열전도성 실리콘 그리스 조성물 및 그의 경화물 document_id A220623019115

본 발명은 열전도성 실리콘 그리스 조성물, 그의 경화 방법, 그의 경화물, 그의 경화물을 포함하는 전자 장치, 및 전자 부품과 방열 부재 사이에 열전도성 부재를 형성하는 방법에 관한 것이다. 프린트 배선 기판 상에 실장되는 전자 부품, 예를 들면 CPU 등의 IC 패키지는 사용시의 발열에 의한 온도 상승에 의해 성능이 저하되거나 파손되는 경우가 있다. 따라서, 종래 IC 패키지와 방열핀을 갖는 방열 부재 사이에 열전도성이 양호한 열전도성 시트를 배치하거나, 열전도성 그리스를 적용하여 IC 패키지 등으로부터 발생하는 열을 효율적으로 방열 부재로 전도하여 방열시키는 것이 행해지고 있다. 그러나, 전자 부품 등의 고성능화에 따라 그 발열량은 점점 증가하는 경향에 있으며, 종래의 것보다도 더욱 열전도성이 우수한 재료ㆍ부재의 개발이 요구되고 있다. 열전도성 시트는 손쉽게 마운트ㆍ장착할 수 있다는 작업ㆍ공정상의 이점을 갖는다. 또한, 열전도성 그리스는 CPU 등의 IC 패키지 및 방열 부재 표면의 요철에 의한 영향을 받지 않고 상기 요철을 추종하며, 이들 IC 패키지와 방열 부재 사이에 간극을 생기게 하지 않고 양자를 밀착시킬 수 있기 때문에 계면 열저항이 작다는 이점을 갖는다. 이들 열전도성 시트 및 열전도성 그리스는 모두 열전도성을 부여하기 위해 열전도성 충전제를 배합하여 이루어지는 것이다. 그러나, 열전도성 시트의 경우에는 그의 제조 공정에서의 작업성ㆍ가공성에 지장을 초래하지 않도록 하기 위해, 또한 열전도성 그리스의 경우에는 전자 부품 등에 실린지 등을 사용하여 코팅할 때의 작업성에 문제가 생기지 않도록, 그 겉보기 점도의 상한을 일정하게 억제할 필요가 있다. 따라서, 어떠한 경우에 있어서든 열전도성 충전제의 배합량의 상한이 제한되기 때문에, 충분한 열전도성이 얻어지지 않는다는 문제가 있었다. 이러한 문제를 해결하기 위해, 열전도성 페이스트 내에 저융점 금속을 배합하는 방법(일본 특허 공개 (평) 7-207160호 공보 및 일본 특허 공개 (평) 8-53664호 공보), 120 ℃보다 낮은 온도에서 액체 상태의 합금과 열전도성 입상 고체를 함유하는 열전도성 패드(일본 특허 공개 제2002-121292호 공보) 등이 제안되어 있다. 그러나, 이들 저융점 금속을 사용한 열전도성 재료는 코팅부 이외의 부품을 오염시키고, 또한 장시간에 걸쳐 사용했을 경우에는 조성물로부터 유상물이 누출되는 등의 문제가 있었다. 그 밖에도 저융점 금속과 다른 열전도성 충전제를 병용한 경화성 재료(일본 특허 공개 제2003-176414호 공보)가 제안되어 있다. 이것은 발열체, 방열체 및 열전도성 충전제에, 용융된 저융점 금속을 융착시켜 금속의 연속상을 형성시킴으로써 높은 방열 특성을 얻고자 하는 것이다. 저융점 금속과 다른 열전도성 충전제를 병용했을 경우, 경화물의 열전도성을 향상시키기 위해서는 그리스층의 두께를 얇게 할 필요가 있다. 그러기 위해서 일반적으로는 평균 입경이 작은 것을 열전도성 충전제로서 사용한다. 그러나, 평균 입경이 작은 열전도성 충전제를 사용해도 열전도성 충전제에 예기치 못한 조 입자가 혼입되기 때문에, 전자 부품 등에 형성시킨 그리스층이 원하는 두께로 되지 않는 경우가 있다. 또한, 이것이 원인이 되어 대량의 저융점 금속 및 열전도성 충전제를 배합하지 않으면 충분한 방열 특성이 얻어지지 않는다는 문제가 있었다.