가공데이터 · 한국어 지식관계

유기전계발광 표시장치 document_id A220623029326

분류
전기전자
라벨 상태 (label_status)
approved
문맥 (context)
본 발명은 능동 매트릭스 유기발광다이오드(AMOLED: Active Matrix OLED) 패널의 구동기술에 관한 것으로, 특히 패널의 온도변화나 OLED의 성능저하에 따른 휘도 변화를 방지할 수 있도록 한 유기전계 발광표시장치의 화소구동 회로 및 방법에 관한 것이다. 일반적으로, AMOLED 디스플레이를 위한 화소 구조는 구동 방식에 따라 크게 전압 기입 화소, 전류기입 화소, 디지털 구동 화소로 구분할 수 있다. 전압 기입 화소 구조는 고속 기입이 가능하며 전압으로 기입하기 때문에 기존의 TFT-LCD 구동 드라이버 LSI와 거의 비슷하여 쉽게 드라이버 LSI의 구현이 용이하다는 장점이 있다. 그러나 전압 기입 방식은 화소 전원 전압의 IR 드롭(drop)으로 인한 패널의 상하간 휘도 차이가 있을 뿐 아니라 크로스토크 노이즈(crosstalk noise)가 발생한다는 단점이 있으며 TFT의 문턱전압의 불균일도는 어느 정도 보상이 가능하나 이동도의 보상이 어렵다는 문제점이 있다. 전류 기입 화소 구조는 전류로 기입하기 때문에 TFT의 특성 변화 보상이 용이하고 전원 전압의 IR drop도 보상되지만 낮은 계조의 전류 기입 시 기생 부하(parasitic load)가 큰 데이터 라인으로 인해 짧은 로우 라인 타임(row line time)안에 전류 기입이 어렵다는 문제점이 있다. 디지털 구동 화소는 OLED 물질의 열화나 특성 변화에 의해 아주 민감하다는 문제점이 있다. 도 1은 종래 기술에 의한 전계 발광표시장치의 전류구동형 화소 회로도로서 이에 도시한 바와 같이, 전원단자(VDD)와 유기발광다이오드(OLED)의 사이에 직렬접속되어 그 유기발광다이오드(OLED)에 구동전류를 공급하기 위한 구동 P채널 모스트랜지스터(이하, 'P채널 모스트랜지스터'를 '트랜지스터'라 칭함)(T1) 및 스위칭 트랜지스터(T2)와; 상기 구동 트랜지스터(T1)의 소스단자와 게이트 단자 사이에 접속된 스토리지 캐패시터(Cstg)와; 데이터라인(DL)과 상기 트랜지스터(T1),(T2)의 게이트 단자 사이에 소스 단자와 드레인 단자가 접속되고, 게이트가 게이트신호단자(GATE1)에 접속된 스위칭 트랜지스터(T3)와; 상기 데이터라인(DL)과 상기 트랜지스터(T1),(T2)의 드레인,소스단자 접속점 사이에 소스 단자와 드레인 단자가 각기 접속되고, 게이트가 게이트신호단자(GATE2)에 접속된 스위칭 트랜지스터(T4)로 구성된 것으로, 이의 작용을 설명하면 다음과 같다. 먼저, 게이트신호(GATE1),(GATE2)가 '로우'로 공급되면, 이에 의해 스위칭 트랜지스터(T3),(T4)가 각기 온된다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(T1)가 데이터 구동부로부터의 전류를 싱크한다. 이때 흐르는 전류량은 데이터 구동부에서 일정하게 싱크되기 때문에 모든 화소에서 동일한 전류를 흘리게 된다. 따라서, 스토리지 캐패시터(Cstg)에는 상기 싱크 전류에 해당하는 전압이 충전된다. 그런데, 각 화소별 상기 구동 트랜지스터(T1)의 특성이 동일하지 않으므로 각 화소별 스토리지 캐패시터(Cstg)에는 각기 다른 레벨의 전압이 충전된다. 이후, 상기 게이트신호(GATE1),(GATE2)가 '하이'로 공급되면, 이에 의해 상기 스위칭 트랜지스터(T3),(T4)가 각기 오프된다. 이때, 구동 트랜지스터(T1)는 상기 스토리지 캐패시터(Cstg)에 충전된 전압에 상응되는 양의 전류를 유기발광다이오드(OLED)측으로 공급하게 되므로 우수한 균일도를 보장할 수 있게 된다. 상기와 같이 구동되는 유기발광다이오드(OLED)가 매트릭스 형태로 배열되어 패널을 구성하게 되고, 이러한 구조의 유기발광다이오드(OLED) 패널을 이용하여 화상을 표시하게 된다. 상기 OLED 패널은 직류/직류 변환기(도면에 미표시)로부터 공급되는 전원단자전압에 의해 구동된다. 참고로, 상기 설명에서는 트랜지스터(T1-T4)를 P채널 모스트랜지스터를 예로 하여 설명하였으나, N채널 모스트랜지스터로 구현하는 경우에도 동일한 효과를 얻을 수 있다. 그런데, 종래 기술에 의한 유기전계 발광표시장치의 화소구동 회로에 있어서는 유기발광다이오드 패널에 공급되는 전류가 적절히 제어되지 않아 온도가 상승되고 전원단자전압의 레벨이 일정치 이하로 하강되어 유기발광다이오드 패널의 정상동작이 불가능하게 되거나 화질이 저하되는 등의 문제점이 있었다.
지시문 (instruction)
주어진 원문을 읽고 필요한 정보를 파악하여, 원문에 근거해 질문에 답하라.
질문 (question)
도 1에 도시된 종래 기술에 의한 전류구동형 화소 회로를 구성하는 주요 구성요소들은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    도 1에 설명된 종래 기술의 전류구동형 화소 회로를 구성하는 물리적 요소들을 나열해야 한다.

