복합 발광 재료 및 그를 포함하는 발광 소자

[청구항2] 제 1항에 있어서,상기 복합 발광 재료가 투명 금속산화물 매트릭스 내에유기 염료와반도체나노결정포함하는것을특징으로 하는복합 발광 재료. 제 1항에 있어서,상기 복합 발광 재료가 투명 금속산화물로 이루어진 매트릭스 내에유기 염료와반도체나노결정포함하는것을특징으로 하는복합 발광 재료. [청구항3] 제 1항에 있어서,상기 복합 발광 재료가심재와투명코팅층포함하는것을특징으로 하는복합 발광 재료. [청구항4] 제 3항에 있어서,상기 심재가무기형광체반도체 나노결정인것을특징으로 하는복합 발광 재료. [청구항5] 제 3항에 있어서,상기 투명 코팅층이 매트릭스 내에반도체 나노결정과유기 염료가운데임의의하나또는양자포함하는것을특징으로 하는복합 발광 재료. [청구항6] 제 5항에 있어서,상기 매트릭스는금속산화물또는고분자재료형성된것특징으로 하는복합 발광 재료. 제 1항에 있어서,상기 매트릭스는투명금속산화물또는고분자재료형성된것특징으로 하는복합 발광 재료. [청구항7] 제 3항에 있어서,상기 투명 코팅층은 투명 금속산화물 매트릭스 내에반도체 나노결정포함하는것을특징으로 하는복합 발광 재료. 제 1항에 있어서,상기 투명 코팅층은 투명 금속산화물로 이루어진 매트릭스 내에반도체 나노결정포함하는것을특징으로 하는복합 발광 재료. [청구항8] 제 3항에 있어서,상기 투명 코팅층은 투명 금속산화물 매트릭스 내에유기 염료포함하는것을특징으로 하는복합 발광 재료. 제 1항에 있어서,상기 투명 코팅층은 투명 금속산화물로 이루어진 매트릭스 내에유기 염료포함하는것을특징으로 하는복합 발광 재료. [청구항9] 제 1항에 있어서,상기 투명 코팅층은 투명 금속산화물로 이루어진 매트릭스 내에유기 염료와반도체 나노결정포함하는것을특징으로 하는복합 발광 재료. 제 3항에 있어서,상기 투명 코팅층은 투명 금속산화물 매트릭스 내에유기 염료와반도체 나노결정포함하는것을특징으로 하는복합 발광 재료. [청구항10] 제1항 및 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체 나노 결정nan은투명금속산화물코팅된것특징으로 하는복합 발광 재료. 제 3항 내지 제 9항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 반도체 나노 결정nan은투명금속산화물코팅된것특징으로 하는복합 발광 재료. [청구항11] 제 10항에 있어서,상기 투명 코팅층은 투명 금속산화물 매트릭스 내에 투명 금속산화물로 코팅된반도체 나노결정포함하는것을특징으로 하는복합 발광 재료. 제 10항에 있어서,상기 투명 코팅층은 투명 금속산화물 매트릭스 내에 투명 금속산화물로 코팅된반도체 나노결정포함하는것을특징으로 하는복합 발광 재료. [청구항12] 제1항 및 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체 나노 결정은 유기 염료를 포함하는투명금속산화물코팅된것특징으로 하는복합 발광 재료. 제 3항 내지 제 9항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 반도체 나노 결정은 유기 염료를 포함하는투명금속산화물코팅된것특징으로 하는복합 발광 재료. [청구항13] 제 12항에 있어서,상기 투명 코팅층은 투명 금속산화물 매트릭스 내에 유기 염료를 포함하는 투명 금속산화물로 코팅된반도체 나노결정포함하는것을특징으로 하는복합 발광 재료. 제 12항에 있어서,상기 투명 코팅층은 투명 금속산화물 매트릭스 내에 유기 염료를 포함하는 투명 금속산화물로 코팅된반도체 나노결정포함하는것을특징으로 하는복합 발광 재료. [청구항14] 제 12항에 있어서,상기 투명 코팅층은 투명 금속산화물 매트릭스 내에 유기 염료를 포함하는 투명 금속산화물로 코팅된반도체 나노결정과유기 염료포함하는것을특징으로 하는복합 발광 재료. 제 12항에 있어서,상기 투명 코팅층은 투명 금속산화물 매트릭스 내에 유기 염료를 포함하는 투명 금속산화물로 코팅된반도체 나노결정과유기 염료포함하는것을특징으로 하는복합 발광 재료. [청구항15] 제 10항에 있어서,상기 투명 코팅층은 유기 염료를 포함하는 투명 금속산화물 매트릭스 내에 투명 금속산화물로 코팅된반도체 나노결정포함하는것을특징으로 하는복합 발광 재료. 제 10항에 있어서,상기 투명 코팅층은 유기 염료를 포함하는 투명 금속산화물 매트릭스 내에 투명 금속산화물로 코팅된반도체 나노결정포함하는것을특징으로 하는복합 발광 재료. [청구항16] 제 2항 내지 제 9항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 투명 금속산화물은 티타늄 산화물, 니오븀 산화물, 하프늄 산화물, 인듐 산화물, 텅스텐 산화물, 주석 산화물 및 아연 산화물로 구성되는군선택되는것특징으로 하는복합 발광 재료. 제1항, 제2항, 및 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 투명 금속산화물은 티타늄 산화물, 니오븀 산화물, 하프늄 산화물, 인듐 산화물, 텅스텐 산화물, 주석 산화물 및 아연 산화물로 구성되는군선택되는것특징으로 하는복합 발광 재료. [청구항17] 제 6항에 있어서,상기 고분자 재료는 폴리카보네이트, 폴리비닐카르바졸, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리스티렌, 및 폴리에틸렌테레프탈레이트로 구성되는 군에서 선택되는 1종 이상특징으로 하는복합 발광 재료. 제 6항에 있어서,상기 고분자 재료는 폴리카보네이트, 폴리비닐카르바졸, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리스티렌, 및 폴리에틸렌테레프탈레이트로 구성되는 군에서 선택되는 1종 이상특징으로 하는복합 발광 재료. [청구항18] 제 1항 내지 제 9항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 반도체 나노결정은 ii-vi족 화합물, iii-v족 화합물, iv-vi족 화합물, iv족 화합물 및 이들의 혼합물로 구성되는군선택되는것특징으로 하는복합 발광 재료. 