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개선된 디바이스 온-웨이퍼 입자 성능을 위한 화학 상용성 코팅 물질

uuid
f8d33aaa-5fe0-5f1f-8c3b-1f99554dd944
출원번호
1020177007693
출원연도
2013
IPC
C04B 35/00
분류
화학(C섹션)
문맥 (context)
[청구항 2] 제1항에 있어서,220 마이크로-인치 내지 약 250 마이크인치인물품. [청구항 4] 제1항에 있어서,세라믹 코팅이 약 62.93 mol% y2o3, 약 23.13 mol% zro2, 및 약 13.94 mol% al2o3을포함하는물품. [청구항 5] al, al 2 o 3 , 또는 sic 중 하나 이상의 바디; 및 바디 상의 세라믹 코팅으로서, y 4 al 2 o 9 (yam)의 화합물 및 y 2- x zr x o 3 의 고용체를 포함하는 세라믹 코팅을 포함하는 반도체 처리 챔버를 위한 물품으로서, 세라믹 코팅이 약 90 a 내지 약 150 a 범위의 플라즈마 전류(plasma current)를 갖는 플라즈마 분사 시스템(plasma spraying system)을 제공하고, 바디로부터 약 60 mm 내지 약 120 mm의 거리에 플라즈마 분사 시스템의 토치 스탠드오프(torch standoff)를 정위시키고, 플라즈마 분사 시스템을 통해 가스를 약 80 l/min 내지 약 130 l/min의 유량으로 흐르게 하고, 물품에 세라믹 코팅을 플라즈마 분사 코팅하는 것을 포함하는 방법에 의해 바디에 적용되는 물품 [청구항 6] 제5항에 있어서,플라즈마 분사 시스템의 토치 스탠드오프가 바디로부터 약 60 mm 내지 약 120 mm의 거리정위되어 있는물품. [청구항 7] 제5항에 있어서,가스가 플라즈마 분사 시스템을 통해 90 l/min 내지 약 130 l/min의유량으로 흐르는물품. [청구항 9] 제5항에 있어서,코팅의 노듈 총수(nodule count)가 1 인치 당 약 30개 노듈 내지 약 45개 노듈이며, 코팅의 거칠기가 약 220 마이크로 인치 내지 약 250 마이크로 인치이며, 코팅의 단면 공극율이 약 2.5% 내지인물품.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 5항에 기재된 방법에 따라 물품에 세라믹 코팅을 적용할 때, 플라즈마 분사 시스템의 토치 스탠드오프(torch standoff)를 바디로부터 어느 정도의 거리로 정위시켜야 하는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    청구항 5항에 기재된 방법에 따라 세라믹 코팅을 적용할 때, 토치 스탠드오프와 바디 사이의 정위 거리를 찾는 것이다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 5항에서 플라즈마 분사 시스템의 토치 스탠드오프(torch standoff)와 관련된 거리 조건을 추출한다.

    • 바디로부터 약 60 mm 내지 약 120 mm의 거리에 플라즈마 분사 시스템의 토치 스탠드오프(torch standoff)를 정위시키고
  3. 3근거 선택evidence_selection

    질문에서 요구하는 토치 스탠드오프의 거리 정보를 포함하는 구절을 선택한다.

    • 바디로부터 약 60 mm 내지 약 120 mm의 거리에 플라즈마 분사 시스템의 토치 스탠드오프(torch standoff)를 정위시키고
  4. 4논리 통합logical_integration

    추출된 거리 정보인 '약 60 mm 내지 약 120 mm'가 질문의 요구 조건과 일치함을 확인한다.

  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    토치 스탠드오프를 바디로부터 약 60 mm 내지 약 120 mm의 거리로 정위해야 한다는 결론을 도출한다.

    • 바디로부터 약 60 mm 내지 약 120 mm의 거리에 플라즈마 분사 시스템의 토치 스탠드오프(torch standoff)를 정위시키고
  6. 6답변 생성answer_generation

    추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.

    • 바디로부터 약 60 mm 내지 약 120 mm의 거리에 플라즈마 분사 시스템의 토치 스탠드오프(torch standoff)를 정위시키고
근거 (evidence)
  • 바디로부터 약 60 mm 내지 약 120 mm의 거리에 플라즈마 분사 시스템의 토치 스탠드오프(torch standoff)를 정위시키고
최종 답변 (final_answer)
약 60 mm 내지 약 120 mm
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 반도체 처리 챔버용 물품의 세라믹 코팅 공정 시, 플라즈마 분사 시스템의 토치 스탠드오프 거리를 특정 범위(약 60 mm 내지 약 120 mm)로 제어하는 방법을 포함한다.