    • 도 1은 종래 기술에 의한 전계 발광표시장치의 전류구동형 화소 회로도로서
  2. 2정보 추출information_extraction

    본문에서 회로의 구성요소로 명시된 각 부품을 추출한다.

    • 구동 P채널 모스트랜지스터
    • 스위칭 트랜지스터(T2)
    • 스토리지 캐패시터(Cstg)
    • 데이터라인(DL)
    • 스위칭 트랜지스터(T3)
    • 스위칭 트랜지스터(T4)
    • 유기발광다이오드(OLED)
  3. 3근거 선택evidence_selection

    회로의 구성을 설명하는 문장에서 구성요소 명칭을 선별한다.

    • 구동 P채널 모스트랜지스터(이하, 'P채널 모스트랜지스터'를 '트랜지스터'라 칭함)(T1) 및 스위칭 트랜지스터(T2)와; 상기 구동 트랜지스터(T1)의 소스단자와 게이트 단자 사이에 접속된 스토리지 캐패시터(Cstg)와; 데이터라인(DL)과 상기 트랜지스터(T1),(T2)의 게이트 단자 사이에 소스 단자와 드레인 단자가 접속되고, 게이트가 게이트신호단자(GATE1)에 접속된 스위칭 트랜지스터(T3)와; 상기 데이터라인(DL)과 상기 트랜지스터(T1),(T2)의 드레인,소스단자 접속점 사이에 소스 단자와 드레인 단자가 각기 접속되고, 게이트가 게이트신호단자(GATE2)에 접속된 스위칭 트랜지스터(T4)로 구성된
  4. 4논리 통합logical_integration

    추출된 구성요소들을 회로의 전체 구조에 맞춰 정리한다.

  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    나열된 구성요소들을 바탕으로 답변을 구성한다.

  6. 6답변 생성answer_generation

    질문에 대해 리스트 형식으로 최종 답변을 작성한다.

최종 답변 (final_answer)
종래 기술에 의한 전류구동형 화소 회로는 구동 P채널 모스트랜지스터(T1), 스위칭 트랜지스터(T2), 스토리지 캐패시터(Cstg), 데이터라인(DL), 스위칭 트랜지스터(T3), 스위칭 트랜지스터(T4), 그리고 유기발광다이오드(OLED)로 구성된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
전류구동형 화소 회로는 구동 트랜지스터, 스위칭 트랜지스터, 스토리지 캐패시터, 데이터라인 및 유기발광다이오드로 구성된다.