탑재대 구조, 성막 장치 및 원료 회수 방법

[청구항2] 제 1 항에 있어서,상기 탑재대 본체는 그 바닥부에 있어서 단열재를 사이에 두고상기기대지지되어있는것을특징으로 하는탑재대 구조. [청구항3] 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 기대는 내부에 상기 냉매통로가 마련되어 상기 탑재대 본체를 직접적으로 지지하는 금속제의 베이스부와, 해당 베이스부의 둘레 가장자리부에 상기 탑재대 본체의 측면을 둘러싸도록 기립시켜 마련되고 상기 베이스부와 일체적으로 결합된금속제의에지링으로이루어지는것을특징으로 하는탑재대 구조. [청구항4] 제 3 항에 있어서,상기 베이스부와 상기 에지 링은 볼트에 의해 착탈 가능하게결합되어있는것을특징으로 하는탑재대 구조. [청구항5] 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 에지 링의 상면은 상기 피처리체의 반경 방향 바깥쪽으로 소정의 길이만큼 연장되는사이즈있는것을특징으로 하는탑재대 구조. [청구항6] 제 3 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 베이스부와 상기 에지 링의 사이에는 상기 베이스부와 상기 에지 링을 구성하는 금속보다도 열전도성이 낮은 금속으로 이루어지는 열전도완화부재개재되어있는것을특징으로 하는탑재대 구조. [청구항7] 제 3 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 탑재대 본체의 측면과 상기 에지 링의 내주면의 사이에는 착탈 가능하게 이루어진실드링마련되어있는것을특징으로 하는탑재대 구조. [청구항8] 제 3 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 에지 링 상에는 상기 피처리체의 측면에 박막이 형성되는 것을 억제하기 위한커버링마련되어있는것을특징으로 하는탑재대 구조. [청구항9] 제 3 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 에지 링의 표면에는코팅막형성되어있는것을특징으로 하는탑재대 구조. [청구항10] 제 7 항에 있어서,상기 실드 링의 표면에는코팅막형성되어있는것을특징으로 하는탑재대 구조. [청구항11] 제 8 항에 있어서,상기 커버 링의 표면에는코팅막형성되어있는것을특징으로 하는탑재대 구조. [청구항12] 제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 코팅막은 금속재료의 용사막, 테프론(등록상표)막,도금막중하나인것을특징으로 하는탑재대 구조. [청구항13] 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기대는 상기 처리용기의 바닥부로부터 기립된 지주에 의해서있는것을특징으로 하는탑재대 구조. [청구항15] 제 14 항에 있어서,상기 탑재대 본체는 그 바닥부에 있어서 단열재를 사이에 두고상기베이스부지지되어있는것을특징으로 하는탑재대 구조. [청구항16] 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,상기 베이스부의 둘레 가장자리부에는 상기 탑재대 본체의 측면을 둘러싸도록 기립시켜서 마련된 금속제의 에지 링이 마련되어 있고, 해당 에지 링이상기주변부품의일부구성하고있는것을특징으로 하는탑재대 구조. [청구항17] 제 16 항에 있어서,상기 베이스부와 상기 에지 링은 볼트에 의해 착탈 가능하게결합되어있는것을특징으로 하는탑재대 구조. 제 14 항에 있어서,상기 베이스부와 상기 에지 링은 볼트에 의해 착탈 가능하게결합되어있는것을특징으로 하는탑재대 구조. [청구항18] 제 14 항 또는 제 17 항에 있어서,상기 에지 링의 상면은 상기 피처리체의 반경방향 바깥쪽으로 소정의 길이만큼 연장하는사이즈있는것을특징으로 하는탑재대 구조. 