제1항, 제2항, 및 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체 나노결정은 ii-vi족 화합물, iii-v족 화합물, iv-vi족 화합물, iv족 화합물 및 이들의 혼합물로 구성되는군선택되는것특징으로 하는복합 발광 재료. [청구항19] 제 18항에 있어서,상기ii-vi족 화합물은 cdse, cdte, zns, znse, znte, zno, hgs, hgse, hgte의 이원소 화합물; cdses, cdsete, cdste, znses, znsete, znste, hgses, hgsete, hgste, cdzns, cdznse, cdznte, cdhgs, cdhgse, cdhgte, hgzns, hgznse의 삼원소 화합물; 및 hggznte, cdznses, cdznsete, cdznste, cdhgses, cdhgsete, cdhgste, hgznses, hgznsete, hgznste 의 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 물질이고,상기 iii-v족 화합물 반도체는 gan, gap, gaas, gasb, aln, alp, alas, alsb, inn, inp, inas, insb의 이원소 화합물; ganp, ganas, gansb, gapas, gapsb, alnp, alnas, alnsb, alpas, alpsb, innp, innas, innsb, inpas, inpsb, gaalnp의 삼원소 화합물; 및 gaalnas, gaalnsb, gaalpas, gaalpsb, gainnp, gainnas, gainnsb, gainpas, gainpsb, inalnp, inalnas, inalnsb, inalpas, inalpsb의 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 물질이고,상기 iv-vi족 화합물은 sns, snse, snte, pbs, pbse, pbte의 이원소 화합물; snses, snsete, snste, pbses, pbsete, pbste, snpbs, snpbse, snpbte의 삼원소 화합물; 및 snpbsse, snpbsete, snpbste 등의 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 물질이고,상기 iv족 화합물은 si 또는 ge의 단일 원소 화합물 또는 sic 또는 sige의 이원소 화합물로 이루어진군선택되는물질인 것을특징으로 복합 발광 재료. 제 18항에 있어서,상기ii-vi족 화합물은 cdse, cdte, zns, znse, znte, zno, hgs, hgse, hgte의 이원소 화합물; cdses, cdsete, cdste, znses, znsete, znste, hgses, hgsete, hgste, cdzns, cdznse, cdznte, cdhgs, cdhgse, cdhgte, hgzns, hgznse의 삼원소 화합물; 및 hggznte, cdznses, cdznsete, cdznste, cdhgses, cdhgsete, cdhgste, hgznses, hgznsete, hgznste 의 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 물질이고,상기 iii-v족 화합물 반도체는 gan, gap, gaas, gasb, aln, alp, alas, alsb, inn, inp, inas, insb의 이원소 화합물; ganp, ganas, gansb, gapas, gapsb, alnp, alnas, alnsb, alpas, alpsb, innp, innas, innsb, inpas, inpsb, gaalnp의 삼원소 화합물; 및 gaalnas, gaalnsb, gaalpas, gaalpsb, gainnp, gainnas, gainnsb, gainpas, gainpsb, inalnp, inalnas, inalnsb, inalpas, inalpsb의 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 물질이고,상기 iv-vi족 화합물은 sns, snse, snte, pbs, pbse, pbte의 이원소 화합물; snses, snsete, snste, pbses, pbsete, pbste, snpbs, snpbse, snpbte의 삼원소 화합물; 및 snpbsse, snpbsete, snpbste 등의 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 물질이고,상기 iv족 화합물은 si 또는 ge의 단일 원소 화합물 또는 sic 또는 sige의 이원소 화합물로 이루어진군선택되는물질인 것을특징으로 복합 발광 재료. [청구항20] 제1항, 제2항, 및 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 유기 염료는유기금속착물또는유기물염료인것을특징으로 하는복합 발광 재료. 제 1항 내지 제 9항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 유기 염료는유기금속착물또는유기물염료인것을특징으로 하는복합 발광 재료. [청구항21] 제 20 항에 있어서,상기 유기물 염료는 쿠마린(coumarin), 로다민 (rhodamine), 페녹사존(phenoxazone), 스틸벤(stilbene), 테르페닐(terphenyl), 및 쿼터페닐(quarterphenyl)로 구성되는군선택되는것특징으로 하는복합 발광 재료. 제 20 항에 있어서,상기 유기물 염료는 쿠마린(coumarin), 로다민 (rhodamine), 페녹사존(phenoxazone), 스틸벤(stilbene), 테르페닐(terphenyl), 및 쿼터페닐(quarterphenyl)로 구성되는군선택되는것특징으로 하는복합 발광 재료. [청구항23] 제 22항에 있어서,상기 발광 소자는 발광 다이오드특징으로 하는발광 소자. 제 22항에 있어서,상기 발광 소자는 발광 다이오드특징으로 하는발광 소자.