추가포함하는스퍼터링 시스템. [청구항 60] 제 50 항에 있어서,상기 시스템은, 상기 도관을 통하여 흐르는 냉각된 액체를 추가포함하는스퍼터링 시스템. [청구항 61] 제 50 항에 있어서,상기 모터는 스퍼터링이 실행되는 동안 팔레트회전시키는스퍼터링 시스템. [청구항 62] 제 50 항에 있어서,상기 모터는 스퍼터링이 실행되는 동안 팔레트 회전정지시키는스퍼터링 시스템. [청구항 64] 제 63 항에 있어서,상기 절연 물질은 상기 팔레트의 양극처리된층인공정 처리 시스템. [청구항 65] 제 63 항에 있어서,상기 팔레트는 알루미늄이고, 상기 절연 물질은상기팔레트의양극처리된층인공정 처리 시스템. [청구항 66] 제 63 항에 있어서,절연 물질은 세라믹 코팅층인공정 처리 시스템. [청구항 67] 제 63 항에 있어서,상기 팔레트는 알루미늄이고, 상기 절연 물질은 알루미늄 산화물포함하는공정 처리 시스템. [청구항 68] 제 63 항에 있어서,바이어스 전압이상기팔레트에가해지는,공정 처리 시스템. [청구항 69] 제 63 항에 있어서,바이어스 전압이 dc인공정 처리 시스템. [청구항 70] 제 63 항에 있어서,바이어스 전압이 ac이고,라디오 주파수에 있는공정 처리 시스템. [청구항 73] 제 72 항에 있어서,상기 실드 기판은 상기 제1 기판에 나사로고착되는스퍼터링 시스템. [청구항 74] 제 72 항에 있어서,상기 제1 기판 및 상기 실드 기판은알루미늄인스퍼터링 시스템. [청구항 75] 제 72 항에 있어서,상기 실드 기판은 타깃용 개구부를 가지는 일반적원형인스퍼터링 시스템. [청구항 76] 제 72 항에 있어서,상기 제2 갭은이하인스퍼터링 시스템. [청구항 78] 제 77 항에 있어서,상기 시스템은, 제1 기판에 고정된 실드 기판을 추가로 포함하며, 상기 실드 기판은 타깃용 개구부를 가지며, 상기 실드 기판은 스퍼터링 공정 동안 제1 기판을 차폐하고, 상기 단면-오염 실드는 상기 실드 기판고정되는스퍼터링 시스템. [청구항 79] 제 77 항에 있어서,상기 일반적으로 원형인 제1 기판 둘레배열된적어도 3개의 타깃이 있는스퍼터링 시스템. [청구항 80] 제 77 항에 있어서,상기 단면-오염 실드는 상기 팔레트에 의해 지지되는 가공물종결되는스퍼터링 시스템. [청구항 81] 제 77 항에 있어서,상기 단면-오염 실드는 상기 팔레트에 의해 지지되는 가공물종결되는스퍼터링 시스템. [청구항 83] 제 82 항에 있어서,상기 제1부 및 상기 기판은 알루미늄포함하는스퍼터링 시스템. [청구항 84] 제 82 항에 있어서,상기 제1부 및 상기 기판은6061 알루미늄인스퍼터링 시스템. [청구항 85] 제 82 항에 있어서,상기 브레이징 금속은 알루미늄포함하는스퍼터링 시스템. [청구항 86] 제 82 항에 있어서,상기 브레이징 금속은4047 알루미늄인스퍼터링 시스템. [청구항 92] 제 91 항에 있어서,상기 자석은 상기 타깃 배면 기판 내에 형성된 함입부 내에서 전후로 주사하고, 상기 타깃 배면 기판의 상승된 벽은 실질상 상기 만입부를 둘러싸고, 상기 냉각 입구 및 출구 포트는 상기 상승된 벽 상위치되는스퍼터링 시스템. [청구항 93] 제 91 항에 있어서,상기 냉각제 채널은 뱀형 경로내에 있는스퍼터링 시스템. [청구항 94] 제 91 항에 있어서,상기 냉각제 채널은 상기 타깃 배면 기판 내에 변화하는 단면의 영역을 가지고, 상기 냉각제 채널은, 상기 타깃 배면 기판의 모서리 근처보다 상기 타깃 배면 기판의 중간 근처에서 더 큰 단면 영역가지는스퍼터링 시스템. [청구항 95] 제 94 항에 있어서,상기 타깃 배면 기판의 중간부가 상기 타깃 배면 기판의 주변부 보다 더 많은 냉각을 필요로 하도록, 상기 자석은 상기 타깃 배면 기판 상부에서 전후주사하는스퍼터링 시스템. [청구항 96] 제 91 항에 있어서,상기 냉각제 채널은 상기 타깃 배면 기판 내에 변화하는 단면의 영역을 가지고, 상기 단면 영역은, 상기 자석 및 타깃 사이의 전체 타깃 배면 기판 상부에서 대략 일정한 온도를 유지하는데 필요한 냉각량의존하는스퍼터링 시스템. [청구항 97] 제 96 항에 있어서,상기 타깃 배면 기판의 중간부가 상기 타깃 배면 기판의 주변부 보다 더 많은 냉각을 필요로 하도록, 상기 자석은 상기 타깃 배면 기판 상부에서 전후주사하는스퍼터링 시스템.