문맥 (context)
본 발명은 액정표시장치 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 특히 델타 형태로 배열된 서브 화소를 갖는 액정표시장치의 세로줄 잡음을 방지한 액정표시장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
현재 표시장치로 가장 많이 사용되고 있는 것은 성능 및 가격 측면에서 유리한 CRT(Cathode Ray Tube)이다. 그러나, CRT는 많은 장점에도 불구하고 경박단소화에 어려움이 있기 때문에 최근에 CRT의 대체수단으로 액정표시장치가 널리 사용되고 있다.
종래의 박막 트랜지스터 기판은 스캔신호를 공급하는 게이트 라인(GL1 내지 GLn)과, 데이터 신호를 공급하며 게이트 라인(GL1 내지 GLn)과 교차하여 형성된 데이터 라인(DL1 내지 DLm)과, 게이트 라인(GL1 내지 GLn) 및 데이터 라인(DL1 내지 DLm) 사이에 접속된 박막 트랜지스터와, 박막 트랜지스터와 연결되며 적, 녹, 청의 화소 영역에 형성된 화소 전극을 구비한다.
이때, 박막 트랜지스터는 게이트 라인과 접속된 게이트 전극, 데이터 라인과 접속된 소스 전극, 화소 전극과 접속된 드레인 전극, 게이트 전극과 게이트 절연막을 사이에 두고 중첩되어 소스 전극과 드레인 전극 사이에 채널을 형성하는 반도체층과 소스 전극 및 드레인 전극과 반도체층 사이의 오믹 접촉을 위한 오믹 콘택층을 구비한다. 이러한 박막 트랜지스터는 게이트 라인의 스캔 신호에 응답하여 데이터 라인의 화상 데이터 신호를 화소 전극에 공급하여 유지되게 한다.
화소 전극은 박막 트랜지스터로부터의 화상 데이터 신호가 공급되면 컬러 필터 기판의 공통 전극과의 전압차로 액정을 구동하여 광 투과율이 조절되게 한다.
게이트 라인은 가로방향으로 평행하게 형성되어 박막 트랜지스터에 스캔신호를 공급한다. 이러한 액정표시장치의 박막 트랜지스터 기판은 글자를 제외한 이미지를 표현하기 위해 DSC(Digital Still Camera) 등의 화상 정보가 우선시 되는 저해상도 표시장치의 경우 곡선표시에 유리한 델타 화소 배열을 갖는 박막 트랜지스터 기판이 사용되었다.
이때, 데이터 라인은 델타 배열로 형성된 화소 전극과 중첩되지 않도록 구부려져 형성되어 박막 트랜지스터에 화상 데이터 신호를 공급한다. 델타 배열로 형성된 화소 전극은 첫번째 수평 방향의 서브 화소 영역은 적(R1), 녹(G1), 청색(B1)으로 형성되고, 두번째 수평방향으로 서브 화소 영역은 녹(G2), 청(B2), 적색(R2)으로 형성되며, 첫번재 수평방향의 서브화소들과 두번째 수평방향으로의 서브 화소들이 반복적으로 배열되어 형성된다. 이때, 첫번째 수평방향의 적색 서브 화소와 두번째 수평방향의 녹색 및 청색 서브 화소가 하나의 화소를 이루게된다. 이러한 델타 형태로 서브 화소가 배열된 액정표시장치의 구동시 첫번째 데이터 구동회로의 하나의 출력단에 3개의 데이터 라인이 접속되어 스캔신호가 공급될 때마다 3개의 데이터 라인에 순차적으로 화소 데이터 신호가 공급된다.
이렇게 3개의 데이터 라인이 하나의 데이터 구동회로의 출력단과 접속되면 첫번째 게이트 라인과 연결된 첫번째 화소 전극에 충전되는 화소 데이터 신호와 그 다음 게이트 라인의 세번째 화소 전극에 충전되는 화소 데이터 신호의 충전시간이 서로 달라 동일한 색을 표시하는 화소 전극의 충전율 차에 의해 세로줄 불량 등의 표시불량이 발생된다.
지시문 (instruction)
주어진 원문을 읽고 필요한 정보를 파악하여, 원문에 근거해 질문에 답하라.
질문 (question)
박막 트랜지스터를 구성하는 요소 중 게이트 전극과 게이트 절연막 사이에 위치하며, 소스 전극과 드레인 전극 사이에 채널을 형성하는 부분은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation박막 트랜지스터의 구성 요소 중 특정 구조적 위치와 기능을 가진 요소를 찾는 질문이다.
-
2정보 추출
information_extraction박막 트랜지스터의 세부 구성 요소인 게이트 전극, 게이트 절연막, 소스 전극, 드레인 전극, 반도체층, 오믹 콘택층을 확인한다.
- 박막 트랜지스터는 게이트 라인과 접속된 게이트 전극, 데이터 라인과 접속된 소스 전극, 화소 전극과 접속된 드레인 전극, 게이트 전극과 게이트 절연막을 사이에 두고 중첩되어 소스 전극과 드레인 전극 사이에 채널을 형성하는 반도체층과 소스 전극 및 드레인 전극과 반도체층 사이의 오믹 접촉을 위한 오믹 콘택층을 구비한다.
-
3근거 선택
evidence_selection게이트 전극과 게이트 절연막 사이에 중첩되어 채널을 형성한다는 설명이 포함된 구절을 선택한다.
- 게이트 전극과 게이트 절연막을 사이에 두고 중첩되어 소스 전극과 드레인 전극 사이에 채널을 형성하는 반도체층
-
4논리 통합
logical_integration질문에서 제시한 조건(게이트 전극/절연막 사이 중첩, 소스/드레인 사이 채널 형성)과 일치하는 구성 요소를 연결한다.
- 게이트 전극과 게이트 절연막을 사이에 두고 중첩되어 소스 전극과 드레인 전극 사이에 채널을 형성하는 반도체층
-
5결론 도출
conclusion_formulation해당 구성 요소의 명칭인 '반도체층'을 도출한다.
- 반도체층
-
6답변 생성
answer_generation질문에 대한 직접적인 명칭을 답변으로 작성한다.
- 반도체층
최종 답변 (final_answer)
반도체층
핵심 해석 (core_interpretation)
박막 트랜지스터의 게이트 전극과 게이트 절연막 사이에 중첩된 반도체층은 소스 전극과 드레인 전극 사이에 채널을 형성한다.