평판표시패널 및 그 제조방법 document_id A220623029357

본 발명은 평판표시패널 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 채널영역에 연속계면이 형성된 평판표시패널 및 그 제조방법에 관한 것이다. 최근들어, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display : 이하 "LCD"라 함), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display : FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : 이하 PDP"라 함) 및 전계발광소자일렉트로 루미네센스 디바이스(Electro-luminescence Device):이하 "EL 소자"이라 함)를 이용하는 EL발광표시장치(Electro-luminescence Display Device) 등이 있다. 이와 같은 평판표시장치의 표시품질을 높이고 대화면화를 시도하는 연구들이 활발히 진행되고 있다. 여기서, 액정표시장치(Liquid Crystal Display; LCD)는 비디오신호에 따라 액정셀들의 광투과율을 조절함으로써 액정셀들이 매트릭스 형태로 배열되어진 액정패널에 비디오신호에 해당하는 화상을 표시하게 된다. 이 경우, 액정셀들을 스위칭하는 소자로서 통상 박막트랜지스터(Thin film Transistor; TFT)가 이용되고 있다. 이러한 액정표시장치를 구성하는 평판표시패널로는 아몰퍼스(Amorphous) 실리콘 또는 폴리(Poly) 실리콘으로 구성된 박막 트랜지스터가 형성되어 있다. 여기서, 아몰퍼스 실리콘형 박막 트랜지스터는 아몰퍼스 실리콘막의 균일성이 비교적 좋아 특성이 안정된 장점을 갖는다. 그러나, 아몰퍼스 실리콘형 박막 트랜지스터는 전하 이동도가 낮아 응답 속도가 느리다는 단점을 갖는다. 이에 따라, 아몰퍼스 실리콘형 박막 트랜지스터는 빠른 응답 속도를 필요로 하는 고해상도 표시 패널이나 게이트 드라이버 및 데이터 드라이버의 구동 소자로는 적용이 어려운 단점을 가지고 있다. 폴리 실리콘형 박막 트랜지스터는 전하 이동도가 높음에 따라 빠른 응답 속도를 필요로 하는 고해상도 표시 패널에 적합할 뿐만 아니라 주변 구동 회로들을 표시 패널에 내장할 수 있는 장점을 갖는다. 이에 따라, 폴리 실리콘형 박막 트랜지스터를 이용한 평판표시패널이 대두되고 있다. 여기서, 평판표시패널을 구성하는 박막 트랜지스터는 아몰퍼스 실리콘층에 대한 레이저 어닐링 과정을 통해 형성된 액티브층과, 상기 액티브층 상에 게이트 절연층이 증착된 채널구조를 갖는다. 즉, 레이저 어닐링 과정을 통해 액티브층이 형성된 후 그 위에 게이트 절연층이 순차적으로 증착됨에 따라, 박막 트랜지스터의 채널영역에는 상기 두 층 사이에 불연속 계면이 생성되어 Vth 등을 증가시키는 계면 결함(Interface Defect)이 발생되는 문제점이 있었다. 이때, 종래의 박막 트랜지스터의 경우 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 액티브층 상에 게이트 절연층을 증착하기 전에 HF 클리닝 공정을 수행하여야 하였으며, 이에 의해 공정수가 증가되어 생산수율이 떨어진다는 문제점이 또한 발생하였다.