제 16 항 또는 제 17 항에 있어서,상기 에지 링의 상면은 상기 피처리체의 반경방향 바깥쪽으로 소정의 길이만큼 연장하는사이즈있는것을특징으로 하는탑재대 구조. [청구항19] 제 16 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 베이스부와 상기 에지 링의 사이에는 상기 베이스부와 상기 에지 링을 구성하는 금속보다도 열전도성이 낮은 금속으로 이루어지는 열전도완화부재개재되어있는것을특징으로 하는탑재대 구조. [청구항20] 제 16 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 탑재대 본체의 측면과 상기 에지 링의 내주면의 사이에는 착탈 가능하게 이루어진 실드 링이 마련되어 있고, 해당 실드 링이상기주변부품의일부구성하고있는것을특징으로 하는탑재대 구조. 제 14 항에 있어서,상기 탑재대 본체의 측면과 상기 에지 링의 내주면의 사이에는 착탈 가능하게 이루어진 실드 링이 마련되어 있고, 해당 실드 링이상기주변부품의일부구성하고있는것을특징으로 하는탑재대 구조. [청구항21] 제 16 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 탑재대 본체와 상기 에지 링은 양자간의 열전도성을 향상시키기 위해, 부분적으로 열전도성 촉진 부재를 사이에 두고 마련되거나,혹은직접적마련되어있는것을특징으로 하는탑재대 구조. [청구항22] 제 16 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 에지 링 상에는 상기 피처리체의 측면에 박막이 형성되는 것을 억제하기 위한 커버 링이 마련되어 있고, 해당 커버 링이상기주변부품의일부구성하고있는것을특징으로 하는탑재대 구조. 제 14 항에 있어서,상기 에지 링 상에는 상기 피처리체의 측면에 박막이 형성되는 것을 억제하기 위한 커버 링이 마련되어 있고, 해당 커버 링이상기주변부품의일부구성하고있는것을특징으로 하는탑재대 구조. [청구항23] 제 16 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 에지 링의 표면에는코팅막형성되어있는것을특징으로 하는탑재대 구조. 제 14 항에 있어서,상기 에지 링의 표면에는코팅막형성되어있는것을특징으로 하는탑재대 구조. [청구항24] 제 20 항에 있어서,상기 실드 링의 표면에는코팅막형성되어있는것을특징으로 하는탑재대 구조. 제 20 항에 있어서,상기 실드 링의 표면에는코팅막형성되어있는것을특징으로 하는탑재대 구조. [청구항25] 제 22 항에 있어서,상기 커버 링의 표면에는코팅막형성되어있는것을특징으로 하는탑재대 구조. 제 22 항에 있어서,상기 커버 링의 표면에는코팅막형성되어있는것을특징으로 하는탑재대 구조. [청구항26] 제 23 항 내지 제 25 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 코팅막은 금속재료의 용사막, 테프론(등록상표)막,도금막중하나인것을특징으로 하는탑재대 구조. 제 23 항 내지 제 25 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 코팅막은 금속재료의 용사막, 테프론(등록상표)막,도금막중하나인것을특징으로 하는탑재대 구조. [청구항27] 제 14 항에 있어서,상기 베이스부는 상기 처리용기의 바닥부로부터 기립된 지주에 의해서있는것을특징으로 하는탑재대 구조. 제 1 항 내지 제 26 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 베이스부는 상기 처리용기의 바닥부로부터 기립된 지주에 의해서있는것을특징으로 하는탑재대 구조. [청구항28] 제 1 항 내지 제 27 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 유기 금속 화합물은 ru3(co)12, w(co)6, ni(co)4, mo(co)6, co2(co)8, rh4(co)12, re2(co)10, cr(co)6, os3(co)12, ta(co)5, temat(테트라키스(에틸메틸아미노)타이타늄), taimata, cu(edmdd)2, tacl5, tma(트리메틸 