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Ａｌ(ｘ)Ｇａ(ｙ)Ｉｎ(1-ｘ-ｙ)Ｎ 기판 및 Ａｌ(ｘ)Ｇａ(ｙ)Ｉｎ(1-ｘ-ｙ)Ｎ 기판의 세정 방법 document_id A220517007156

분류
의약학
라벨 상태 (label_status)
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문맥 (context)
본 발명은 AlxGayIn1-x-yN(0＜x≤1, 0≤y≤1, x＋y≤1) 기판과 AlxGayIn1-x-yN(0＜x≤1, 0≤y≤1, x＋y≤1) 기판의 세정 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 헤이즈 레벨이 낮은 에피택셜막을 안정되게 성장시킬 수 있는 AlN 기판과 AlN 기판의 세정 방법에 관한 것이다. 또한, 본 명세서에 있어서, AlxGayIn1-x-yN(0＜x≤1, 0≤y≤1, x＋y≤1)을 AlxGayIn1-x-yN으로 약칭한다. AlxGayIn1-x-yN 기판은 여러 가지 광 디바이스나 전자 디바이스 등의 반도체 디바이스용 기판으로서 적합하게 이용될 수 있다. AlxGayIn1-x-yN 결정의 대표적인 성장 방법으로서 HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy)법이 있고, AlxGayIn1-x-yN 기판은 이 AlxGayIn1-x-yN 결정으로부터 제조할 수 있다. 그리고, AlxGayIn1-x-yN 기판의 표면상에 여러 가지 에피택셜막을 성장시킴으로써 광 디바이스나 전자 디바이스 등의 반도체 디바이스를 얻을 수 있다. 또한, AlxGayIn1-x-yN 기판 중에서도 AlN 기판은 6.2 eV의 에너지 밴드갭, 약 3.3 WK-1 cm-1의 열전도율 및 높은 전기 저항을 갖고 있기 때문에, 여러 가지 광 디바이스나 전자 디바이스 등의 반도체 디바이스용 기판으로서 주목되고 있다. AlN 기판은 HVPE법이나 승화법에 의해 성장시킨 AlN 결정으로부터 제조할 수 있다. 그리고, AlN 기판의 표면상에 여러 가지 에피택셜막을 성장시킴으로써 광 디바이스나 전자 디바이스 등의 반도체 디바이스를 얻을 수 있다. 예를 들면, Toshio Nishda et al., "GaN-free transparent ultraviolet light-emitting diodes", 2003, Appl. Phys. Lett., vol. 82, No. 1에는 AlN 기판상에 AlGaN막 등을 성장시킴으로써 얻어진 발광 다이오드가 개시되어 있다. 또한, 니시다 도시오 등, 「벌크 AlN 기판상에 형성한 UV-LED의 고전류 주입 특성」, 제51회 응용 물리학 관계 연합 강연회 강연 예고집, 2004년 3월, p. 409에는 벌크 AlN 기판상에 형성된 발광 다이오드가 개시되어 있다.
지시문 (instruction)
주어진 원문을 읽고 필요한 정보를 파악하여, 원문에 근거해 질문에 답하라.
질문 (question)
AlxGayIn1-x-yN 기판과 AlN 기판을 활용하여 반도체 디바이스를 얻기 위해 수행되는 공정 단계의 관계는 어떠한가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    AlxGayIn1-x-yN 기판 및 AlN 기판을 이용한 반도체 디바이스 제조 공정의 구성 요소 간 관계를 파악한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    기판 제조 방법과 디바이스 제조를 위한 후속 공정 정보를 추출한다.

    • AlxGayIn1-x-yN 기판은 이 AlxGayIn1-x-yN 결정으로부터 제조할 수 있다.
    • AlN 기판은 HVPE법이나 승화법에 의해 성장시킨 AlN 결정으로부터 제조할 수 있다.
    • AlxGayIn1-x-yN 기판의 표면상에 여러 가지 에피택셜막을 성장시킴으로써 광 디바이스나 전자 디바이스 등의 반도체 디바이스를 얻을 수 있다.
    • AlN 기판의 표면상에 여러 가지 에피택셜막을 성장시킴으로써 광 디바이스나 전자 디바이스 등의 반도체 디바이스를 얻을 수 있다.
  3. 3근거 선택evidence_selection

    기판 제조 후 에피택셜막 성장을 통해 디바이스를 얻는 인과 관계를 확인한다.

    • AlxGayIn1-x-yN 기판의 표면상에 여러 가지 에피택셜막을 성장시킴으로써 광 디바이스나 전자 디바이스 등의 반도체 디바이스를 얻을 수 있다.
  4. 4논리 통합logical_integration

    결정으로부터 기판을 제조하고, 그 기판 표면에 에피택셜막을 성장시켜 최종 디바이스를 얻는 순차적 관계를 도출한다.

  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    기판은 결정으로부터 제조되며, 이 기판 위에 에피택셜막을 성장시키는 것이 디바이스 제조의 핵심 단계임을 정리한다.

  6. 6답변 생성answer_generation

    추출된 관계를 바탕으로 기술적 공정 순서를 설명한다.

    • AlxGayIn1-x-yN 기판의 표면상에 여러 가지 에피택셜막을 성장시킴으로써 광 디바이스나 전자 디바이스 등의 반도체 디바이스를 얻을 수 있다.
최종 답변 (final_answer)
AlxGayIn1-x-yN 기판 및 AlN 기판은 각각 HVPE법이나 승화법 등으로 성장시킨 결정을 통해 제조되며, 이렇게 제조된 기판의 표면상에 여러 가지 에피택셜막을 성장시킴으로써 광 디바이스나 전자 디바이스 등의 반도체 디바이스를 얻는다.
핵심 해석 (core_interpretation)
AlxGayIn1-x-yN 기판 및 AlN 기판의 표면상에 여러 가지 에피택셜막을 성장시킴으로써 반도체 디바이스를 제조한다.