부식제, 부식 방법, 이로써 형성된 적층물 및 장치 document_id A220623010112

본 발명은 부식제 및 부식 방법에 관한 양태를 포함한다. 본 발명은 부식에 의해 형성된 적층물 및 적층물이 혼입된 장치에 관한 양태를 포함한다. 반도체 결정 등은 외부 기판 또는 지지체 층에서 성장하여 적층물을 형성할 수 있다. 지지체 층은 예를 들어 사파이어(산화 알루미늄)를 포함할 수 있는데, 이는 산화 알루미늄의 고유 물리적 및 화학적 특성으로 인해 사용될 수 있다. 일부의 최종-용도 적용은 반도체 층을 형성한 후 지지체 층의 일부 또는 전부의 제거를 요구할 수 있다. 적층물로부터 지지체 층의 제거는 마이크로전자기계(MEMS) 장치, 반도체 장치, 예컨대 집적 회로 등의 형성에 유리할 수 있다. 그러나, 제거 방법은 반도체 층이 손상될 수 있다는 점에서 문제가 되거나 제거 방법 그자체가 바람직하지 못할 수 있다. 지지체 층은 예를 들어 부식, 레이저 삭마 또는 기계적 수단에 의해 제거될 수 있다. 몇몇 물질은 물질 유형, 부식제의 유형, 공정 매개변수 등을 기준으로 다른 것들과 상이하게 부식할 수 있다. 예를 들어, 다결정질 산화 알루미늄 또는 무정형 산화 알루미늄은 단일 결정 또는 준 단일 결정 산화 알루미늄(사파이어)에 비해 증가된 표면적 및 감소된 화학 결합 강도를 가질 수 있다. 부식제 및 이들의 사용 방법은 생성된 자립형 또는 부식된 적층물에 차이를 둘 수 있다. 이러한 구조적, 화학적 및/또는 물리적 차이는 전기적 특성, 광학 특성, 물리적 특성 등 중 하나 이상에 영향을 미칠 수 있고, 추가로 후속 공정 단계에서 부식된 적층물의 반응에 영향을 미칠 수 있다. 건식 부식은 기체 또는 플라즈마를 사용하여 기판으로부터 물질의 선택적인 제거를 초래할 수 있는 방법이다. 3개 이상의 시판되는 건식 부식 방법이 있고, 각각은 습식 부식에 비해 경제적으로 보다 덜 유리할 수 있다. 불화 수소(HF)를 화학적 기상 부식에서 사용할 수 있고, 불화 크세논(XeF2)을 사용하여 등방성 부식을 일으킬 수 있다. 스퍼터링은 이온에 의한 폭격에 의해 표면을 부식시킬 수 있다. 습식 부식은 액체 및/또는 존재한다면 최소의 물리적 부식에 의해 물질을 제거하는 화학 작용을 사용할 수 있다는 점에서 건식 부식과 상이하다. 몇몇 지지체 층 또는 산화물 층은 다른 것들보다 제거하기 더 어려울 수 있다. 예를 들어 산화 규소는 상대적으로 낮은 온도에서 용이하게 제거될 수 있다. 그러나, 예를 들어 상대적으로 증가된 화학적 안정성, 열 저항성 및 강직성을 갖는 산화 알루미늄은 제거하기 보다 어려울 수 있거나 보다 고된 제거 방법을 요구할 수 있다. 증가된 화학적 안정성은 습식 부식 방법에 의한 제거의 어려움을 증가시킬 수 있다. 추가로, 다결정질 물질로부터 물질의 제거는 단일 결정 및 준 단일 결정에 비해 용이할 수 있다. 다결정질 물질중 그레인 경계 계면에서 증가된 응력은, 예를 들어 물질을 특히 계면에서 화학적 공격에 대해 상대적으로 보다 감수성으로 만들 수 있다. 따라서, 때때로 다결정질 물질에 유용한 부식제는 동일하거나 유사한 화학적 조성의 단일 결정 및 준 단일 결정을 위한 부식제로서 유용할 수 있다. 삭제 결정에 대한 증가된 강직성은 이들 결정의 다이싱(dicing) 및/또는 연마를 비교적 더 문제가 있게 만들 수 있다. 다이싱은 블레이드를 층 사이의 적층물을 통해 강제로 밀어넣는다. 연마는 물리적으로 표면을 침식시킨다. 더욱 더 강성인 적층물을 사용할 수록, 부서지거나 손상된 적층물의 증가가 초래될 수 있다. 지지체 층의 일부 또는 전체를 제거하여, 자립형 반도체 층을 광전자 장치, 예컨대 발광 다이오드 및 레이저에서 사용할 수 있다. 자립형 질화 갈륨 반도체 층을 사용하는 이러한 장치는 광자기 메모리 및 CD-ROM 및 풀 칼라 발광 디스플레이의 구조에서 상대적으로 높은 저장 밀도를 가능하게 하는 청색 광 및 자외선 레이저를 방출할 수 있다 하나 이상의 부식제, 부식제를 사용하는 방법, 부식된 적층물 또는 자립형 결, 및 부식된 적층물 또는 자립형 결정을 함유하는 장치를 갖는 것이 바람직할 수 있다.