반도체 웨이퍼의 표면 검사장치

[청구항 2] 제1항에 있어서,피검사 물체가 반도체 웨이퍼인반도체 웨이퍼의 표면 검사장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,반사경(23)이 타원구의 1/4 부분의 안쪽면을 반사면(33)으로 하고, 배면부에 타원구를 관통한 창(9),(10),(11)을 가진 타원형 리플렉터인반도체 웨이퍼의 표면 검사장치. [청구항 4] 제3항에 있어서,반사면(33)이 타원 형상의원통면인반도체 웨이퍼의 표면 검사장치. [청구항 5] 제1항에 있어서,광원(32)이 레이저 광원인반도체 웨이퍼의 표면 검사장치. [청구항 6] 제5항에 있어서,레이저 광원(3)이 가느다란 비임 형상인 레이저 광출력하는 것인반도체 웨이퍼의 표면 검사장치. [청구항 7] 제1항에 있어서,광검출수단(22)이 빛을 전기 신호로 변환하는 수광소자인반도체 웨이퍼의 표면 검사장치. [청구항 8] 제7항에 있어서,광검출 수단(22)에 불필요한 빛을 차단하는 드로플판착설되어 있는반도체 웨이퍼의 표면 검사장치. [청구항 9] 제1항에 있어서,반사경(23)이 타원면(46)을 가진 원기(48),(49)에 의거하여 전해의 치환에 의하여 얻어진 타원면체(42)의 안쪽면에 반사 피막(44)을 형성하는 동시에 이 타원면체(42) 및 반사피막(44)을 관통한 창(34a)을 가진 타원형 리플렉터인반도체 웨이퍼의 표면 검사장치. [청구항 10] 제9항에 있어서,타원면체(42)의 재질이 니켈, 로듐, 기계적 강도가 큰 금속중하나인반도체 웨이퍼의 표면 검사장치. [청구항 11] 제9항에 있어서,반사피막(44)의 재질이 로듐, 기계적 강도가 큰 금속중하나인반도체 웨이퍼의 표면 검사장치. [청구항 13] 제12항에 있어서,지연제어신호가 변환개시신호에 따라a/d 변환기(51),(52)에서 얻어진 상태 신호인 반도체 웨이퍼의 표면 검사장치. [청구항 14] 제12항에 있어서,지연신호 발생기가 지연 펄스 발생기인반도체 웨이퍼의 표면 검사장치. [청구항 15] 제12항에 있어서,지연펄스 발생기(54)가 단안정 멀티 바이브레이터가 2단접속된 것인반도체 웨이퍼의 표면 검사장치. [청구항 16] 제12항에 있어서,광검출 수단에서 공급된 전기 신호의 피이크값을 검출할 수 없는 손실 시간이 샘플홀드를 위한 시간과, 피이크 홀드회로(55)의 펄스폭으로 주어지는 시간과의 가산시간인반도체 웨이퍼의 표면 검사장치. [청구항 17] 제12항에 있어서,변환기(51),(52)의 아날로그 디지털 변환시간이 10 내지 100μs 정도의것인반도체 웨이퍼의 표면 검사장치. [청구항 18] 제12항에 있어서,홀드회로(55)의 리세트 시간인반도체 웨이퍼의 표면 검사장치.