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반도체 집적회로 document_id A220517005103

분류
의약학
라벨 상태 (label_status)
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문맥 (context)
본 발명은 반도체 집적회로에 관한 것으로, 특히, 미사용의 회로에 전원공급을 차단하기 위해, 높은 임계전압을 가지는 트랜지스터를 사용하여 소비전력의 감소를 달성하는 반도체 집적회로에 관한 것이다. 반도체 집적회로의 전원전압은 소비전력의 감소와 가공치수의 미세화에 따라서 해마다 저하하고 있다. 전원전압의 감소로 인해 신호진폭이 작아지면, 트랜지스터의 임계전압이 신호진폭에 대하여 상대적으로 높아지므로, 트랜지스터의 온 전류가 감소하고, 지연이 증가한다. 이 때문에, 트랜지스터의 임계전압도 전원전압에 따라서 저하시키는 것이 필요하다. 그렇지만, 트랜지스터의 임계전압이 저하되면 오프 상태에 있어서의 누설전류가 증가하므로, 저소비 전력화가 저해된다고 하는 불이익이 발생한다. 이러한 누설전류의 증대를 방지하는 기술로서, MTCMOS(multi-threshold complementary metal oxide semiconductor) 회로 기술이 알려져 있다. MTCMOS에 있어서, 예를 들면, 높은 임계전압을 가지는 트랜지스터 스위치가 특정의 기능을 행하는 각각의 회로블록의 전원선에 배치된다. 회로블록이 미사용 상태가 되었을 때, 트랜지스터 스위치가 오프 위치로 설정되고, 회로블록에서 각 트랜지스터를 통하여 흐르는 누설전류가 차단된다. 이것에 의해, 미사용의 회로블록을 통하여 흐르는 불필요한 누설전류가 크게 감소될 수 있다.
지시문 (instruction)
주어진 원문을 읽고 필요한 정보를 파악하여, 원문에 근거해 질문에 답하라.
질문 (question)
MTCMOS 회로 기술에서 미사용 상태의 회로블록을 통해 흐르는 누설전류를 차단하기 위해 전원선에 배치되는 구성요소는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    MTCMOS 기술에서 누설전류 차단을 위해 전원선에 배치되는 특정 구성요소를 찾는 질문이다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    MTCMOS의 작동 방식과 구성요소에 관한 기술적 설명을 추출한다.

    • MTCMOS에 있어서, 예를 들면, 높은 임계전압을 가지는 트랜지스터 스위치가 특정의 기능을 행하는 각각의 회로블록의 전원선에 배치된다.
  3. 3근거 선택evidence_selection

    전원선에 배치되어 누설전류를 차단하는 주체인 구성요소를 확인한다.

    • 높은 임계전압을 가지는 트랜지스터 스위치가 특정의 기능을 행하는 각각의 회로블록의 전원선에 배치된다.
  4. 4논리 통합logical_integration

    트랜지스터 스위치가 오프 위치로 설정될 때 누설전류가 차단된다는 인과관계를 확인한다.

    • 회로블록이 미사용 상태가 되었을 때, 트랜지스터 스위치가 오프 위치로 설정되고, 회로블록에서 각 트랜지스터를 통하여 흐르는 누설전류가 차단된다.
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    질문에서 요구하는 구성요소는 '높은 임계전압을 가지는 트랜지스터 스위치'이다.

    • 높은 임계전압을 가지는 트랜지스터 스위치가 특정의 기능을 행하는 각각의 회로블록의 전원선에 배치된다.
  6. 6답변 생성answer_generation

    추출된 핵심 엔티티를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.

    • 높은 임계전압을 가지는 트랜지스터 스위치
최종 답변 (final_answer)
높은 임계전압을 가지는 트랜지스터 스위치
핵심 해석 (core_interpretation)
MTCMOS 회로에서 미사용 회로블록의 누설전류를 차단하기 위해 전원선에는 높은 임계전압을 가지는 트랜지스터 스위치가 배치된다.