알루미늄), tbtdet(터셔리-부틸이미노 트리스-디에틸아미노 탄탈륨), pet(펜타키스에톡시탄탈륨), tms(테트라메틸 실란), teh(테트라키스 에톡시하프늄), cp2mn[=mn(c5h5)2], (mecp)2mn[=mn(ch3c5h4)2], (etcp)2mn[=mn(c2h5c5h4)2], (i-prcp)2mn[=mn(c3h7c5h4)2], mecpmn(co)3[=(ch3c5h4)mn(co)3], (t-bucp)2mn[=mn(c4h9c5h4)2], ch3mn(co)5, mn(dpm)3[=mn(c11h19o2)3], mn(dmpd)(etcp)[=mn(c7h11c2h5c5h4)], mn(acac)2[=mn(c5h7 o2)2], mn(dpm)2[=mn(c11h19o2)2], mn(acac)3[=mn(c5h7o2)3]로 이루어지는 군에서 선택되는하나재료로이루어지는것을특징으로 하는탑재대 구조. 제 14 항에 있어서,상기 유기 금속 화합물은 ru3(co)12, w(co)6, ni(co)4, mo(co)6, co2(co)8, rh4(co)12, re2(co)10, cr(co)6, os3(co)12, ta(co)5, temat(테트라키스(에틸메틸아미노)타이타늄), taimata, cu(edmdd)2, tacl5, tma(트리메틸 알루미늄), tbtdet(터셔리-부틸이미노 트리스-디에틸아미노 탄탈륨), pet(펜타키스에톡시탄탈륨), tms(테트라메틸 실란), teh(테트라키스 에톡시하프늄), cp2mn[=mn(c5h5)2], (mecp)2mn[=mn(ch3c5h4)2], (etcp)2mn[=mn(c2h5c5h4)2], (i-prcp)2mn[=mn(c3h7c5h4)2], mecpmn(co)3[=(ch3c5h4)mn(co)3], (t-bucp)2mn[=mn(c4h9c5h4)2], ch3mn(co)5, mn(dpm)3[=mn(c11h19o2)3], mn(dmpd)(etcp)[=mn(c7h11c2h5c5h4)], mn(acac)2[=mn(c5h7 o2)2], mn(dpm)2[=mn(c11h19o2)2], mn(acac)3[=mn(c5h7o2)3]로 이루어지는 군에서 선택되는하나재료로이루어지는것을특징으로 하는탑재대 구조. [청구항30] 제 29 항에 있어서,상기 트랩 기구는 상기 원료 가스를 응고시켜 회수하도록있는것을특징으로 하는성막 장치. 제 29 항에 있어서,상기 트랩 기구는 상기 원료 가스를 응고시켜 회수하도록있는것을특징으로 하는성막 장치. [청구항31] 제 29 항 또는 제 30 항에 있어서,상기 처리용기내에는 그 하단부가 상기 탑재대 구조의 상단측의 둘레 가장자리부와 접근해서 배기용의 기체 출구를 형성하는기체출구형성부품마련되어있는것을특징으로 하는성막 장치. 제 29 항에 있어서,상기 처리용기내에는 그 하단부가 상기 탑재대 구조의 상단측의 둘레 가장자리부와 접근해서 배기용의 기체 출구를 형성하는기체출구형성부품마련되어있는것을특징으로 하는성막 장치. [청구항32] 제 31 항에 있어서,상기 기체 출구는 상기 탑재대 구조의 둘레방향을 따라환상형성되어있는것을특징으로 하는성막 장치. 제 31 항에 있어서,상기 기체 출구는 상기 탑재대 구조의 둘레방향을 따라환상형성되어있는것을특징으로 하는성막 장치. [청구항33] 제 31 항에 있어서,상기 처리용기내에는 상기 탑재대 구조에 탑재된 상기 피처리체보다도 직경방향에서 외측 부분에 상기 원료 가스가 상기 피처리체를 피해 상기 기체 출구에 흐르도록 공급하는가스 도입부마련되어있는것을특징으로 하는성막 장치. 제 31 항 또는 제 32 항에 있어서,상기 처리용기내에는 상기 탑재대 구조에 탑재된 상기 피처리체보다도 직경방향에서 외측 부분에 상기 원료 가스가 상기 피처리체를 피해 상기 기체 출구에 흐르도록 공급하는가스 도입부마련되어있는것을특징으로 하는성막 장치.